模擬電子技術基礎主講人：申鳳娟1半導體器件2基本放大電路及其分析設計方法6模擬電子技術的應用與發(fā)展3放大電路的頻率響應與負反饋技術4通用集成運放及其應用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內容大綱C2半導體器件第一章3第一章常用半導體器件§1.1半導體基礎知識§1.2半導體二極管及其應用§1.3半導體三極管§1.4場效應晶體管§1.5晶閘管41.1.1導體、半導體和絕緣體導體：自然界中很容易導電的物質稱為導體，金屬一般都是導體。（電阻率10-6～10-3㎝）絕緣體：有的物質幾乎不導電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。（電阻率109～1020㎝）半導體：另有一類物質的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為半導體，如鍺、硅、砷化鎵等。（電阻率10-3～109㎝）。5定義純凈的晶體結構的半導體叫做本征半導體。無雜質穩(wěn)定的結構1.1.2本征半導體6共價鍵價電子共有化，形成共價鍵的晶格結構本征半導體的結構及導電機理（以硅Si為例）1.1.2本征半導體7半導體中有兩種載流子:自由電子和空穴自由電子空穴1.1.2本征半導體8在外電場作用下，電子的定向移動形成電流++++++++--------1.1.2本征半導體9在外電場作用下，空穴的定向移動形成電流++++++++--------1.1.2本征半導體101.本征半導體中載流子為電子和空穴（金屬呢？）2.電子和空穴成對出現(xiàn),濃度相等。3.由于熱激發(fā)可產生電子和空穴,因此半導體的導電性和溫度有關,對溫度很敏感?？偨Y1.1.2本征半導體111.N型半導體在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。電子----多子;空穴----少子.1.1.3雜質半導體122.P型半導體在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半導體。空穴----多子;電子----少子.注意雜質半導體中，多子的濃度決定于摻雜原子的濃度；少子的濃度決定于溫度。1.1.3雜質半導體131.PN結的形成P區(qū)N區(qū)

物質因濃度差而產生的運動稱為擴散運動。氣體、液體、固體均有之，包括電子和空穴的擴散！1.1.4PN結及其單向導電性14在交界面，由于兩種載流子的濃度差，出產生擴散運動。I擴1.1.4PN結及其單向導電性15在交界面，由于擴散運動,經過復合,出現(xiàn)空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)耗盡層(電荷層、勢壘層)I漂1.結1.窯4牢P孩N結及森其單巡壽向導虹電性16當擴歷散電首流等撿于漂飯移電電流時錫，達朗到動況態(tài)平衡稱，形巴成PN結。PN結I擴I漂1.至1.計4氏P犬N結及癢其單姓向導版電性171.由于信擴散冷運動砌形成時空間丟電荷黨區(qū)和迎內電草場;2.內電鴨場阻戲礙多露子擴憐散，補有利跡于少信子漂猾移;3.當擴關散電棚流等尚于漂羞移電栽流時冒，達橫到動將態(tài)平衡隸，形嚼成PN結?？偨Y182.逝PN結的秀單向切導電貓性1)買PN結外豬加正猛向電鞠壓時快處于阻導通作狀態(tài)加正軋向電逆壓是念指P端加匪正電桶壓，N端加眼負電肯壓，欣也稱數正向流接法纖或正晌向偏虜置。1.孝1.兇4稿P藏N結及章其單州向導蔥電性19內電兇場外電華場外電場抵消內電場的作用，使耗盡層變窄，形成較大的擴散電流。1.殺1.尿4太P貞N結及悠其單右向導潛電性202)產P隨N結外萄加反哀向電標壓時稿處于嘴截止分狀態(tài)外電場和內電場的共同作用，使耗盡層變寬，形成很小的漂移電流。1.花1.答4儀P創(chuàng)N結及昂其單伸向導同電性213.暫P泊N結的敗伏安括特性(小結)

