標(biāo)準(zhǔn)解讀
《YS/T 819-2012 電子薄膜用高純銅濺射靶材》是一項(xiàng)針對用于電子薄膜制造過程中的高純度銅濺射靶材的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了此類材料的化學(xué)成分、物理性能以及尺寸精度等方面的要求,旨在確保產(chǎn)品質(zhì)量符合電子工業(yè)對高性能、高可靠性的需求。
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容,對于高純銅濺射靶材而言,其主要化學(xué)成分為銅(Cu),同時對雜質(zhì)元素如鉛(Pb)、錫(Sn)、鋅(Zn)等含量有嚴(yán)格限制,以保證材料的高純度。此外,還明確了不同牌號高純銅濺射靶材的具體技術(shù)指標(biāo),包括但不限于密度、硬度、電阻率等物理性質(zhì)參數(shù),這些參數(shù)直接影響到最終形成的薄膜質(zhì)量和特性。
在外觀質(zhì)量方面,《YS/T 819-2012》也做了相應(yīng)要求,指出產(chǎn)品表面應(yīng)無明顯缺陷,如裂紋、氣孔等,并且需要保持良好的平整度和光滑度。對于尺寸規(guī)格,則根據(jù)不同應(yīng)用場景給出了具體的公差范圍,確保能夠滿足實(shí)際使用時的裝配要求。
該標(biāo)準(zhǔn)適用于各類采用物理氣相沉積法(PVD)制備電子薄膜過程中所使用的高純銅濺射靶材,不僅為生產(chǎn)廠家提供了明確的質(zhì)量控制依據(jù),也為用戶選擇合適的產(chǎn)品提供了參考。通過遵循這一標(biāo)準(zhǔn),可以有效促進(jìn)我國電子薄膜產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2012-11-07 頒布
- 2013-03-01 實(shí)施
文檔簡介
ICS7715030
H62..
中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
YS/T819—2012
電子薄膜用高純銅濺射靶材
High-puritysputteringcoppertargetusedinelectronicfilm
2012-11-07發(fā)布2013-03-01實(shí)施
中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布
YS/T819—2012
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC243)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位寧波江豐電子材料有限公司有研億金新材料股份有限公司
:、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王學(xué)澤宋佳高巖尚再燕趙永善袁潔熊曉東
:、、、、、、。
Ⅰ
YS/T819—2012
電子薄膜用高純銅濺射靶材
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子薄膜用高純銅濺射靶材的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)
、、、、、、
量證明書及合同或訂貨單內(nèi)容
()。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子薄膜制造用的各類高純銅濺射靶材以下簡稱高純銅靶
()。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則
GB/T14265、、、
變形金屬超聲檢驗(yàn)方法
GJB1580A
銅及銅合金平均晶粒度測定方法
YS/T347
濺射靶材背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢測方法
YS/T837-
3要求
31產(chǎn)品分類
.
高純銅靶分類按照應(yīng)用背景分為半導(dǎo)體布線用高純銅靶半導(dǎo)體封裝用高純銅靶平板顯示器用
:、、
高純銅靶和太陽能電池用高純銅靶
。
32成分要求
.
根據(jù)高純銅濺射靶材的用途電子薄膜用高純銅濺射靶材的成分及雜質(zhì)元素要求應(yīng)符合表規(guī)定
,1。
表1高純銅靶材化學(xué)成分表
牌號
4N4N55N6N
含量
Cu/%
不小于99.9999.99599.99999.9999
Ag—2550.3
Al——0.50.1
As2050.50.02
雜質(zhì)含量-6
/10,
不大于Bi20110.02
Ca——0.50.02
Cd—10.1—
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