1、數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)在線平時(shí)作業(yè)1-00001試卷總分:100 得分:100一、單選題 (共 20 道試題,共 80 分)1.與邏輯式 圖 相等的式子是（）。A.ABCB.AC.圖D.圖答案:B2.存儲(chǔ)8位二進(jìn)制信息要( )個(gè)觸發(fā)器。A.2B.3C.4D.8答案:D3.只讀存儲(chǔ)器的類型不包括（ ）A.ROMB.DROMC.EPROMD.E2PROM答案:B4.正邏輯與門相當(dāng)于負(fù)邏輯的（ ）A.與門B.非門C.或門D.與非門答案:C5.CMOS非門的組成是由PMOS和NMOS互補(bǔ)對(duì)稱連接起來的，將PMOS的柵極G1和NMOS的柵極G2接在一起作輸入，而其輸出則是_連接起來。A.PMOS的源極S1和N

2、MOS的源極S2B.PMOS的源極S1和NMOS的漏極D2C.PMOS的漏極D1和NMOS的源極S2D.PMOS的漏極D1和NMOS的漏極D2答案:D6.為使采樣輸出信號(hào)不失真地代表輸入模擬信號(hào)，采樣頻率和輸入模擬信號(hào)的最高頻率的關(guān)系是（ ）。A.=B.=2D.=2答案:C7.同步時(shí)序電路和異步時(shí)序電路比較，其差異在于后者 （）A.沒有觸發(fā)器B.沒有統(tǒng)一的時(shí)鐘脈沖控制C.沒有穩(wěn)定狀態(tài)D.輸出只與內(nèi)部狀態(tài)有關(guān)答案:B8.EPROM是指（ ）A.隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器B.只讀存儲(chǔ)器C.可編程的只讀存儲(chǔ)器D.可擦可編程的只讀存儲(chǔ)器答案:D9.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器輸出脈沖的寬度取決于（ ）。A.觸發(fā)脈沖的寬度B.電源

3、電壓C.觸發(fā)脈沖的幅度D.定時(shí)電阻、電容的數(shù)值答案:D10.半導(dǎo)體EPROM，寫入的內(nèi)容，可以通過擦除。（ ）A.紫外線照射B.電信號(hào)C.口令D.DOS命令答案:A11.能驅(qū)動(dòng)七段數(shù)碼管的顯示譯碼器是（ ）。A.74LS48B.74LS138C.74LS148D.TS547答案:A12.對(duì)于輸出“0”有效的24線譯碼器來說要實(shí)現(xiàn)，Y= 圖的功能，應(yīng)外加( )A.或門B.與門C.或非門D.與非門答案:B13.三態(tài)門輸出高阻狀態(tài)時(shí)，下列說法不正確的是（ ）A.用電壓表測(cè)量指針不動(dòng)B.相當(dāng)于懸空C.電壓不高不低答案:C14.若RAM的地址碼有8位，行、列地址譯碼器的輸入端都為4個(gè)，則它們的輸出線（即

4、字線加位線）共有_條A.8B.16C.32D.256答案:C15.半導(dǎo)體E2PROM，寫入的內(nèi)容，可以通過_擦除。（ ）A.紫外線照射B.電信號(hào)C.口令D.DOS命令答案:A16.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)不包括（ ）A.存儲(chǔ)容量B.存儲(chǔ)速度C.可靠性D.安全性答案:D17.某存儲(chǔ)器容量為 32K * 16位，則（ ）A.地址線為16根，數(shù)據(jù)線為32根B.地址線為32根，數(shù)據(jù)線為16根C.地址線為15根，數(shù)據(jù)線為16根D.地址線為15根，數(shù)據(jù)線為32根答案:C18.下列邏輯等式中不成立的有（）。A.A + BC = A ( + B )( A + C )B.圖C.圖D.圖答案:B19.下列各組數(shù)中，是6 進(jìn)制的是（）。A.14752B.62936C.53452D.37481答案:C20.當(dāng)內(nèi)存儲(chǔ)器系統(tǒng)中內(nèi)存儲(chǔ)器芯片較少時(shí)，其片選信號(hào)可以采用（ ）A.74SL138B.74LS245C.74LS244D.與門答案:D二、判斷題 (共 5 道試題,共 20 分)21.A/D轉(zhuǎn)換器的二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)越多，量化單位越小。答案:正確22.RS觸發(fā)器的約束條件RS=0表示不允許出現(xiàn)R=S=1的輸入。答案:正確23.D觸發(fā)器的特性方程為 Qn+1=D，與 Qn無關(guān)，所以它沒有記憶功能。答案:錯(cuò)誤24.采樣定理的規(guī)定，是為了能不失真地恢復(fù)原模擬信號(hào)，而又