標準解讀

《GB/T 41765-2022 碳化硅單晶位錯密度的測試方法》是一項國家標準，旨在規(guī)范碳化硅單晶材料中位錯密度的測量方法。該標準適用于通過化學氣相沉積法生長的n型或p型4H-SiC和6H-SiC單晶片，以及采用其他工藝制備的同類產品。

根據標準內容，測試過程主要包括樣品準備、腐蝕處理、顯微鏡觀察與圖像分析幾個步驟。首先，在樣品準備階段，需確保待測樣品表面清潔且無損傷；接著進行特定條件下的腐蝕處理，以使位錯在材料表面形成可見的蝕坑；然后利用光學顯微鏡或掃描電子顯微鏡等設備對腐蝕后的樣品表面進行詳細觀察，并記錄下所有可見的蝕坑數量及其分布情況；最后，基于觀察到的數據計算出單位面積內的位錯數目，即為所求的位錯密度值。

此外，《GB/T 41765-2022》還規(guī)定了不同尺寸樣本的取樣要求及測試報告應包含的信息項目。對于不同規(guī)格的碳化硅單晶片，其最小檢測區(qū)域大小有所區(qū)別，但都必須保證能夠代表整個晶圓的質量狀況。同時，每份正式出具的測試報告至少需要包括樣品信息（如型號、批號）、實驗條件（如腐蝕液種類、濃度）、測試結果（位錯密度的具體數值）等內容。

此標準的制定有利于提高國內碳化硅單晶材料質量控制水平，促進相關產業(yè)健康發(fā)展。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2022-10-12 頒布
  • 2023-05-01 實施
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GB/T 41765-2022碳化硅單晶位錯密度的測試方法_第1頁
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文檔簡介

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T41765—2022

碳化硅單晶位錯密度的測試方法

Testmethodfordislocationdensityofmonocrystallinesiliconcarbide

2022-10-12發(fā)布2023-05-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T41765—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位北京天科合達半導體股份有限公司有色金屬技術經濟研究院有限責任公司

:、。

本文件主要起草人彭同華佘宗靜婁艷芳王大軍趙寧王波郭鈺楊建李素青

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T41765—2022

碳化硅單晶位錯密度的測試方法

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅單晶位錯密度的測試方法

。

本文件適用于晶面偏離面偏向方向的碳化硅單晶位錯密度的測試

{0001}、<1120>0°~8°。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體材料術語

GB/T14264

碳化硅單晶拋光片

GB/T30656

3術語和定義

和界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264GB/T30656。

31

.

螺位錯threadingscrewdislocationTSD

;

位錯線和伯格斯矢量平行的位錯

。

32

.

刃位錯threadingedgedislocationTED

;

位錯線和伯格斯矢量垂直的位錯

。

33

.

基平面位錯basalplanedislocationBPD

;

位錯線與伯格斯矢量均位于面內的位錯

{0001}。

4原理

采用擇優(yōu)化學腐蝕技術顯示碳化硅單晶中的位錯由于碳化硅單晶中位錯周圍的晶格發(fā)生畸變

。,

當用氫氧化鉀熔融液腐蝕碳化硅單晶表面時在碳化硅單晶表面的位錯露頭處腐蝕速度較快因而容

,,,

易形成由某些低指數面組成的具有特定形狀的腐蝕坑在顯微鏡下觀察碳化硅單晶硅面并按一定規(guī)則

。

統(tǒng)計這些具有特定形狀的腐蝕坑單位視場面積內的腐蝕坑個數即為位錯密度

,。

5干擾因素

51腐蝕過程中氫氧化鉀熔融液溫度和腐蝕時間會影響樣品的腐蝕效果對測試結果產生影響

.,。

52腐蝕過程中氫氧化鉀熔融液使用時長會影響樣品的腐蝕效果建議熔融液使用時長不超過

.

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