搭建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成果轉(zhuǎn)化平臺(tái)行動(dòng)方案搭建成果轉(zhuǎn)化平臺(tái)聚焦第三代半導(dǎo)體單晶材料生長(zhǎng)技術(shù)，器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)，封裝與測(cè)試技術(shù)等領(lǐng)域，加快推進(jìn)高校及研究院所科技成果與產(chǎn)業(yè)的對(duì)接，以共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室等形式落實(shí)成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，并加速推動(dòng)成果產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，實(shí)現(xiàn)我省在第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)領(lǐng)域的彎道超車(chē)。指導(dǎo)思想以推動(dòng)第三代半導(dǎo)體高質(zhì)量發(fā)展為主線，以應(yīng)用牽引、技術(shù)驅(qū)動(dòng)、協(xié)同創(chuàng)新、綠色發(fā)展為途徑，以骨干企業(yè)為龍頭，以重點(diǎn)產(chǎn)品為依托，以重大項(xiàng)目為抓手，優(yōu)化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，著力發(fā)展以SiC、GaN為主的第三代半導(dǎo)體材料、器件、模組及系統(tǒng)應(yīng)用等。加快補(bǔ)短板、鍛長(zhǎng)板，提升第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體競(jìng)爭(zhēng)力，為推動(dòng)全省新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，培育壯大現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系提供有力支撐。堅(jiān)持全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，提升產(chǎn)業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)能力以技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展相對(duì)成熟的SiC、GaN材料為切入點(diǎn)，迅速做大第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模。聚焦材料、外延、芯片、器件、封裝、設(shè)備和應(yīng)用等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)環(huán)節(jié)，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合，以合資、合作方式培育和吸引高水平企業(yè)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體在電力電子、微波電子和半導(dǎo)體照明等領(lǐng)域的應(yīng)用，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地。1、提升材料制備和產(chǎn)業(yè)化能力加速推進(jìn)大尺寸SiC、GaN等單晶體材料生長(zhǎng)及量產(chǎn)技術(shù)，突破SiC、GaN材料大直徑、低應(yīng)力和低位錯(cuò)缺陷等關(guān)鍵技術(shù)，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC襯底單晶材料產(chǎn)業(yè)化能力。突破超硬晶體材料切割和拋光等關(guān)鍵核心技術(shù)，提升4-8英寸SiC、GaN襯底材料精密加工能力。加大對(duì)薄膜材料外延生長(zhǎng)技術(shù)的支持力度，補(bǔ)足第三代半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)環(huán)節(jié)。推動(dòng)Ga2O3等新一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。2、提升器件設(shè)計(jì)和制造能力搭建第三代半導(dǎo)體研發(fā)、仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料的功率、射頻、以及微型發(fā)光器件及芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)，圍繞SiC功率器件的新能源汽車(chē)應(yīng)用和GaN功率器件的消費(fèi)類(lèi)快充及工業(yè)類(lèi)電源市場(chǎng)，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作以及成果轉(zhuǎn)化，引導(dǎo)器件設(shè)計(jì)企業(yè)上規(guī)模、上水平。推進(jìn)基于GaN、SiC的垂直型肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、大功率絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微型發(fā)光二極管（Micro-LED）、高端傳感器、以及激光器等器件和模塊的研發(fā)制造，支持科研院所微納加工平臺(tái)建設(shè)。大力推動(dòng)晶圓生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目，優(yōu)先發(fā)展特色工藝制程器件制造，在關(guān)鍵電力電子器件方面形成系列產(chǎn)品，綜合性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。