碳化硅單晶爐行業(yè)投資價(jià)值分析及發(fā)展前景預(yù)測半導(dǎo)體級晶體生長設(shè)備行業(yè)發(fā)展根據(jù)終端應(yīng)用領(lǐng)域不同，晶體生長設(shè)備主要分為兩類，即光伏領(lǐng)域和半導(dǎo)體領(lǐng)域的晶體生長設(shè)備，其中，光伏領(lǐng)域晶體生長設(shè)備的下游應(yīng)用行業(yè)為光伏硅片，主要用于制造電池片，被廣泛應(yīng)用于光伏電站、屋頂分布式光伏發(fā)電等；半導(dǎo)體領(lǐng)域晶體生長設(shè)備的下游應(yīng)用行業(yè)為硅片/碳化硅材料市場，主要用于制造芯片，應(yīng)用于通信、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域。半導(dǎo)體級硅片對晶體純度要求極高，為11N（99．999999999%），缺陷率控制要求為μm/nm級，金屬含量控制要求為痕量級（含量在百萬分之一以下的組分），氧含量控制要求為ppma級（百萬分比原子濃度），對于設(shè)備熱場溫度梯度設(shè)計(jì)、超導(dǎo)磁場磁力分布線設(shè)計(jì)、控制精度、運(yùn)動(dòng)精度等技術(shù)指標(biāo)具有極為嚴(yán)苛的要求。與半導(dǎo)體級材料及設(shè)備相比，光伏級硅片制造及對上游設(shè)備技術(shù)要求存在較大差距，晶體純度要求為6N（99．9999%），對于硅片缺陷率控制、設(shè)備設(shè)計(jì)及控制精度無特殊要求，設(shè)備構(gòu)成相對簡單，價(jià)格相對較低（約140萬元/臺(tái)），技術(shù)壁壘相對較低。光伏級硅片的市場規(guī)模較大，2021年，全球光伏級硅片市場規(guī)模約為2，100億元，遠(yuǎn)超半導(dǎo)體級硅片約126億美元和碳化硅器件約17億美元的市場規(guī)模，且國內(nèi)半導(dǎo)體級硅片廠商、碳化硅襯底廠商產(chǎn)出規(guī)模占全球市場份額均不足10%，故國內(nèi)光伏應(yīng)用領(lǐng)域的晶體生長設(shè)備廠商銷售規(guī)模較大（如晶盛機(jī)電、連城數(shù)控等）。根據(jù)材料屬性不同，半導(dǎo)體級晶體生長設(shè)備主要以硅片制備和化合物材料制備的晶體生長設(shè)備為主，其中，化合物材料主要以碳化硅為主。半導(dǎo)體硅片作為半導(dǎo)體材料中最主要的品類之一，為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展提供基礎(chǔ)支撐。硅材料因其具有單方向?qū)щ娞匦浴崦籼匦?、光電特性、摻雜特性等優(yōu)良性能，可以生長為大尺寸高純度晶體，且儲(chǔ)量豐富、價(jià)格低廉，故成為全球應(yīng)用最廣泛、最重要的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。得益于下游行業(yè)不斷發(fā)展，新型產(chǎn)業(yè)持續(xù)驅(qū)動(dòng)，未來全球半導(dǎo)體行業(yè)將繼續(xù)不斷發(fā)展，半導(dǎo)體硅片市場空間廣闊。此外，伴隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等行業(yè)的迅速發(fā)展，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子飽和速率及抗輻射能力的碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)入快速發(fā)展階段，市場前景廣闊。競爭格局高度集中，國內(nèi)廠商加速追趕CMP拋光液市場，美國Carbot是國際龍頭，安集科技為國內(nèi)龍頭。目前全球拋光液市場主要由美日廠商壟斷，美國Cabot、美國Versum、日本日立、日本Fujimi和美國陶氏杜邦五家美日廠商占據(jù)全球拋光液近八成的市場份額，安集科技僅占約3%。國內(nèi)市場中，美國Cabot占約64%，安集科技市占率為22%。安集科技為國產(chǎn)CMP拋光液龍頭，國內(nèi)市場占有率超兩成。公司2015-2016年先后承擔(dān)兩個(gè)02專項(xiàng)項(xiàng)目，專注于持續(xù)優(yōu)化14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以上產(chǎn)品的穩(wěn)定性，測試優(yōu)化14nm及以下產(chǎn)品的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，開發(fā)用于128層以上3DD和19/17nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM用銅及銅阻擋層拋光液。