正向特性反向特性反向擊穿PN結的電流方程為其中縮慧，IS為反向揪飽和紫電流，UT≈2廈6m緞V，1.團1.滑4宇P漸N結及污其單孩向導弓電性224.爪PN結的顆電容普效應1）鍋勢壘榴電容PN結外凡加電縮慧壓變及化時翅，空側間電狗荷區(qū)狀的寬轟度將型發(fā)生彩變化詠，有擱電荷脾的積非累和飾釋放搶的過凍程，蠻與電籌容的概充放悶電相優(yōu)同，昌其等書效電系容稱功為勢抗壘電循容Cb。2）擴減散電貓容PN結外撞加的認正向京電壓罰變化索時，鏈在擴溪散路唉程中終載流墾子的撇濃度齡及其根梯度話均有爬變化屢，也股有電鵲荷的欺積累家和釋膊放的非過程惡，其嗚等效笨電容額稱為侄擴散主電容Cd。結電容：結電勻容不柴是常孤量！鈔若PN結外籠加電懇壓頻細率高渣到一惕定程靜度，嗎則失療去單于向導隱電性梢！1.股1.咱4所P妙N結及挨其單遵向導爭電性231.必2半導月體二鄰極管將PN結用陽外殼肚封裝債起來歪，并霞加上創(chuàng)電極窗引線暗就構花成了翠半導孕體二繞極管壤。由P區(qū)引細出的左電極吼為陽哪極（A）莫，由N區(qū)引路出的看電極績?yōu)殛幹珮O（K）。二極范管的川符號奸：PN陽極陰極24將PN結封嬸裝，毛引出陵兩個近電極羊，就轉構成惕了二店極管點。小功率二極管大功率二極管穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管1.膏2.斬1基本足結構25大頭——負極小頭——正極1.蛋2.蠻1基本縱結構26材料開啟電壓導通電壓反向飽和電流硅Si0.5V0.5~0.8V1μA以下鍺Ge0.1V0.1~0.3V幾十μA開啟倒電壓反向浪飽和駱電流擊穿陸電壓溫度阻的電壓戒當量二極悉管的撞電流昌與其上端電夜壓的徑關系辮稱為悔伏安犬特性團。1.秀2.漂2伏安戶特性27二極旗管的封伏安憐特性--搏--單向滋導電濁性！伏安橫特性姐受溫裂度影想響T（℃捏）↑崇→在電讓流不采變情診況下踏管壓姐降u↓→反向嗎飽和栗電流IS↑，U(B毫R)↓T（℃溝）↑言→正向封特性蒙左移，反們向特絨性下鑼移正向拉特性挖為指雀數曲僑線反向憲特性攏為橫段軸的論平行色線增大1倍/1免0℃1.嘴2.爆2伏安陵特性28理想二極六管近似醬分析湊中最復常用理想開關導通時UD＝0截止時IS＝0導通時UD＝Uon截止時IS＝0導通隊時△i與△u成線仙性關村系應根據妄不同繞情況丸選擇投不同早的等漫效電踐路！1）將蝴伏安已特性遺折線座化？10寶0V？5V？1V？1.欣2.萌2伏安肌特性29k陰極陽極a理想彎開關導通媽時UD＝0截止海時IS＝0折線映化——理想觀模型1.摔2.差2伏安譯特性30（硅二極管典型值）（鍺二極管典型值）導通壓降：導通時UD＝Uon截止時IS＝01.搬2.舉2伏安艷特性折線舊化——恒壓鉆降模覆型31直線號斜率隊：1/rDrD=△竹U請/嬸△II=梁V比/征R，忽略郊導通蛛電壓岡；I=（V－Uon）/批R，考慮夕導通個電壓形；I=役(V－Uon)/址(賴R＋rD)，考慮枯導通色電壓淡和斜率奇變化調。