晶圓的反面研磨工藝會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力并傳導(dǎo)到晶圓本體上導(dǎo)致晶圓變脆。這種晶圓變脆的效應(yīng)可以用等離子應(yīng)力去除工藝來(lái)去除。反面研磨帶在減薄工藝〔725μm75μm〕時(shí)用以保護(hù)晶圓高活性的一面。之后，用遠(yuǎn)程等離子對(duì)3μm70°C例如30μm50μm3D4刀片切割就是用機(jī)械的方式對(duì)晶圓進(jìn)展切割1:使用一般磨粒的磨輪刀片(#2023)2:使用微細(xì)磨粒的磨輪刀片(#4800)1、21:使用一般磨粒的磨輪刀片(#2023)2:使用微細(xì)磨粒的磨輪刀片(#4800)(Low-k)膜及銅質(zhì)材料，由于難以使用一般的金剛石磨輪刀片進(jìn)展切割加工，所以有時(shí)無(wú)法到達(dá)電子元件廠家所要求的加工標(biāo)準(zhǔn)。為此，迪思科公司的工程師開(kāi)發(fā)了可解決這種問(wèn)題的加工應(yīng)用技術(shù)。激光開(kāi)槽加工工藝2全切割加工。通過(guò)承受該項(xiàng)加工工藝，能夠提高生產(chǎn)效率，削減甚至解決因崩裂、分層(薄膜剝離)等不良因素造成的加工質(zhì)量問(wèn)題。例如π象。激光切割加工質(zhì)量DFL7160將短脈沖激光聚焦到晶片外表后進(jìn)展照耀。激光脈沖被Low-k膜連續(xù)吸取，當(dāng)會(huì)消耗掉晶片的熱能，所以可以進(jìn)展熱影響極少的加工。設(shè)備DEL7160上承受了非發(fā)熱加工方式即短Low-kLCD屏和圖形化用戶(hù)界面(GUI)，使操作更為便利。激光全切割工藝1膠帶實(shí)現(xiàn)晶片全切割的切割方法。由于激光全切割可以加快進(jìn)給速度，從而可以提高生產(chǎn)效率。加工實(shí)例GaAs片切割的進(jìn)給速度。假設(shè)利用激光全切割技術(shù)，加工進(jìn)給速度可以到達(dá)磨輪刀片切割10工晶片的不同會(huì)有所差異。)1◆薄型化硅晶片的全切割加工隨著晶片的薄型化，切割時(shí)的崩裂和裂縫對(duì)芯片強(qiáng)度的影響也越來(lái)越大，切割的難度DAF(DieAttachFilmDAF抑制毛邊等現(xiàn)象發(fā)生的高質(zhì)量切割，也成為一個(gè)重要的課題。UPHDAFDAFDBG＋DAFDBG(DicingBeforeGrinding)*1工藝?yán)醚邢鱽?lái)分割芯片，故能夠降低反面崩裂，并能因此提高芯片抗折強(qiáng)度。另外，由于是在研削完畢階段分割成芯片，所以有望在加工薄形芯片時(shí)減小晶片破損的風(fēng)險(xiǎn)。今后如能在這種DBG工藝中承受DAF(DieAttachinPackage〕等薄型芯片的疊層封裝制造方面DBGDAFDBG(DicingBeforeGrinding):這種技術(shù)將傳統(tǒng)的“反面研削→晶片切斷”的工藝倒過(guò)來(lái)，先將晶片半切割，然后利用反面研削進(jìn)展芯片分割。DAF(DieAttachFilm):這是一種薄膜狀的接合材料，用于薄型芯片疊層等。DBGDAF進(jìn)展全切割。晶片已經(jīng)分別成了芯片，所以就可以從芯片間照耀激光，只將DAFDAF1DAF承受激光切割技術(shù)可以抑制承受磨輪刀片切割DAF時(shí)產(chǎn)生的毛邊。1.SEMDAF〔70μmSi+20μmDAF〕2、能夠進(jìn)展高速切割，提高生產(chǎn)效率與磨輪刀片切割相比，可以提高DAF全自動(dòng)切割時(shí)的加工速度。加工實(shí)例： 加工進(jìn)給速度100mm/sec～300mm/sec，以1pass進(jìn)展DAF切割〔加工條件因DAF的種類(lèi)、DAF〕3、利用特別校準(zhǔn)，可以解決芯片錯(cuò)位問(wèn)題DBG錯(cuò)位