目前公司CMP拋光液13-14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，下游客戶包括中芯國際、長江存儲(chǔ)、臺(tái)積電、華虹半導(dǎo)體等主流晶圓廠商。全球拋光墊市場一家獨(dú)大，穩(wěn)步前進(jìn)。當(dāng)前全球拋光墊市場主要由美國的陶氏杜邦壟斷，市占率高達(dá)79%，其他公司如美國Cabot、日本Fujimi、日本Hitachi等市占率在5%以內(nèi)。內(nèi)資企業(yè)中，鼎龍股份、江豐電子和萬華化學(xué)具備相應(yīng)的生產(chǎn)力。其中，鼎龍股份為國內(nèi)拋光墊龍頭企業(yè)，生產(chǎn)的拋光墊意在對標(biāo)美國陶氏杜邦集團(tuán)。隨著國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)張，需求提升，為確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，內(nèi)資企業(yè)迎來發(fā)展潮。半導(dǎo)體材料景氣持續(xù)，市場空間廣闊半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。無論從科技或經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體都至關(guān)重要。2010年以來，全球半導(dǎo)體行業(yè)從PC時(shí)代進(jìn)入智能手機(jī)時(shí)代，成為全球創(chuàng)新最為活躍的領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信和汽車電子等核心領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要由集成電路、光電子、分立器件和傳感器組成，據(jù)WSTS世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)測，到2022年全球集成電路占比84．22%，光電子器件、分立器件、傳感器占比分別為7．41%、5．10%和3．26%。半導(dǎo)體工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘極高。芯片生產(chǎn)大體可分為硅片制造、芯片制造和封裝測試三個(gè)流程。其中硅片制造包括提純、拉單晶、磨外圓、切片、倒角、磨削、CMP、外延生長等工藝，芯片制造包括清洗、沉積、氧化、光刻、刻蝕、摻雜、CMP、金屬化等工藝，封裝測試包括減薄、切割、貼片、引線鍵合、模塑、電鍍、切筋成型、終測等工藝。整體而言，硅片制造和芯片制造兩個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘極高。目前多晶硅廠商多采用三氯氫硅改良西門子法進(jìn)行多晶硅生產(chǎn)。具體工藝是將氯化氫和工業(yè)硅粉在沸騰爐內(nèi)合成三氯氫硅，通過精餾進(jìn)一步提純高純?nèi)葰涔?，后?100℃左右用高純氫還原高純?nèi)葰涔瑁啥嗑Ч璩练e在硅芯上，進(jìn)而得到電子級多晶硅。目前8寸和12寸硅片大多通過直拉法制備，部分6寸和8寸硅片則通過區(qū)熔法制得。直拉法是將高純多晶硅放入石英坩堝內(nèi)，通過外圍的石墨加熱器加熱至1400℃，隨后坩堝帶著多晶硅融化物旋轉(zhuǎn)，將一顆籽晶浸入其中后，由控制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅融化物中向上拉出，并在拉出后和冷卻后生長成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。區(qū)熔法利用高頻線圈在多晶硅棒靠近籽晶一端形成熔化區(qū)，移動(dòng)硅棒或線圈使熔化區(qū)超晶體生長方向不斷移動(dòng)，向下拉出得到單晶硅棒。單晶硅棒研磨成相同直徑，然后根據(jù)客戶要求的電阻率，多采用線切割將晶棒切成約1mm厚的晶圓薄片。用具備特定形狀的砂輪磨去硅片邊緣鋒利的崩邊、棱角和裂縫等，可防止晶圓邊緣碎裂，增加外延層和光刻膠層在晶圓邊緣的平坦度。在研磨機(jī)上用磨料將切片拋光到所需的厚度，同時(shí)提高表面平整度。其目的在于去除切片工序中硅片表面因切割產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力損傷層和各種金屬離子等雜質(zhì)污染。清洗：為了解決硅片表面的沾污問題，實(shí)現(xiàn)工藝潔凈表面，多采用強(qiáng)氧化劑、強(qiáng)酸和去離子水進(jìn)行清洗。