1、1會計學場效應(yīng)管的頻率響應(yīng)場效應(yīng)管的頻率響應(yīng)場效應(yīng)管的低頻小信號模型場效應(yīng)管的低頻小信號模型:無電容。無電容。 場效應(yīng)管的高頻小信號模型：需要考慮電容場效應(yīng)管的高頻小信號模型：需要考慮電容Cgs和和Cgd。 圖圖5.16 FET高頻小信號模型高頻小信號模型類似于類似于BJT，場效應(yīng)管的特征頻率可表示為，場效應(yīng)管的特征頻率可表示為 Tf 2 ()mgsgdgCC（5.32） 圖圖5.17 含有負載含有負載 LR的的MOSFET的高頻小信號等效電路的高頻小信號等效電路 在輸入端的柵極節(jié)點列寫在輸入端的柵極節(jié)點列寫KCL方程，有方程，有 在輸出端的漏極節(jié)點列寫在輸出端的漏極節(jié)點列寫KCL方程，有方程

2、，有 上兩式聯(lián)立，消去上兩式聯(lián)立，消去 dsV則則 (5.34)(5.33)(5.35)Cgd等效到輸入回路等效到輸入回路：一般地，一般地， gdj C1LR上式變?yōu)樯鲜阶優(yōu)?根據(jù)上式重新將圖根據(jù)上式重新將圖5.17畫成圖畫成圖5.18。圖圖5.18 含等效含等效Miller電容的電容的MOSFET高頻電路高頻電路 (5.36)圖中的電容圖中的電容 MC為為Miller電容電容，可表示為，可表示為 （5.37） 在一般情況下，條件在一般情況下，條件 gdj C1LR都會滿足，都會滿足， 但在含有源負載的電路中就不一定能滿足。若不滿足，但在含有源負載的電路中就不一定能滿足。若不滿足， 一般一般

3、gdj Cmg總是滿足的，則式（總是滿足的，則式（5.34）變?yōu)椋┳優(yōu)?(5.38)Cgd等效到輸出回路等效到輸出回路：則該輸出端應(yīng)并聯(lián)一個電容則該輸出端應(yīng)并聯(lián)一個電容 若式（若式（5.38）是圖）是圖5.18輸出端的輸出端的KCL方程，方程，gdC因此，包含電容因此，包含電容 gdC對輸出回路的影響的等效電路如圖對輸出回路的影響的等效電路如圖5.19圖圖5.19 電容電容 gdC對輸出回路影響的等效電路對輸出回路影響的等效電路 此時此時 由式（由式（5.39）可知，若）可知，若 MC仍按式（仍按式（5.37）計算，）計算， 則則 MC的值比真實值偏大。的值比真實值偏大。 gdj C越接近于越

4、接近于 1LR這個偏差就越大。這個偏差就越大。 如果此時要計算上轉(zhuǎn)折頻率，建議采用原高頻如果此時要計算上轉(zhuǎn)折頻率，建議采用原高頻等效電路（圖等效電路（圖5.16）(5.39)例例5.8利用利用Miller等效后的電路計算上轉(zhuǎn)折頻率。等效后的電路計算上轉(zhuǎn)折頻率。采用采用Miller等效的方法重新求解例等效的方法重新求解例5.4。 解：解： 由式（由式（5.33）可得）可得 說明：本例計算的結(jié)果與例說明：本例計算的結(jié)果與例5.4計算的結(jié)果比較接近。計算的結(jié)果比較接近。如果電路接有負載電容如果電路接有負載電容 LC該怎么分析電路的頻率響應(yīng)呢？該怎么分析電路的頻率響應(yīng)呢？ 1)若若 Lj C1LR，由

5、，由Miller電容的推導過程可知電容的推導過程可知 此時只需采用圖此時只需采用圖5.19所示的電路，輸出端的總電容所示的電路，輸出端的總電容仍然近似成立。仍然近似成立。為為 然后再用開路時間常數(shù)法計算上轉(zhuǎn)折頻率即可。然后再用開路時間常數(shù)法計算上轉(zhuǎn)折頻率即可。 2）若）若 Lj C不滿足，但比較接近時，不滿足，但比較接近時， 1LR則只好通過增益函數(shù)的表達式來計算上轉(zhuǎn)折頻率。則只好通過增益函數(shù)的表達式來計算上轉(zhuǎn)折頻率。 3）若）若 Lj C1LR，則可忽略，則可忽略 gsC和和 gdC的影響，再用開路時間常數(shù)法來計算上轉(zhuǎn)折頻率。的影響，再用開路時間常數(shù)法來計算上轉(zhuǎn)折頻率。 一般地，一般地， gdj C1LR上式變?yōu)樯鲜阶優(yōu)?根據(jù)上式重新將圖根據(jù)上式重新將圖5.17畫成圖畫成圖5.18。圖圖5.18 含等效含等效Miller電容的電容的MOSFET高頻電路高頻電路 (5.36)例例5.8利用利用Miller