標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技術(shù) 微鍵合區(qū)剪切和拉壓強(qiáng)度檢測方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對硅基微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）中的微鍵合區(qū)域的機(jī)械性能測試提供了具體的方法指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了如何通過實(shí)驗(yàn)手段來評估這些微小結(jié)構(gòu)在受到剪切力或壓力作用時的抗破壞能力，從而幫助研究者與工程師更好地理解材料及工藝對最終產(chǎn)品可靠性的影響。

標(biāo)準(zhǔn)首先明確了適用范圍，指出其適用于各類采用不同鍵合技術(shù)（如陽極鍵合、共晶鍵合等）形成的硅基MEMS器件中微鍵合區(qū)的強(qiáng)度測試。接著，它描述了一系列關(guān)鍵術(shù)語及其定義，確保所有讀者對于文中提到的專業(yè)詞匯有一致的理解基礎(chǔ)。

接下來的部分重點(diǎn)介紹了進(jìn)行剪切強(qiáng)度測試的具體步驟，包括樣品準(zhǔn)備、夾具設(shè)計(jì)、加載方式以及數(shù)據(jù)記錄等方面的要求。此外，還特別強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)過程中需要注意的安全事項(xiàng)和技術(shù)細(xì)節(jié)，比如控制加載速率以保證結(jié)果的有效性和可重復(fù)性。

對于拉壓強(qiáng)度測試，《GB/T 28277-2012》同樣給出了詳細(xì)的指導(dǎo)原則。這部分內(nèi)容涵蓋了從試樣選擇到最終數(shù)據(jù)分析的全過程，旨在提供一套標(biāo)準(zhǔn)化的操作流程，以便于不同實(shí)驗(yàn)室之間能夠相互比較研究成果。

整個文檔還包括了一些輔助信息，例如推薦使用的設(shè)備規(guī)格參數(shù)、可能影響測試結(jié)果的因素分析等，這些都是為了進(jìn)一步提高測試精度而設(shè)。通過遵循此標(biāo)準(zhǔn)所提出的方法論，研究人員可以獲得更加準(zhǔn)確可靠的關(guān)于硅基MEMS微鍵合區(qū)力學(xué)性能的數(shù)據(jù)，這對于推動相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)新材料開發(fā)及生產(chǎn)工藝優(yōu)化具有重要意義。


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....

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  • 2012-05-11 頒布
  • 2012-12-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T28277—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

微鍵合區(qū)剪切和拉壓強(qiáng)度檢測方法

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Measurementmethodofcuttingandpull-pressstrengthofmicrobondingarea

2012-05-11發(fā)布2012-12-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T28277—2012

目次

前言…………………………

Ⅲ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

要求………………………

42

檢測結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求………………

4.12

檢測結(jié)構(gòu)制備要求…………………

4.24

檢測環(huán)境要求………………………

4.34

檢測方法…………………

55

總則…………………

5.15

拉壓式微結(jié)構(gòu)鍵合強(qiáng)度檢測………………………

5.25

剪切式微結(jié)構(gòu)鍵合強(qiáng)度檢測………………………

5.36

附錄資料性附錄拉壓式檢測結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)尺寸和斷裂強(qiáng)度對應(yīng)表…………………

A()8

附錄資料性附錄拉壓式檢測結(jié)構(gòu)測試實(shí)例………

B()16

Ⅰ

GB/T28277—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心中國電子科技集團(tuán)第十三研究所中國科學(xué)院上

:、、、

海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所中國電子科技集團(tuán)第四十九研究所

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張大成王瑋劉偉楊芳姜森林崔波熊斌田雷

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T28277—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

微鍵合區(qū)剪切和拉壓強(qiáng)度檢測方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅基加工過程中所涉及的微小鍵合區(qū)域鍵合強(qiáng)度檢測的要求和試驗(yàn)方法

MEMS。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用微電子工藝及相關(guān)微細(xì)加工技術(shù)制造的微小鍵合區(qū)的剪切和拉壓強(qiáng)度測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語和定義

GB/T26111—2010(MEMS)

測量管理體系測量過程和測量設(shè)備的要求

GB/T19022—2003

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111—2010GB/T19022—2003。

31

.

體微加工工藝bulkmicromachining

通過選擇性去除部分基底材料實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)的微機(jī)械加工方法

。

注體微機(jī)械工藝是通過化學(xué)方法刻蝕去除基底不需要部分的加工方法通過使用或掩模可以保護(hù)表

:。SiO2Si3N4

面不被刻蝕硼摻雜層也可以停止表面層以下部分的刻蝕

。。

定義

[GB/T26111—2010,3.5.16]

32

.

干法刻蝕dryetching

利用可產(chǎn)生物理和或化學(xué)反應(yīng)的氣體或等離子體進(jìn)行刻蝕的技術(shù)

/。

注電子能量所產(chǎn)生的可反應(yīng)氣體與襯底反應(yīng)并移除材料形成所需的形狀或尺寸干法刻蝕可分為利用化學(xué)反

:,。

應(yīng)的各向同性腐蝕等離子刻蝕和利用物理反應(yīng)的直接刻蝕離子刻蝕

()()。

定義

[GB/T26111—2010,3.5.18]

33

.

濕法刻蝕wetetching

利用與待刻材料可產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的溶液對薄膜或器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行腐

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