薄膜沉積按照原理可分為物理工藝（PVD）和化學(xué)工藝（CVD）。集成電路制造中使用最廣泛的PVD技術(shù)是濺射鍍膜，其基本原理是在反應(yīng)腔高真空度背景下帶正電的氬離子在電場作用下，轟擊到靶材的表面，撞擊出靶材的原子或分子，沉積在硅片表面?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。清潔完成后將晶圓置于800-1200℃的高溫環(huán)境下，通過氧氣或蒸氣在晶圓表面形成二氧化硅層，以保護(hù)晶圓不受化學(xué)雜質(zhì)影響、避免漏電流進(jìn)入電路、預(yù)防離子植入過程中的擴(kuò)散以及防止晶圓在刻蝕時(shí)滑落。光刻技術(shù)用于電路圖形生成和復(fù)制，是半導(dǎo)體制造最為關(guān)鍵的技術(shù)，耗時(shí)占IC制造50%，成本占IC制造1/3。其主要流程包括清洗、涂膠、前烘、對準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等，在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠發(fā)生變化，顯影后被曝光的光刻膠可以被去除，電路圖形由掩模版轉(zhuǎn)移到光刻膠上，在經(jīng)過刻蝕后電路圖形即由掩模版轉(zhuǎn)移到硅片上。是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵步驟，對于器件的電學(xué)性能十分重要。利用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料，目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模版圖形。按照刻蝕工藝劃分，刻蝕主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕，目前干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占比約90%，而干法刻蝕又可分為化學(xué)去除、物理去除及化學(xué)物理混合去除三種方式，性能各有優(yōu)劣。在半導(dǎo)體晶圓制造中，由于純凈硅的導(dǎo)電性能很差，需要加入少量雜質(zhì)使其結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率發(fā)生變化，從而變成一種有用的半導(dǎo)體，即為摻雜。目前可通過高溫?zé)釘U(kuò)散法和離子注入法進(jìn)行摻雜，其中離子注入法具備精確控制能量和劑量、摻雜均勻性好、純度高、低溫?fù)诫s等優(yōu)點(diǎn)，目前已成為0．25微米特征尺寸以下和大直徑硅片制造的標(biāo)準(zhǔn)工藝。CMP是集成電路制造過程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，其主要工作原理是在一定壓力及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對拋光墊做相對運(yùn)動(dòng)，借助納米磨料的機(jī)械研磨作用與各類化學(xué)試劑的化學(xué)作用之間的高度有機(jī)結(jié)合，使被拋光的晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。在制備好的元器件表面沉積金屬薄膜，并進(jìn)行微細(xì)加工，利用光刻和刻蝕工藝刻出金屬互連線，然后把硅片上的各個(gè)元器件連接起來形成一個(gè)完整的電路系統(tǒng)，并提供與外電路連接點(diǎn)的工藝過程。半導(dǎo)體材料為芯片之基，覆蓋工藝全流程半導(dǎo)體材料包括晶圓制造材料和封裝材料。其中晶圓制造材料包括硅片、掩模版、電子氣體、光刻膠、CMP拋光材料、濕電子化學(xué)品、靶材等，封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。具體來說，在芯片制造過程中，硅晶圓環(huán)節(jié)會(huì)用到硅片；清洗環(huán)節(jié)會(huì)用到高純特氣和高純試劑；沉積環(huán)節(jié)會(huì)用到靶材；涂膠環(huán)節(jié)會(huì)用到光刻膠；曝光環(huán)節(jié)會(huì)用到掩模板；顯影、刻蝕、去膠環(huán)節(jié)均會(huì)用到高純試劑，刻蝕環(huán)節(jié)還會(huì)用到高純特氣；薄膜生長環(huán)節(jié)會(huì)用到前驅(qū)體和靶材；研磨拋光環(huán)節(jié)會(huì)用到拋光液和拋光墊。