微電子制造概論中期測(cè)試參考答案名詞解釋請(qǐng)寫出以下英語(yǔ)縮寫在本專業(yè)中的一般性意義，并簡(jiǎn)要解釋其涵義CD關(guān)鍵尺寸，是芯片特征尺寸中最小的工藝尺寸。CVDCVD，是ChemicalVaporDeposition（化學(xué)氣相沉積）的縮寫，是利用化學(xué)反應(yīng)方式，在反應(yīng)室內(nèi)讓反應(yīng)物（通常為氣態(tài)）反應(yīng)生成固態(tài)生成物，并沉積在晶片表面的一種薄膜沉積技術(shù)PVD物理氣相淀積，PVD(PhysicalVaporDeposition)，指利用物理過(guò)程實(shí)現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移，將原子或分子由源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過(guò)程。QFP四方型扁平式封裝技術(shù)（PlasticQuadFlatPackage），該技術(shù)實(shí)現(xiàn)的CPU芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路采用這種封裝形式CMPChemicalMechanicalPlanarization,化學(xué)機(jī)械平坦化，是一種芯片制造工藝，用于采用化學(xué)腐蝕然后用機(jī)械摩擦的方法來(lái)進(jìn)行表面拋光。填空目前采用最多的單晶硅生長(zhǎng)方法是：CZ法半導(dǎo)體硅中的載流子包括電子，空穴光刻膠的種類有正膠，負(fù)膠以下電子元件的封裝形式BGAPGACMOS表示互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體簡(jiǎn)答用能帶論簡(jiǎn)述導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體的區(qū)別從能帶的角度看，導(dǎo)體中自由電子大多集中在導(dǎo)帶，因此，在外接電場(chǎng)下，可以直接導(dǎo)電；絕緣體中的外層電子基本積聚在價(jià)帶，不參與導(dǎo)電；半導(dǎo)體與絕緣體相同，外層電子基本積聚在價(jià)帶，絕對(duì)溫度為0時(shí)，不參與導(dǎo)電，但與絕緣體不同的是，其禁帶寬度較小，所以價(jià)帶中的電子獲得較低能量就可以有一部分躍遷到導(dǎo)帶參與導(dǎo)電，所以半導(dǎo)體呈現(xiàn)介于導(dǎo)體與絕緣體之間的導(dǎo)電特性。分析NPN型三極管能夠產(chǎn)生電流放大效應(yīng)的原理在制造三極管時(shí)，有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子），基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地穿越過(guò)發(fā)射結(jié)向反方向擴(kuò)散，但因前者的濃度大于后者，所以通過(guò)發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流Ie。由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過(guò)集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合，被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補(bǔ)給，從而形成了基極電流Ibo。根據(jù)電流連續(xù)性原理得：Ie=Ib+Ic這就是說(shuō)，在基極補(bǔ)充一個(gè)很小的Ib，就可以在集電極上得到一個(gè)較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關(guān)系簡(jiǎn)述半導(dǎo)體制造工藝中的離子注入相比擴(kuò)散的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：[a]、注入離子純度高[b]、注入劑量范圍寬，精確可控[c]、低溫注入[d]、注入深度精確可控。缺點(diǎn)：[a]、成本高[b]、會(huì)造成晶圓襯底損傷芯片制造中氧化工藝有哪些主要的方法？它們的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？目前應(yīng)用最廣的是哪種？主要有：干氧氧化，水汽氧化，濕氧氧化，干-濕-干氧化等干氧氧化：Si+O2=SiO2,優(yōu)點(diǎn)：生成薄膜質(zhì)量好，缺點(diǎn)：速度慢水汽氧化：Si+H2O=SiO2+H2,優(yōu)點(diǎn)：速度快，缺點(diǎn)：薄膜質(zhì)量不高濕氧氧化：O2通過(guò)高純水再與Si氧化，膜質(zhì)量在上述兩者之間，速度較快，缺點(diǎn)是質(zhì)量仍然不如純O2氧化。應(yīng)用最廣是干-濕-干氧化計(jì)算分析用a,b,c三個(gè)按鈕控制電動(dòng)機(jī)，a按鈕控制電機(jī)正轉(zhuǎn)，b按鈕控制電機(jī)反轉(zhuǎn)，c按鈕則停止轉(zhuǎn)動(dòng)。寫出真值表，邏輯關(guān)系式，邏輯圖，cmos門電路圖和時(shí)序圖。真值表輸入狀態(tài)輸出狀態(tài)ABC正轉(zhuǎn)Y0反轉(zhuǎn)Y1停止Y21001001010011100