導通蔥時△i與△u成線愁性關款系折線樸化——折線金模型1.轉2.枯2伏安研特性32例題1：電赴路圖裁如下循圖縫所示魄，二套極管D為硅喝二極舒管求U0開關政斷開錄時開關臣閉合閑時應根據插不同絮情況診選擇畫不同芽的等蜘效電喇路！1.煉2.餡2伏安儀特性332）微趨變等鐵效電洋路Q越高杯，rd越小握。當二字極管您在靜襪態(tài)基完礎上夜有一忍動態(tài)抹信號槐作用倦時，模則可項將二勉極管差等效捐為一潑個電拖阻，尋稱為倦動態(tài)幣電阻受，也湖就是扮微變伏等效森電路撫。ui=0時直蠟流電慘源作陶用小信溪號作策用靜態(tài)除電流1.胳2.雀2伏安率特性341.最大膏整流哪電流IF二極似管長趣期使轉用時察，允撒許流餡過二取極管宰的最扶大正隔向平果均電惕流。2.反向扔擊穿厲電壓U(B中R)二極梅管反社向擊拴穿時肆的電取壓值閥。擊寺穿時譯反向電流職劇增拿，二探極管樸的單求向導野電性張被破扒壞，鈴甚至臣過熱個而燒質壞。徒手冊配上給泊出的最高調反向禍工作盒電壓UR一般桂是U(BR役)的一攀半。1.殘2.棟3主要飯參數353.反向愉電流IR指二要極管箏加反禽向峰逐值工哀作電銅壓時究的反鈴向電槽流。朵反向涂電流未大，軋說明莫管子紗的單巷向導邊電性爬差，爽因此差反向大電流腦越小肢越好章。反蚊向電拋流受殺溫度策的影校響，額溫度艦越高色反向廳電流辣越大仗。硅態(tài)管的印反向姨電流苦較小牧，鍺悼管的杜反向術電流判要比蝦硅管柄大幾蛛十到拍幾百全倍。4.最高蠻工作謠頻率fM二極省管的露上限暮頻率1.丟2.架3主要匪參數36ttuo0ui0Dui＋－uo＋－RL應用肢一：岸畫出泉二極恭管電誕路的窮輸出雹波形壤（設UD=0）。整流夾二極升管！1.剪2.尺4二極羨管的化應用37應用怕二：絡畫出致二極喉管電巡壽路的卸輸出暮波形摟（設UD=0褲.7護V）豪。0.搞7V0.選7V-3眉V鉗位盈二極歌管！1.晝2.拿4二極扔管的妥應用38穩(wěn)壓跑二極典管1）伏諒安特其性進入彈穩(wěn)壓谷區(qū)的蔥最小戰(zhàn)電流不至憲于損伐壞的寄最大質電流由一殼個PN結組絡成，弄反向淺擊穿躬后在匠一定窄的電渴流范蟲圍內治端電情壓基盼本不別變，率為穩(wěn)活定電炮壓。2）主膝要參僵數穩(wěn)定堆電壓UZ、穩(wěn)定撿電流IZ最大祥功耗PZM＝IZMUZ動態(tài)銜電阻rz＝ΔUZ/ΔIZ若穩(wěn)門壓管惱的電咽流太森小則芳不穩(wěn)陜壓，唯若穩(wěn)活壓管辭的電災流太妄大則用會因蹈功耗綢過大羊而損獸壞，逼因而遲穩(wěn)壓嫌管電青路中發(fā)必需科有限倒制穩(wěn)第壓管逼電流耐的限澆流電謝阻！限流限電阻斜率竭？1.妨2.碼5特殊剩二極群管39應用鬼三：RL為負捐載電秘阻，R限流研電阻當UI變化陽時，像由于賤穩(wěn)壓港管的丙作用賣，輸灘出UO不變兼。1.獨2.膜5特殊銅二極誕管40光電個二極浸管光電臥二極汪管是喪一種剩將光士能轉霞換為獵電能置的半葵導體靠器件聾，其牌結構膏與普吹通二不極管膠相似佳，只泳是管偏殼上葉留有轉一個疼能入男射光劇線的歸窗口悶。1.游2.虹5特殊院二極愧管41發(fā)光遇二極快管是抖一種扇將電鼻能轉村換為俯光能夏的半牙導體沾器件活。它夾由一爪個PN結構羨成,當發(fā)叼光二促極管惱正偏招時，獵注入丟到N區(qū)和P區(qū)的群載流潮子被鳳復合儀時，揉會發(fā)伍出可鏡見光和不獎可見療光。1.襯2.揭5特殊臣二極筐管發(fā)光驚二極父管42小功率管中功率媽管大功磚率管1.蒙3半導耀體三素極管431.示3.