ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37213—2018

硅晶錠尺寸的測(cè)定激光法

Testmethodforsiliconbrickdimension—Lasertechnologymethod

2018-12-28發(fā)布2019-11-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T37213—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司山東大海新能

:、、

源發(fā)展有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人宮龍飛金善明林清香夏根平唐珊珊劉坤

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T37213—2018

硅晶錠尺寸的測(cè)定激光法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用激光法非接觸式測(cè)量方形硅晶錠尺寸的方法包括對(duì)角線倒角垂直度邊長(zhǎng)和

,、、、

長(zhǎng)度

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體及光伏領(lǐng)域硅單晶棒或多晶硅鑄錠切割成的方形硅晶錠尺寸的測(cè)量

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

太陽能電池用硅單晶

GB/T25076

太陽能級(jí)鑄造多晶硅塊

GB/T29054

3術(shù)語和定義

和界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264、GB/T25076GB/T29054。

4方法原理

采用激光技術(shù)構(gòu)架一個(gè)尺寸測(cè)量系統(tǒng)用激光光源作為入射光照射硅晶錠通過激光探頭接收激

,。

光反射信號(hào)形成激光脈沖波形圖并將數(shù)據(jù)反饋至計(jì)算機(jī)軟件處理控制系統(tǒng)通過計(jì)算機(jī)軟件處理控

,,。

制系統(tǒng)對(duì)硅晶錠對(duì)角線倒角垂直度邊長(zhǎng)長(zhǎng)度參數(shù)進(jìn)行模擬與計(jì)算從而得出硅晶錠的尺寸參數(shù)

、、、、,。

硅晶錠對(duì)角線倒角垂直度參數(shù)由激光測(cè)量組件測(cè)量如圖所示硅晶錠邊長(zhǎng)長(zhǎng)度

、、A、B、C、D,1。、

參數(shù)由激光測(cè)量組件測(cè)量如圖所示測(cè)量硅晶錠長(zhǎng)度時(shí)硅晶錠垂直于激光測(cè)量組件平

P、L、Q、R,2。,

面運(yùn)動(dòng)當(dāng)硅晶錠第一端面通過激光測(cè)量組件平面時(shí)記錄四個(gè)側(cè)面的初始位置當(dāng)硅晶錠第二端面通

,,,

過激光測(cè)量組件平面時(shí)記錄四個(gè)側(cè)面的終止位置進(jìn)而確定硅晶錠長(zhǎng)度

,,。

說明

:

激光測(cè)量組件

A、B、C、D———。