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文檔簡介

關于曹遜“氧化鋅基同質結構的透明RRAM元器件及制作方法”專利的公示根據上海有關部門2010年非上海生源畢業(yè)生申請進滬材料，“畢業(yè)生在本人最高學歷學習期間獲得或申請專利的，須提交專利證書復印件或專利申請受理證明（驗原件），并須提供經校級就業(yè)主管部門在本校網站上公示無異議的書面證明材料原件”之規(guī)定，現(xiàn)將曹遜同學的專利情況公示如下：

中國科學院上海硅酸鹽研究所申請的專利“氧化鋅基同質結構的透明RRAM元器件及制作方法”發(fā)明人之一為我所2010年畢業(yè)生曹遜，學號200718004022020。專利材料見附件。

公示時間：2010年4月12日至2010年4月18日附件1：附件2：

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