標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 12967.5-1991 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《鋁及鋁合金陽極氧化 用變形法評(píng)定陽極氧化膜的抗破裂性》。這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了通過變形試驗(yàn)來評(píng)估鋁及鋁合金表面陽極氧化膜抵抗裂紋或破裂能力的方法和要求。具體來說，它涵蓋了以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：

  1. 適用范圍：本標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)價(jià)經(jīng)過陽極氧化處理后，鋁及鋁合金表面所形成的氧化膜在受外力作用下的抗裂性能。這種評(píng)價(jià)對(duì)于確保材料在使用過程中保持良好的防護(hù)性能尤為重要，特別是在需要承受機(jī)械形變或壓力的應(yīng)用場景中。

  2. 試驗(yàn)原理：采用變形法進(jìn)行測試，即通過對(duì)已陽極氧化處理的試樣施加一定的機(jī)械變形（如彎曲、拉伸等），觀察并記錄氧化膜在變形過程中的裂紋產(chǎn)生情況及程度。這種方法能夠直觀反映出氧化膜與基體材料之間的結(jié)合強(qiáng)度以及氧化膜本身的韌性。

  3. 試樣制備：標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)說明了試樣的選取、尺寸、加工方法及表面處理要求，確保所有測試基于統(tǒng)一的基礎(chǔ)條件，以保證測試結(jié)果的可比性和重復(fù)性。

  4. 試驗(yàn)步驟：包括具體的加載方式、變形速率、變形量的控制以及在變形過程中如何觀察和記錄氧化膜的變化情況。這些步驟確保了測試過程的標(biāo)準(zhǔn)化和規(guī)范化。

  5. 評(píng)估指標(biāo)：定義了如何根據(jù)試樣變形后的表面狀態(tài)（如裂紋長度、數(shù)量、形態(tài)等）來量化氧化膜的抗破裂性能，可能包括評(píng)級(jí)系統(tǒng)或量化指標(biāo)，以便于不同樣品間結(jié)果的比較。

  6. 結(jié)果判定與報(bào)告：標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了如何根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)氧化膜的抗破裂性能進(jìn)行判定，并要求詳細(xì)的試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包含所有必要的測試參數(shù)、觀察結(jié)果及結(jié)論，以便于用戶理解和應(yīng)用測試結(jié)果。


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  • 1991-06-04 頒布
  • 1992-03-01 實(shí)施
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GB/T 12967.5-1991鋁及鋁合金陽極氧化用變形法評(píng)定陽極氧化膜的抗破裂性_第1頁
GB/T 12967.5-1991鋁及鋁合金陽極氧化用變形法評(píng)定陽極氧化膜的抗破裂性_第2頁
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GB/T 12967.5-1991鋁及鋁合金陽極氧化用變形法評(píng)定陽極氧化膜的抗破裂性-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

UDC669.716.9：620H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12967.5-91鋁及鋁合金陽極氧化用變形法評(píng)定陽極氧化膜的抗破裂性Anodizingofaluminiumandaluminiumalloys-Assessmentofresistanceofanodicoxidecoatingstocrackingbydeformation1991-06-04發(fā)布1992-03-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)鋁及鋁合金陽極氧化用變形法GB/T12967.5-91評(píng)定陽極氧化膜的抗破裂性Anodizingofaluminiumandaluminiumalloys-Assessmentofresistanceofanodicoxidecoatingstocrackingbydeformation本標(biāo)準(zhǔn)等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)ISO3211-一1977《鋁及鋁合金陽極氧化用形變法評(píng)定陽極氧化膜的抗破裂性》。1主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了通過變形檢驗(yàn)陽極氧化膜的抗破裂性能的經(jīng)驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)主要適用于板材表面厚度小于54m的薄陽極氧化膜的檢驗(yàn)、2方法原理試樣在一個(gè)具有一定螺線的簡單裝置上進(jìn)行彎曲。該裝置應(yīng)具有一定的曲率半徑并帶有刻度值測定試樣在彎曲過程中其氧化膜顯示破裂時(shí)最大曲率半徑值，用該值計(jì)算出試樣的百分彎曲率。3裝置檢驗(yàn)裝置如下圖所示、國

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