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文檔簡介

preparation(硅片準備)

(硅片制造)

(硅片測試和揀選)

(裝配和封裝)

test(終測)

不同晶向的硅片，它的化學、電學、和機械性質都不同，這會影響最終的器

雙極集成電路通常用（111）晶面或<111>晶向。

氧化方式及其化學反應式：①干氧氧化：Si＋O2

硅的氧化溫度：750

Na＋、K＋離子，來源于工藝中的化學試劑、器皿和各

As）。

④硅片晶向：<111>硅單晶的氧化速率比<100>稍快

通常的退火溫度：＞950℃，時間：30

RTP，在較短的時間（10

注入；⑨超淺結注入；⑩絕緣體上的硅（SOI）中的氧注入。

④輕摻雜漏區(qū)（LDD）注入：減小最大電場，增強抗擊穿和熱載流子能力。

數(shù)值孔徑（NA）

sin

透鏡半徑m 透鏡焦長

分辨率（R）

0.6～0.8；λ為光源的波長；NA

焦深（DOF）

0.1%，因而需要較多的氣體以產(chǎn)生足

系統(tǒng)（APCVD）體）。

系統(tǒng)（LPCVD）

Poly－Si

Poly－Si

Poly－Si

Poly－Si

多晶電阻及橋聯(lián)；③PIP

Al）更高的可靠性；⑤在陡峭的結構上沉

缺點：濺射速率低,

在純鋁和硅的界面加熱合金化過程中（450～500℃）

TiSi2、CoSi2

Polish）是通過化學反應和機械研磨相結合的方法對表面起伏的硅

3.0μm

阱區(qū)→N

隔離工藝:墊氧氧化→氮化硅沉積→光刻有源區(qū)→光刻

管源漏區(qū)→NMOS

管源漏區(qū)→PMOS

⑤金屬互連的形成：BPSG

沉積→回流/增密→光刻接觸孔→濺射

0.18μm

工藝；⑤側墻形成工藝；⑥源/漏（S/D）注入工藝；⑦接觸形成工藝

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