兼1基本鴨結構浙與類房誠型NP監(jiān)N型基區(qū)發(fā)射巖區(qū)集電刷區(qū)發(fā)射需結集電結結發(fā)射妹極基極集電救極bec發(fā)射邁極箭版頭的盒方向為電塊流的講方向晶體祥管有釀三個邀極、連三個殼區(qū)、防兩個PN結。44放大革是對寧模擬暫信號羅最基放本的洪處理允。晶旱體管敗是放何大電玩路的杯核心骨元件碑，它趴能夠愁控制排能量啞的轉汁換，舅將輸堤入的父任何府微小害變化過不失慘真的豎放大舍輸出來，放射大的班對象狐是變娘化量剖。晶體賴管的她放大綠作用腸表現(xiàn)碌為小的基極脈電流溉可以津控制大的集電覽極電的流。共射全放大嫁電路1.偶3.詠2電流只放大腎原理45擴散火運動田形成媽發(fā)射踢極電周流IE，復合案運動鳳形成模基極辛電流IB，漂移竟運動甩形成彩集電揮極電杏流IC。少數情載流盟子的域運動因發(fā)扒射區(qū)家多子殃濃度宣高使依大量括電子頃從發(fā)侄射區(qū)磚擴散財到基的區(qū)因基汁區(qū)薄貌且多惕子濃炎度低側，使盲極少亞數擴坊散到共基區(qū)炒的電追子與抗空穴哪復合因集擱電區(qū)功面積恨大，榆在外遠電場項作用運下大欄部分陡擴散喊到基稱區(qū)的才電子己漂移點到集紛電區(qū)基區(qū)衡空穴蛛的擴患散1.臥3.渠2電流宵放大丹原理46IBBECNNPVBRBVc病cIEICIC晶體豈管實贈質上條是一首個電流盛控制綁器穿透紀電流集電東結反揉向電紛流直流澡電流鞏放大臣系數交流鳳電流守放大罵系數電流扎分配么關系:1.將3.絡2電流移放大路原理47電流券放大文作用掩的條頓件內部條件發(fā)射區(qū)多數載流子濃度很高；基區(qū)很薄，摻雜濃度很??；集電區(qū)面積很大，摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)外部條件發(fā)射結加正向偏壓（發(fā)射結正偏）；集電結加反向偏壓（集電結反偏）。思考歡題：揉三極蠢管發(fā)爛射極悄和集栗電極冬能否社互換待？1.校3.完2電流糧放大舌原理48UCEIC+-UBEIB+-

實驗線路mAAVVRBECEBRC1.很3.呢3特性林曲線491.輸入燭特性IB(A)UBE(V)20406080工作授壓降扔：味硅堪管UBE0喊.6蔥~0辱.7哥V,鍺管UBE0確.2筆~0掏.3奴V。死區(qū)您電壓宰，硅沒管0.青5V，鍺管0.拋2V。1.劉3.擺3特性使曲線502.輸出世特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)不域滿崇足IC=IB稱為嫁線性碰區(qū)（段放大肚區(qū)）持。IC只與IB有關畜，IC=IB。1.升3.漸3特性摩曲線51IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)森域中UCEUBE,集電蒜結正回偏，墊IB>IC，UCE0隊.3魂V稱為腸飽和差區(qū)。2.輸出昌特性1.犬3.彼3特性掩曲線52IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)振域中:IB=0浮,IC=ICE臺O,UBE<死區(qū)盯電壓烈，稱贊為截帽止區(qū)孩。2.輸出凱特性1.疾3.您3特性詞曲線53輸出劍特性合三個擇區(qū)域始的特掌點:放大撇區(qū)：發(fā)射葵結正綠偏，刊集電反結反臣偏。即：IC=IB,且IC=IB(2級)飽和銹區(qū)：發(fā)射原結正厭偏，醉集電棕結正捆偏。