1、LPC1300 系列微控制器第 4 章電源管理單元（PMU）用戶手冊(cè) Rev1.02地址：廣州市天河北路 689 號(hào)光大：htt12 樓 F4銷售與服務(wù)網(wǎng)絡(luò)地址：廣州市天河北路 689 號(hào)光大12 樓 F4：510630：(020)38730972 38730976 38730916 38730917 38730977傳真：(020)38730925：htt廣州專賣店地址：廣州市天河區(qū)新賽格電子城 203-204 室：(020)87578634 87569917傳真：(020)87578842周立功地址：市珠江路 280 號(hào)珠江2006 室：(025)83613221 83613271 836

2、03500傳真：(025)83613271周立功地址：市海淀區(qū)知春路 113 號(hào)銀網(wǎng)中心 A 座1207-1208 室（中發(fā)電子市場(chǎng)斜對(duì)面）：(010)62536178 62536179 82628073傳真：(010)82614433重慶周立功地址：重慶市石橋鋪科園一路二號(hào)國(guó)際（賽格電子市場(chǎng)）1611 室：(023)68796438 68796439傳真：(023)68796439杭州周立功地址：杭州市天目山路 217 號(hào)江南電子502 室：(0571)89719480 89719481 8971948289719483 89719448 89719485傳真：(0571) 89719494

3、周立功地址市一環(huán)路南二段1 號(hào)數(shù)碼同人港401 室（磨子橋立交西北角）：(028) 85439836 85437446傳真：(028) 85437896周立功地址：市深南中路 2070 號(hào)電子科技C 座 4樓D 室：(0755)83781788（5 線）傳真：(0755)83793285周立功地址市洪山區(qū)廣埠屯珞瑜路158 號(hào)12128 室（華中電腦數(shù)碼市場(chǎng)）：(027)87168497 87168297 87168397傳真：(027)87163755周立功地址：市東路 668 號(hào)科技東座 7E 室：(021)53083452 53083453 53083496傳真：(021)5308349

4、1西安辦事處地址：西安安北路 54 號(hào)太平洋1201 室：(029)87881296 83063000 87881295傳真：(029)87880865目錄電源管理單元（PMU）1簡(jiǎn)介1寄存器描述1第 4 章4.14.24.2.14.2.24.2.3功率控制寄存器1通用寄存器 0-32通用寄存器 424.3功能描述2進(jìn)入深度掉電模式2退出深度掉電模式24.3.14.3.2LPC1300 用戶手冊(cè)2010 Guangzhou ZLGMCU Development CO.,.i第4章 電源管理單元（PMU）4.1簡(jiǎn)介PMU 控制深度掉電模式。在深度掉電模式下可使用 PMU 的 4 個(gè)通用寄存器來保

5、存數(shù)據(jù)。4.2寄存器描述表 4.1 寄存器概述：PMU（基址 0 x4003 8000）4.2.1 功率控制寄存器功率控制寄存器選擇是否進(jìn)入 ARM Cortex-M3 控制的其中一種掉電模式（睡眠模式或深度睡眠模式）或深度掉電模式，并分別為睡眠模式或深度睡眠模式和深度掉電模式提供標(biāo)志。有關(guān)如何進(jìn)入掉電模式的細(xì)節(jié)見“電源管理”小節(jié)。表 4.2功率控制寄存器（PCON，地址 0 x4003 8000）位描述LPC1300 用戶手冊(cè)2010 Guangzhou ZLGMCU Development CO.,.1位符號(hào)值描述復(fù)位值0-保留。不要向該位寫入 10 x01DPDEN使能深度掉電模式00A

