1電源管理芯片樣品模組

結(jié)構(gòu)分析2017年4月芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)一電源管理芯片樣品結(jié)構(gòu)二擬研發(fā)的模組結(jié)構(gòu)三對比2芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)3正面底面激光打標(biāo)AGRG22-191未搜到芯片datasheet整版鍍錫后再切割一、電源管理樣片結(jié)構(gòu)1.外觀芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)4CT201205尺寸功率電感半導(dǎo)體IC2.內(nèi)部結(jié)構(gòu)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)53.底部焊盤結(jié)構(gòu)只有1層，16um厚，成分為錫；與銅電極界面無其他金屬工藝可能是電極顯露后直接鍍錫放大芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)64.內(nèi)部電極電路電極總厚200um，成分為銅，無層狀分界界面；形貌上有2個弧形，高度分別是130um/70um；推測是整版銅片正反兩次蝕刻形成；芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)75.封裝樹脂封裝樹脂為硅基，PCB電極平面處未發(fā)現(xiàn)層狀界面，推測為一次封裝成型；芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)8模組尺寸3.0*2.5*0.9mm功率電感尺寸2.0*1.2*0.5mm半導(dǎo)體IC尺寸（加引腳）1.4*0.9*0.3mm6.內(nèi)部器件及尺寸芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)97.內(nèi)部功率電感端留邊0.12mm，側(cè)留邊0.14mm，電極寬0.2mm，電極厚0.02mm，產(chǎn)品高度＜0.5mm,有效圈數(shù)4.5（推測RDC在75-95mΩ）從引出端及連接點方式推測，疑似FDK的功率電感MIPSUZ2012GR47，0.47uH,RDC100mΩ±30%，Isat1.5A;3層夾層磁體為鎳銅鋅鐵氧體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)108.電感端頭及焊盤結(jié)構(gòu)沾銀層鎳層錫層焊接錫錫-銅層PCB銅電極內(nèi)部焊盤結(jié)構(gòu)推測：無專用焊盤，直接在銅電極上點錫焊接電感及半導(dǎo)體芯片；芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)119.半導(dǎo)體IC半導(dǎo)體IC尺寸（加引腳）1.4*0.9*0.26mm半導(dǎo)體部分：180um電極接口部分：15um電極引出部分：65um樹脂形貌相同，推測IC未做樹脂封裝，直接焊接在銅電極上樹脂有層界面，上邊無顆粒層應(yīng)為IC引出電路保護層；銅柱引出電極應(yīng)是與IC一體；半裸IC芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)12推測芯片焊接方式與電感一致，即將裸芯片放置在錫膏上，過回流焊爐完成焊接；10.半導(dǎo)體IC電極引出銅柱焊接Sn-Cu界面層Sn焊接樹脂有界面，推測上部無顆粒部分為IC引出電路保護層高純度Cu芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)12345671311.半導(dǎo)體IC電極引出封裝結(jié)構(gòu)IC半導(dǎo)體主體電極引出觸點——Al金屬層微電路——W金屬層隔層——Al金屬層隔層——Al金屬層微電路——W金屬層引出電路保護——碳層芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)141234PCB銅電極層PCB內(nèi)部焊接點——各層磨片尺寸器件層底部焊盤芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)15一、電源管理樣片結(jié)構(gòu)12.總結(jié)銅片正反兩面蝕刻點錫貼器件回流焊塑封鍍底部