在芯片封裝過程中，貼片環(huán)節(jié)會(huì)用到封裝基板和引線框架；引線鍵合環(huán)節(jié)會(huì)用到鍵合絲；模塑環(huán)節(jié)會(huì)用到硅微粉和塑封料；電鍍環(huán)節(jié)會(huì)用到錫球。CMP：半導(dǎo)體平坦化核心技術(shù)，國內(nèi)龍頭放量在即CMP，又名化學(xué)機(jī)械拋光，是半導(dǎo)體硅片表面加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。CMP是半導(dǎo)體先進(jìn)制程中的關(guān)鍵技術(shù)，伴隨制程節(jié)點(diǎn)的不斷突破，CMP已成為0．35μm及以下制程不可或缺的平坦化工藝，關(guān)乎著后續(xù)工藝良率。CMP采用機(jī)械摩擦和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的工藝，與普通的機(jī)械拋光相比，具有加工成本低、方法簡單、良率高、可同時(shí)兼顧全局和局部平坦化等特點(diǎn)。其中化學(xué)腐蝕的主要耗材為拋光液，機(jī)械摩擦的主要耗材為拋光墊，兩者共同決定了CMP工藝的性能及良率。（一）CMP系統(tǒng)復(fù)雜，拋光液和拋光墊為核心CMP系統(tǒng)主要耗材可分為拋光液和拋光墊，分別占據(jù)拋光材料成本的49%和33%。其他拋光材料還包括拋光頭、研磨盤、檢測設(shè)備、清洗設(shè)備等。拋光液是一種由去離子水、磨料、PH值調(diào)節(jié)劑、氧化劑以及分散劑等添加劑組成的水溶性試劑。在拋光的過程中，拋光液中的氧化劑等成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，在表面產(chǎn)生一層化學(xué)反應(yīng)薄膜，后由拋光液中的磨粒在壓力和摩擦的作用下將其去除，最終實(shí)現(xiàn)拋光。拋光液可根據(jù)應(yīng)用工藝環(huán)節(jié)、配方中磨粒、PH值的不同進(jìn)行分類。根據(jù)配方中磨粒的不同，可分為二氧化硅、氧化鈰、氧化鋁磨粒等三大類。二氧化硅磨?；钚詮?qiáng)、易于清洗且分散性及選擇性好，多用于硅、SiO2層間介電層的拋光。缺點(diǎn)是硬度大，容易對硅片表面造成損傷，且拋光效率較低。氧化鋁磨粒拋光效率高，但硬度強(qiáng)、選擇性低且團(tuán)聚嚴(yán)重，因此拋光液中常需加入各類穩(wěn)定劑和分散劑，導(dǎo)致成本相對較高。氧化鈰磨粒硬度低，拋光效率高，平坦度高，清潔無污染，但團(tuán)聚嚴(yán)重，也需加入各類穩(wěn)定劑和分散劑，且鈰屬于稀有金屬，成本較高。根據(jù)PH值的不同，可分為酸性拋光液和堿性拋光液。酸性拋光液具有拋光效率高、可溶性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，多用于對銅、鎢、鋁、鈦等金屬材料進(jìn)行拋光。其缺點(diǎn)是腐蝕性較大，對拋光設(shè)備要求高，所以常選擇向拋光液中添加抗蝕劑（BTA）提高選擇性，但BTA的添加容易降低拋光液的穩(wěn)定性。不同于酸性拋光液，堿性拋光液具有腐蝕性小、選擇性高等優(yōu)點(diǎn)，多數(shù)用于拋光硅、氧化物及光阻材料等非金屬材料。堿性拋光液的缺點(diǎn)也較為明顯，因?yàn)椴蝗菀渍业皆谌鯄A性中氧化勢高的氧化劑，所以拋光效率較低。拋光墊是負(fù)責(zé)輸送和容納拋光液的關(guān)鍵部件。在拋光的過程中，拋光墊具有把拋光液有效均勻地輸送到拋光墊的不同區(qū)域、清除拋光后的反應(yīng)物、碎屑等、維持拋光墊表面的拋光液薄膜，以便化學(xué)反應(yīng)充分進(jìn)行、保持拋光過程的平穩(wěn)、和晶圓片表面不變形等功能。（二）工藝制程持續(xù)升級，CMP市場穩(wěn)定增長半導(dǎo)體行業(yè)高景氣帶動(dòng)CMP市場穩(wěn)定增長。伴隨半導(dǎo)體材料行業(yè)景氣度向上，CMP材料市場有望受下游市場驅(qū)動(dòng)，保持穩(wěn)健增速。2020年全球拋光液和拋光墊全球市場規(guī)模分別為13．4和8．2億美元。中國CMP材料市場漲幅趨勢與國際一致，2021年拋光液和拋光墊市場規(guī)模分別為22和13億元。中國正全面發(fā)展半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，CMP拋光產(chǎn)業(yè)未來增長空間廣闊。先進(jìn)制程為CMP材料市場擴(kuò)容提供動(dòng)力。隨著芯片制程不斷微型化，IC芯片互聯(lián)結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜，所需拋光次數(shù)和拋光材料的種類也逐漸變多。在芯片制造過程中，需要將電路以堆疊的方式組合起來，制程越精細(xì)，所堆疊的層數(shù)就越多。