MW9076系列技術(shù)培訓資料熔接技術(shù)相關(guān)知識熔接機熔接原理熔接機對準原理熔接質(zhì)量的必要條件可能造成熔接損耗大的原因光纖的基本結(jié)構(gòu)涂層

250μm涂層

250

μm

標準單模光纖標準梯度折射率分布多模光纖纖芯

(摻鍺二氧化硅)

8.6-9.5

μm

纖芯

(聚甲基丙烯酸甲酯)

980

μm

包層

純二氧化硅

125

μm

纖芯

(摻鍺二氧化硅)

50μm/62.5μm/100μm涂層1000

μm塑料光纖相關(guān)知識光纖的基本幾何參數(shù)

纖芯直徑(多模光纖)/模埸直徑(單模光纖)芯/包同心度誤差包層外徑(d={dx+dy}/2)

包層不圓度(|dx-dy|/d)

涂層外徑包層、涂層同心度誤差光纖翹曲度dxdyR光纖相關(guān)知識

相關(guān)知識主要成份：SiO2涂層:245±10um包層:125±1um纖芯:8.3um單模光纖

熔接機的工作原理

利用高壓尖端放電，高溫使光纖熔化，推進重疊。電極光纖1.視頻圖象處理系統(tǒng)Corning康寧：L－PASFujikura藤倉:PASSumitomo住友:HDCMFurukawa古河:HDCMEricsson愛里信:WISP2.本地光注入測試系統(tǒng)

Corning康寧:LID熔接機對準方式透鏡成像輪廓對準系統(tǒng)L-PAS?

L-PAS?

依靠分辨光纖輪廓成像的的光強進行對準工作.光纖輪廓成像的的光強信號包含了所有可見的光纖細節(jié)特征，包括任何沿著光纖中心的陰影端面的損傷，以及由于污染物造成的光纖偏移等等。L-PAS?

能夠?qū)崿F(xiàn)兩側(cè)光纖包層的對準，光纖位置的檢測，端面質(zhì)量的評估，以及熔接損耗的估算。偏差偏差位置亮度低高熔接機對準方式

PAS光纖輪廓對準系統(tǒng)Virtualfiberimage光纖虛像Realfiberimage光纖實像CollimatedlightfromLEDFocusingObjectivelensCCDcameray-axisx-axisX軸聚焦Y軸聚焦X－Y軸的光纖成像

熔接機對準方式高清晰成像纖芯對準系統(tǒng)（HDCM)及類似系統(tǒng)通過光纖的光線交叉成像在CCD攝像機上焦平面可調(diào)焦的高分辨率攝像機暗線是光纖纖心在焦平面上的投影熔接機對準方式

LID系統(tǒng)-本地光注入/檢測系統(tǒng)微處理器yzzx光纖1max.傳輸光強高壓發(fā)生器LID發(fā)射器中止max.起始AFC自動熔接時間控制芯－芯對準傳輸光強芯－芯偏差熔接時間0LID接收器光纖2微彎耦合器

熔接機對準方式保證工作區(qū)域及工具(涂層剝離器、光纖切割刀、熔接機)的清潔優(yōu)質(zhì)的光纖以及適當?shù)娜劢訖C類型做好熔接前的光纖準備工作

剝離涂層以裸露出光纖包層

仔細清潔已剝離出的光纖

使用光纖切割刀按要求長度切割光纖端面精確的對準

小心地將切割好的光纖端面正確放入熔接機的“”V””型槽內(nèi)通過熔接機進行精確對準適當?shù)娜劢訁?shù)

穩(wěn)定的放電電弧;對各種環(huán)境因素的有效補償(溫度、海拔等)對熔接點的保護熔接質(zhì)量的必要條件

光纖的幾何尺寸光纖的切割角度

V型槽里的異物光纖的熔融性能熔接機電極狀態(tài) 熔接機機械對準精度可能造成熔接損耗大的原因如果光纖芯徑8m，錯位2m導致0.7db衰減如果要求接頭損耗<0.1dB，纖芯錯位一定要<0.8m2m光纖1光纖2可能造成熔接損耗大的原因光纖的幾何尺寸：纖芯纖芯有1夾角，導致0.45dB接頭損耗如果要求接頭損耗<0.1dB，纖芯夾角應<0.31光纖1光纖2可能造成熔接損耗大的原因光纖的幾何尺寸:纖芯軸向夾角傾角1時，導致0.2dB接頭損耗1光纖1光纖2可能造成熔接損耗大的原因光纖的幾何尺寸:光纖端面傾斜芯徑相差10%，損耗增加0.01dB光纖1光纖2可能造成熔接損耗大的原因光纖的幾何尺寸:光纖芯徑不同固定V型槽熔接機能獲得平均熔接損耗低于0.05dB的效果但前提是光纖具有較低的幾何偏心度以及V型槽的精度較高。 d1d2<<d1d1=熔接前兩側(cè)光纖的偏差d2=熔接后兩側(cè)光纖的偏差可能造成熔接損耗大的原因影響熔接過程的因素:光纖的端面質(zhì)量糟糕的端面質(zhì)量如端面切割角過大，機械損傷，灰塵粒子等，會使對準、熔接過程出現(xiàn)兩側(cè)光纖的纖心偏差而使得熔接損耗增加。影響熔接過程的因素:V型槽內(nèi)的污染物附著在光纖包層上或V型槽內(nèi)的污染物會導致兩側(cè)光纖