即：UCEUBE，IB>IC，UCE0成.3商V(3汪)截止默區(qū)：UBE<開啟吹電壓胳，IB=0，IC=ICE拾O01.霞3.窮3特性處曲線54iCiBRBRCVCCvOvi++--3.三極臟管工億作狀識態(tài)判斷坡方法①當vBE＜0.7V時，截止≥0.7V時，放大或飽和1.立3.煮3特性楚曲線55iCiBRBRCVCCvOvi++--3.三極祥管工彈作狀煙態(tài)判斷于方法死：②當vBC＜0時，放大≥0時，飽和1.局3.井3特性錦曲線560.7V4V00.7V0.3V004V0【例1】判斷漁以下逐三極乖管的賺工作蘇狀態(tài)群。放大飽和截止4、典永型題1.悄3.掙3特性制曲線57【例2】現(xiàn)已景測得祥某電憂路中仙幾只累晶體提管三暫個極廉的直移流電膚位如刑下，勝各晶速體管囑開啟富電壓伸均為0.瞎5V。試判爹斷各框管的隔工作嗎狀態(tài)雅。放大放大飽和截止1.剝3.預3特性纏曲線4、典嬌型題58溫度柄對晶乖體管濕特性畜的影覺響晶體任管對段溫度雕的變立化敏正感！1.賴3.籠4三極廢管的昆主要俗參數59

直流參數：、、ICBO、ICEOc-有e間擊菌穿電描壓最大王集電怎極電抄流最大白集電冶極耗錘散功塌率，PCM＝iCuCE安全組工作押區(qū)交流飾參數竹：β、α、fT（使β＝1的信蟻號頻龜率）極限時參數：ICM、PCM、U（BR）CE儀O1.壇3.然4三極衡管的繪主要襖參數60場效礎應管您（簡腎稱FE剃T）屬母于單宋極型哈三極挑管，鳴是利昏用電娃場來弊控制租管內鎖電流覆，輸戒入端唐的PN結工恭作于因反向岸偏置箭或輸離入端阻處于霉絕緣湯狀態(tài)禽，具沸有輸猶入電悔阻高場效青應管教有三月個極旨：源辱極（s）、柵極慈（g）、漏極齊（d），對應懲于晶厚體管縮慧的e、b、c；有三個排工作娘區(qū)域患：截非止區(qū)就、恒趕流區(qū)俘、可絞變電囑阻區(qū)乖，對雨應于晶體管的慘截止貼區(qū)、廊放大軟區(qū)、擺飽和頂區(qū)。特點：單好極型老管、丙噪聲學小、延抗輻碼射能戶力強到、低葵電壓廢工作1.呢4場效披應晶粘體管61符號結構示意圖柵極漏極源極導電溝道1.膜4.桌1結型懲場效港應管62Ugs作用賺于整走個溝凝道溝道渴最寬溝道變窄溝道消失稱為夾斷UGS搞（o窗ff捏）此時，Uds=0柵-源電喪壓Ugs對導墳電溝湊道寬滾度的赤控制翁作用優(yōu)：1.址4.丟1結型浙場效健應管63漏-源電沉壓Uds對漏壘極電輛流的蛋影響栽：uGS＞UGS（of務f）且不超變，VDD增大章，iD增大。預夾祝斷uGD＝UGS（of曬f）VDD的增且大，粥幾乎安全部達用來滿克服池溝道涉的電盤阻，iD幾乎勞不變悲，進邀入恒創(chuàng)流區(qū)爐，iD幾乎余僅僅褲決定棵于uGS。uGD>UGS（of圓f）uGD<UGS（of索f）此時，Ugs≠01.威4.泳1結型俯場效營應管64g-失s電壓便控制d-組s的等槐效電楊阻輸出鉗特性退：預夾害斷軌忽跡，uGD＝UGS（of狼f）可變犯電阻勉區(qū)恒流區(qū)iD幾乎癥僅決鴿定于uGS擊穿區(qū)夾斷達區(qū)（取截止堆區(qū)）夾斷電壓IDSSΔiD不同淺型號淡的管元子UGS（of喇f）、IDS刊S將不剩同。低頻色跨導胖：1.拜4.交1結型碰場效脖應管65夾斷猾電壓漏極述飽和唐電流轉移峰特性膨：場效壞應管丹工作伏在恒律流區(qū)遇，有uGS＞UGS（of楚f）且uGD＜UGS（of草f）。uDG＞－UGS（of言f）有夾禿斷有溝添道1.貞4.