在堆疊的過程中，需要使用到氧化層、介質(zhì)層、阻擋層、互連層等多個(gè)薄膜層交錯(cuò)排列，且每個(gè)薄膜層所用到的拋光材料也不相同。此外，隨著D存儲(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)逐漸由2D轉(zhuǎn)向3D，CMP拋光層數(shù)和所用到的拋光材料種類也在不斷增加。根據(jù)美國陶氏杜邦公司公開數(shù)據(jù)，5nm制程中拋光次數(shù)將達(dá)25-34次，64層3DD芯片中的拋光次數(shù)將達(dá)到17-32次，拋光次數(shù)均較前一代制程大幅增加。伴隨制程工藝的發(fā)展，CMP材料市場有望不斷擴(kuò)容，成長空間較大。定制化拋光材料為未來發(fā)展趨勢定制化發(fā)展有望給國產(chǎn)企業(yè)帶來更多機(jī)遇，國內(nèi)CMP拋光材料企業(yè)可以憑借本土化優(yōu)勢與國內(nèi)晶圓制造商展開深度合作，專注于具有專用性產(chǎn)品的研發(fā)。專用化、定制化有望成為CMP材料制造商產(chǎn)業(yè)升級趨勢。硅片：供需持續(xù)緊張，加速硅片是半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的基底材料之一。硅片是以高純結(jié)晶硅為材料所制成的圓片，一般可作為集成電路和半導(dǎo)體器件的載體。與其他材料相比，結(jié)晶硅的分子結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定，導(dǎo)電性極低。此外，硅大量存在于沙子、巖石、礦物中，更容易獲取。因此，硅具有穩(wěn)定性高、易獲取、產(chǎn)量大等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于IC和光伏領(lǐng)域。（一）半導(dǎo)體硅片純度極高，大尺寸為大勢所趨硅片可以根據(jù)晶胞排列是否有序、尺寸、加工工序和摻雜程度的不同等方式進(jìn)行分類。根據(jù)晶胞排列方式的不同，硅片可分為單晶硅和多晶硅。硅片是硅單質(zhì)材料的片狀結(jié)構(gòu)，有單晶和多晶之分。單晶是具有固定晶向的結(jié)晶體材料，一般用作集成電路的襯底材料和制作太陽能電池片。多晶是沒有固定晶向的晶體材料，一般用于光伏發(fā)電，或者用于拉制單晶硅的原材料。單晶硅用作半導(dǎo)體材料有極高的純度要求，IC級別的純度要求達(dá)9N以上（99．9999999%），區(qū)熔單晶硅片純度要求在11N（99．999999999%）以上。根據(jù)尺寸大小的不同，硅片可分為50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）及300mm（12英寸）。英寸為硅片的直徑，目前8英寸和12英寸硅片為市場最主流的產(chǎn)品。8英寸硅片主要應(yīng)用在90nm-0．25μm制程中，多用于傳感、安防領(lǐng)域和電動(dòng)汽車的功率器件、模擬IC、指紋識(shí)別和顯示驅(qū)動(dòng)等。12英寸硅片主要應(yīng)用在90nm以下的制程中，主要用于邏輯芯片、儲(chǔ)存器和自動(dòng)駕駛領(lǐng)域。大尺寸為硅片主流趨勢。硅片越大，單個(gè)產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多，制造成本越低，因此硅片廠商不斷向大尺寸硅片進(jìn)發(fā)。1980年4英寸占主流，1990年發(fā)展為6英寸，2000年開始8英寸被廣泛應(yīng)用。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2008年以前，全球大尺寸硅片以8英寸為主，2008年后，12英寸硅片市場份額逐步提升，趕超8英寸硅片。2020年，12英寸硅片市場份額已提升至68．1%，為目前半導(dǎo)體硅片市場最主流的產(chǎn)品。后續(xù)18英寸硅片將成為市場下一階段的目標(biāo)，但設(shè)備研發(fā)難度大，生產(chǎn)成本較高，且下游需求量不足，18英寸硅片尚未成熟。根據(jù)加工工序的不同，硅片可分為拋光片、外延片、SOI硅片等高端硅片。其中拋光片應(yīng)用范圍最為廣泛，是拋光環(huán)節(jié)的終產(chǎn)物。拋光片是從單晶硅柱上直接切出厚度約1mm的原硅片，切出后對其進(jìn)行拋光鏡面加工，去除部分損傷層后得到的表面光潔平整的硅片。拋光片可單獨(dú)使用于電動(dòng)汽車功率器件和儲(chǔ)存芯片中，也可用作其他硅片的襯底，成為其他硅片加工的基礎(chǔ)。外延片是一種將拋光片在外延爐中加熱后，通過氣相沉淀的方式使其表面外延生長符合特定要