標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 36655-2018《電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體二氧化硅含量的測試方法 XRD法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，專門用于測定電子封裝材料中的球形二氧化硅微粉里α態(tài)晶體二氧化硅（即石英）的具體含量。該標(biāo)準(zhǔn)采用X射線衍射(XRD)技術(shù)作為主要檢測手段。

根據(jù)這項標(biāo)準(zhǔn)，首先需要準(zhǔn)備樣品，確保其具有代表性，并按照規(guī)定的方法進(jìn)行預(yù)處理，比如研磨至適合XRD分析的狀態(tài)。接著，利用XRD儀器對處理后的樣品進(jìn)行掃描，獲取其衍射圖譜。通過與已知標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的XRD圖譜對比或采用定量相分析軟件計算，可以確定樣品中α態(tài)晶體二氧化硅相對于總二氧化硅的比例。此過程中，需注意控制實驗條件如溫度、濕度等，以保證結(jié)果的準(zhǔn)確性。

此外，該文件還詳細(xì)描述了如何校正背景散射、選擇合適的衍射峰來進(jìn)行定性定量分析等內(nèi)容。對于數(shù)據(jù)處理部分，則給出了具體的計算公式和步驟，幫助實驗室工作人員準(zhǔn)確地從原始數(shù)據(jù)中提取出目標(biāo)信息。最后，標(biāo)準(zhǔn)還提出了質(zhì)量控制要求，包括重復(fù)性和再現(xiàn)性的評估方法，以確保不同實驗室之間以及同一實驗室內(nèi)部所得結(jié)果的一致性和可靠性。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于所有涉及電子封裝領(lǐng)域的企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)及相關(guān)檢測單位，在實際應(yīng)用中為提高產(chǎn)品質(zhì)量提供了科學(xué)依據(jù)和技術(shù)支持。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2018-09-17 頒布
  • 2019-01-01 實施
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GB/T 36655-2018電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體二氧化硅含量的測試方法XRD法_第1頁
GB/T 36655-2018電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體二氧化硅含量的測試方法XRD法_第2頁
GB/T 36655-2018電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體二氧化硅含量的測試方法XRD法_第3頁
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GB/T 36655-2018電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體二氧化硅含量的測試方法XRD法-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS31030

L90.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36655—2018

電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體

二氧化硅含量的測試方法XRD法

Testmethodforalphacrystallinesilicondioxidecontentofsphericalsilica

powderforelectronicpackaging—XRDmethod

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T36655—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位國家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心江蘇聯(lián)瑞新材料股份有限公司漢高

:、、

華威電子有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人封麗娟李冰陳進(jìn)夏永生曹家凱呂福發(fā)阮建軍王松憲

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36655—2018

電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體

二氧化硅含量的測試方法XRD法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體二氧化硅含量的測試方法

XRD。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子封裝用球形二氧化硅微粉中檢測α態(tài)晶體二氧化硅含量其他無定形二氧化硅

,

含量的檢測也可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行α態(tài)晶體二氧化硅含量測試范圍以下半定量分析

。0.5%,0.5%~5%

定量分析

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

轉(zhuǎn)靶多晶體射線衍射方法通則

JY/T009X

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

電子封裝用球形二氧化硅微粉sphericalsilicapowderforelectronicpackaging

采用火焰成球法高溫熔融噴射法或等離子體法制備應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域的球形二氧化硅微粉

、,。

4方法原理

晶體二氧化硅和無定形二氧化硅在特征射線照射下各自具有特有的射線散射花樣晶體二氧

XX,

化硅的散射強(qiáng)度與其含量成比例

。

5儀器設(shè)備和管理樣品

51儀器設(shè)備

.

511多晶X射線衍射儀

..

帶微機(jī)銅靶狹縫濾波片并有階梯掃描方式功能

、、、。

512分析天平

..

感量為

0.1mg。

52管理樣品

.

521晶體二氧化硅微粉

..

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