太陽(yáng)電池用SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的制備與性能研究的開(kāi)題報(bào)告一、選題背景及意義太陽(yáng)能電池以其環(huán)保能源、可再生能源等特點(diǎn)受到了廣泛的關(guān)注，目前主要有單晶硅太陽(yáng)能電池和多晶硅太陽(yáng)能電池等。但是傳統(tǒng)材料成本高、制作工藝復(fù)雜等問(wèn)題亟待解決。因此，研究新型太陽(yáng)能電池材料及制備工藝有重要的現(xiàn)實(shí)意義。本研究擬采用SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜，將其作為太陽(yáng)能電池的光學(xué)吸收層以及P型導(dǎo)電層，研究其在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用效果。希望通過(guò)本研究，提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率，以應(yīng)對(duì)可再生能源的需求，解決能源短缺與環(huán)境污染帶來(lái)的挑戰(zhàn)。二、研究?jī)?nèi)容1、制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的生長(zhǎng)工藝和工藝參數(shù)控制。2、對(duì)制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜進(jìn)行表征，包括結(jié)構(gòu)、形貌等性質(zhì)。3、設(shè)計(jì)太陽(yáng)能電池器件，并采用所制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜來(lái)制作光學(xué)吸收層以及P型導(dǎo)電層。4、測(cè)試太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率，并分析其性能特點(diǎn)。5、分析制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的工藝優(yōu)缺點(diǎn)，并提出改進(jìn)建議。三、研究方法1、采用物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜。2、采用X射線衍射法（XRD）、掃描電鏡（SEM）等手段，對(duì)所制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜進(jìn)行表征。3、在已有的太陽(yáng)能電池制備工藝基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)太陽(yáng)能電池器件，并采用所制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜來(lái)制作光學(xué)吸收層以及P型導(dǎo)電層。4、使用太陽(yáng)能模擬器測(cè)試太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率，并對(duì)其進(jìn)行性能優(yōu)化與分析。5、結(jié)合實(shí)驗(yàn)結(jié)果，分析SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜材料制備中存在的問(wèn)題，并提出改進(jìn)意見(jiàn)。四、預(yù)期結(jié)果1、獲得制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的生長(zhǎng)工藝和工藝參數(shù)控制。2、對(duì)SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜進(jìn)行表征，包括結(jié)構(gòu)、形貌等性質(zhì)。3、成功設(shè)計(jì)太陽(yáng)能電池器件，并采用所制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜來(lái)制作光學(xué)吸收層以及P型導(dǎo)電層。4、測(cè)試太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率，分析其性能特點(diǎn)。5、分析制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的工藝優(yōu)缺點(diǎn)，并提出改進(jìn)建議。五、參考文獻(xiàn)1、M.E.Mera-Adasme,R.Escobar-Galindo,A.Santana-Solano,V.Hernandez-Silva,“EffectofnitrogenflowrateduringSiNx:Hgrowthbyplasmaenhancedchemicalvapordepositiononthepassivationperformanceofmono-andmulticrystallinesiliconsolarcells,”MaterialsScienceinSemiconductorProcessing,vol.80,pp.78–84,2018.2、J.Solis,M.Garcia-Ramirez,P.S.Figueroa-Gutiérrez,A.Dobrynin,“SiNxlayerspreparedbyplasma-enhancedatomiclayerdepositionforsiliconsolarcells,”SolarEnergyMaterialsandSolarCells,vol.206,p.110275,2020.3、D.G.Iyamu,G.J.O.Oduselu,“TheeffectofnitrogengasflowrateontheopticalandelectricalpropertiesofsiliconnitridethinfilmdepositedbyPN-CVD,”JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,vol.29,no.21,pp.18217–18224,2018.4、Z.Fu,L.Zeng,L.Chen,H.Huang,G.Zou,W.Liu,“Preparationofpoly-Sithinfilmb