標準解讀
《GB/T 14030-1992 半導體集成電路時基電路測試方法的基本原理》作為一項國家標準,規(guī)定了半導體集成電路時基電路的測試原則、方法及要求,旨在確保時基電路產(chǎn)品的性能和質量。然而,您提供的對比參照物不完整,無法直接進行詳細的變更對比分析。通常,當對比兩個標準或版本時,會關注以下幾個方面來識別變更內容:
- 測試方法和技術更新:新標準可能會引入更先進的測試技術或方法,以適應技術進步和產(chǎn)品發(fā)展的需求,提高測試精度和效率。
- 參數(shù)指標調整:隨著應用要求的提升,標準可能會對時基電路的關鍵性能指標(如穩(wěn)定度、頻率準確度、溫度系數(shù)等)提出更嚴格的要求。
- 兼容性與互操作性:新標準可能會增加關于與其他電子元件或系統(tǒng)兼容性測試的相關規(guī)定,以確保時基電路在復雜系統(tǒng)中的有效運作。
- 安全與環(huán)境要求:考慮到環(huán)境保護和用戶安全,新標準可能會加入更多關于材料、制造過程以及產(chǎn)品廢棄處理的環(huán)保要求,以及電氣安全測試規(guī)范。
- 術語與定義更新:為了與國際標準接軌或反映行業(yè)最新共識,標準中的專業(yè)術語和定義可能會有所更新或增補。
- 測試設備與校準要求:隨著測量技術的發(fā)展,可能會對測試所用的儀器設備及其校準方法提出新的要求,以保證測試結果的可靠性。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1992-12-18 頒布
- 1993-08-01 實施
文檔簡介
UDC621.382:681.11L55中華人民共和國國家標準GB/T14030-92半導體集成電路時基電路測試方法的基本原理Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits1992-12-18發(fā)布1993-08-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標準半導體集成電路時基電路測試方法的基本原理GB/T14030-92Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits本標準規(guī)定了半導體集成電路時基電路(以下簡稱器件或時基電路)電參數(shù)測試方法的基本原理時基電路與CMOS電路相同的靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)測試可參照GB3834《半導體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理》。總的要求若無特殊說明,測試期間,環(huán)境或參考點溫度偏離規(guī)定值的范圍應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定12測試期間,施于被測器件的電參量應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。1.3測試期間,應避免外界干擾對測試精度的影響。測試設備引起的測試誤差應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。1.4被測器件與測試系統(tǒng)連接或斷開時,不應超過器件的使用極限條件。1.5若有要求時,應按器件詳細規(guī)范規(guī)定的順序接通電源,1.6測試期間,被測器件應連接器件詳細規(guī)范規(guī)定的外圍電路和補償網(wǎng)絡。17若電參數(shù)值是由幾步測試的結果經(jīng)計算而確定時,這些測試的時間間隔應盡可能短。1.8本標準的參數(shù)定義按如下規(guī)定的真值表給出,如被測器件與本規(guī)定不符合時,可對測試電路進行相應的調整。復位路引出端名稱閔值端觸發(fā)端輸出端引出端符號RESTHTROUT規(guī)范+HH表中:L為低電平,H為高電平,X為任意電平。2參數(shù)測試2.1復位電壓Va2.1.1目的在器件輸出電壓為低電平時,測試復位端施加的臨界輸入電壓2.1.2測試原理
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