6、RM WFI 將進(jìn)入睡眠或深度睡眠模式（ARM Cortex-M3內(nèi)核的時(shí)鐘關(guān)閉）1ARM WFI 將進(jìn)入深度掉電模式（ARM Cortex-M3 內(nèi)核掉電）7:2-保留。不要向該位寫入 10 x08SLEEPFLAG睡眠模式標(biāo)志00讀：不進(jìn)入掉電模式。LPC1300 系列Cortex-M3 微控制器在運(yùn)行模式下寫：沒有影響1讀：進(jìn)入睡眠/深度睡眠或深度掉電模式寫：寫 1 將 SLEEPFLAG 位清零10:9-保留。不要向該位寫入 10 x011DPDFLAG深度掉電標(biāo)志0 x00讀：不進(jìn)入深度掉電睡眠寫：沒有影響1讀：進(jìn)入深度掉電模式寫：清除深度掉電標(biāo)志31:12-保留。不要向該位寫入 1

7、0 x0名稱地址偏移量描述復(fù)位值PCONR/W0 x000功率控制寄存器0 x0GPREG0R/W0 x004通用寄存器 00 x0GPREG1R/W0 x008通用寄存器 10 x0GPREG2R/W0 x00C通用寄存器 20 x0GPREG3R/W0 x010通用寄存器 30 x0GPREG4R/W0 x014通用寄存器 40 x04.2.2 通用寄存器 0-3當(dāng)電源仍應(yīng)用于 VDD 腳而已進(jìn)入深度掉電模式時(shí)，這些通用寄存器在深度掉電模式過程中保存數(shù)據(jù)。當(dāng)所有電源完全從移除時(shí)，只有“冷”啟動(dòng)將復(fù)位通用寄存器。表 4.3 通用寄存器 0-3（GPREG0-GPREG3，地址 0 x4003

8、 80040 x4003 8010）位描述4.2.3 通用寄存器 4當(dāng)電源仍應(yīng)用于 VDD 腳而中保存數(shù)據(jù)。當(dāng)所有電源完全從已進(jìn)入深度掉電模式時(shí)，通用寄存器 4 在深度掉電模式過程移除時(shí)，只有“冷”啟動(dòng)將復(fù)位通用寄存器。注：如果應(yīng)用于管腳VDD 的外部電壓低于V，則必須深度掉電模式中喚醒。WAKEUP 輸入管腳的滯后以便于將從表 4.4 通用寄存器 4（GPREG4，地址 0 x4003 8014）位描述功能描述進(jìn)入深度掉電模式按照這些步驟從正常運(yùn)行模式中進(jìn)入深度掉電模式：1）（可選）將在深度掉電模式中要保留的數(shù)據(jù)保存到 4 個(gè)通用寄存器的DATA位（見表 4.3和表 4.4）。設(shè)置PCON寄

9、存器（表 4.2）的DPDEN位為 1 來使能深度掉電模式。發(fā)布 ARM Cortex-M3 WFI/WFE 指令。在第 3）步之后，PMU 關(guān)閉片上電壓調(diào)節(jié)器并等待 WAKEUP 管腳的喚醒信號(hào)。退出深度掉電模式按照這些步驟將從深度掉電模式中喚醒：1）在 WAKEUP 管腳上從高電平跳變?yōu)榈碗娖健?PMU 將開啟片上電壓調(diào)節(jié)器。當(dāng)內(nèi)核電壓到達(dá)上電復(fù)位（POR）觸發(fā)點(diǎn)時(shí)，將觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位且重新啟動(dòng)。 除 GPREG0 到 GPREG4 和 PCON 之外的所有寄存器將處于其復(fù)位狀態(tài)。2）一旦啟動(dòng)，則讀PCON寄存器中的深度掉電標(biāo)志（表 4.1）來驗(yàn)證復(fù)位是由深度掉電的喚醒事件產(chǎn)生而不是冷復(fù)位。3）清除PCON寄存器中的深度掉電標(biāo)志（表 4.1）。4）（可選）讀通用寄存器（見表 4.3和表 4.4）中的數(shù)據(jù)。5）設(shè)置 PMU 用于下個(gè)深度掉電周期（見“進(jìn)入深度掉電模式”小節(jié)）。LPC1300 用戶手冊(cè)2010 Guangzhou ZLGMCU Development CO.