踢1結型洋場效即應管66由金磁屬、滔氧化請物和霧半導親體制黑成?；Q為金屬-氧化挎物-半導兼體場眉效應盒管，或吳簡稱MO斧S場效怒應管。特點臟：輸雨入電乒阻可賊達109以上領。類型N溝道P溝道增強便型耗盡集型增強裹型耗盡易型1.腰4.撞2絕緣穴柵場勤效應躬管671.黃N溝道諒增強離型MO抄S場效夏應管1.結構P型襯底N+N+BGSDSiO2源極S漏極D襯底產引線B柵極G2.工作塔原理絕緣駝柵場拿效應擠管利劉用UGS來控移制“感應啄電荷”的多叢少，積改變慈由這秤些“感應泳電荷”形成斯的導浴電溝況道的業(yè)狀況旋，以緒控制址漏極陡電流ID。SGDB1.斯4.夏2絕緣念柵場舉效應任管68工作肯原理分析麻：以N溝道籮增強猾型為辦例PNNGSDUDSUGSUGS=0時D-S間相當于兩個反接的PN結ID=0對應詢截止捐狀態(tài)2個耗盡遍層1.筒4.吃2絕緣照柵場疲效應良管69PNNGSDUDSUGSUGS>0時UGS排斥覆空穴富，形類成耗似盡層已。1.供4.錦2絕緣豪柵場議效應盯管70PNNGSDUDSUGSUGS>0時UGS足夠市大時受（UGS>UGS旬(t警h)），出俘現(xiàn)以萄電子登導電咽為主坡的N型導狂電溝炊道。吸引秩電子VGS身(t琴h)稱為務開啟吹電壓1.托4.覺2絕緣轉柵場噴效應舊管71PNNGSDUDSUGS導電貢溝道鏡在兩士個N區(qū)間張是均核勻的韻。當UDS增大屑時，匪靠近D區(qū)的股導電擁溝道誼變窄就。1.嫂4.偶2絕緣衛(wèi)柵場送效應賞管72PNNGSDUDSUGS夾斷后，即使UDS繼續(xù)增加，ID仍呈恒流特性。IDUDS增加年，UGD=UGS遙(t刑h)時，村靠近D端的椒溝道禮被夾悠斷，虜稱為興預夾癢斷。1.躁4.丑2絕緣鍵柵場交效應遲管73DP型襯底N+N+BGSVGGVDDP型襯底N+N+BGSDVGGVDDP型襯底N+N+BGSDVGGVDD夾斷區(qū)(a)UGD>UGS寸(th)(b)UGD=UGS濕(t殘h)(c)UGD<UGS在(t秩h)1.緊4.愧2絕緣悼柵場幅效應貨管74特性引曲線(a)轉移征特性(b)漏極祥特性ID/mAUDS/VO預夾斷軌跡恒流區(qū)擊穿區(qū)可變電阻區(qū)UGS<UGS嫌(t敵h)，ID=帳0；UGS≥UGS魯(t萄h)，形煌成導抖電溝介道，抬隨著UGS的增禁加，ID逐漸樂增大疫。(當UGS>UGS播(t將h)時)三個木區(qū)：布可變鵝電阻風區(qū)、辣恒流圈區(qū)(或飽蓄和區(qū))、擊穿餅區(qū)。UGS(th)2UGS(th)IDOUGS/VID/mAO1.核4.裝2絕緣柱柵場乓效應伍管75NPPGSDGSDP溝道郊增強偷型1.電4.支2絕緣研柵場壇效應例管762.勞N溝道閑耗盡爪型MO斧S場效逢應管P型襯底N+N+BGSD++++++制造突過程某中預斬先在構二氧禍化硅酒的絕菠緣層套中摻盛入正境離子夸，這陽些正胖離子倍電場親在P型襯有底中“感應”負電惡荷，找形成“反型優(yōu)層”。即宜使UGS=興0也會坡形成N型導墻電溝擱道。++陸++征++++幸++險++UGS=用0，UDS>灑0，產生虎較大眼的漏咸極電塑流；UGS<肝0，絕緣柿層中菌正離策子感繳應的胡負電笑荷減效少，師導電把溝道慢變窄煙，ID減小贏；UGS=-UP,感應傘電荷戚被“耗盡”，ID0。UP稱為雅夾斷氧電壓SGDB1.淹4.首2絕緣夕柵場園效應款管77N溝道巷耗盡代型MO惜S管特詳性工作斬條件滴：UDS>催0；UGS正、航負、撿零均游可。ID/mAUGS/VOUP(a)轉移特性