3、提升封測(cè)技術(shù)和供給能力重點(diǎn)開(kāi)發(fā)基于第三代半導(dǎo)體的功率和電源管理芯片的封裝材料，解決高功率、高密度大芯片的封裝可靠性技術(shù)問(wèn)題，積極引進(jìn)先進(jìn)封測(cè)生產(chǎn)線和技術(shù)研發(fā)中心，推動(dòng)高端封裝測(cè)試工藝技術(shù)裝備的研制和生產(chǎn)效率的提升，提高產(chǎn)業(yè)鏈配套能力。4、提升關(guān)鍵裝備支撐能力布局生長(zhǎng)、切片、拋光、外延等核心技術(shù)裝備，突破核心共性關(guān)鍵技術(shù)，通過(guò)關(guān)鍵設(shè)備牽引，實(shí)現(xiàn)分段工藝局部成套。突破SiC晶體可控生長(zhǎng)環(huán)境精準(zhǔn)檢測(cè)與控制技術(shù)、基于大數(shù)據(jù)分析的數(shù)字孿生及人工智能模擬技術(shù)，研制SiC單晶智能化生長(zhǎng)裝備并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。提升清洗、研磨、切割等設(shè)備的生產(chǎn)能力以及設(shè)備的精度和穩(wěn)定性。推動(dòng)下游應(yīng)用，拓寬產(chǎn)業(yè)發(fā)展渠道1、搶抓市場(chǎng)機(jī)會(huì)，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化面向第三代半導(dǎo)體器件在充電樁、電動(dòng)汽車(chē)、家電等應(yīng)用領(lǐng)域，提升芯片及模塊在電氣性能、散熱設(shè)計(jì)、可靠性、封裝材料等方面的性能，突破關(guān)鍵技術(shù)難題，掃清產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴(kuò)大的技術(shù)壁壘，加快實(shí)現(xiàn)模塊量產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，擴(kuò)大應(yīng)用規(guī)模，形成產(chǎn)業(yè)集聚，打造模組開(kāi)發(fā)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的新高地。2、加快國(guó)產(chǎn)化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用推廣圍繞半導(dǎo)體照明、激光器、電力電子器件、高頻寬帶等具有市場(chǎng)潛力的領(lǐng)域，組織開(kāi)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用試點(diǎn)示范，加快市場(chǎng)滲透，提升國(guó)產(chǎn)化率，推動(dòng)上中游產(chǎn)品在下游應(yīng)用的快速驗(yàn)證，形成以用興業(yè)的良性循環(huán)。優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，打造良好發(fā)展生態(tài)1、建設(shè)公共技術(shù)平臺(tái)整合省內(nèi)優(yōu)勢(shì)中堅(jiān)力量，謀劃建設(shè)第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)研究公共技術(shù)平臺(tái)，搭建國(guó)際先進(jìn)的涵蓋第三代半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)技術(shù)、器件物理研究、微納器件設(shè)計(jì)與加工技術(shù)、芯片封裝與測(cè)試等核心技術(shù)實(shí)體研發(fā)創(chuàng)新中心，提升研發(fā)水平和效率。建設(shè)國(guó)際先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體研發(fā)、檢測(cè)和服務(wù)公共平臺(tái)，開(kāi)展芯片和器件關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，研發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新材料、新工藝、新器件。深入開(kāi)展核心關(guān)鍵技術(shù)研究、應(yīng)用驗(yàn)證、測(cè)試等，引入高溫離子注入系統(tǒng)、化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)、等離子刻蝕機(jī)等關(guān)鍵工藝設(shè)備，以及大型分析檢測(cè)測(cè)試設(shè)備，為產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展提供服務(wù)支撐。2、搭建成果轉(zhuǎn)化平臺(tái)聚焦第三代半導(dǎo)體單晶材料生長(zhǎng)技術(shù)，器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)，封裝與測(cè)試技術(shù)等領(lǐng)域，加快推進(jìn)高校及研究院所科技成果與產(chǎn)業(yè)的對(duì)接，以共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室等形式落實(shí)成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，并加速推動(dòng)成果產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，實(shí)現(xiàn)我省在第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)領(lǐng)域的彎道超車(chē)。3、發(fā)展產(chǎn)業(yè)孵化平臺(tái)支持