匯報(bào)人：陳明哲2024-08-012024-2025半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展報(bào)告contents目錄定義或者分類特點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展歷程政治環(huán)境商業(yè)模式政治環(huán)境contents目錄經(jīng)濟(jì)環(huán)境社會(huì)環(huán)境技術(shù)環(huán)境發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素行業(yè)壁壘行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)痛點(diǎn)問(wèn)題及解決方案行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)前景機(jī)遇與挑戰(zhàn)競(jìng)爭(zhēng)格局代表性企業(yè)01半導(dǎo)體存儲(chǔ)器定義定義半導(dǎo)體存儲(chǔ)器又稱存儲(chǔ)芯片，是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有體積小、存儲(chǔ)速度快等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域。根據(jù)功能的不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）兩類:隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）:RandomAccessMemory，即隨機(jī)存儲(chǔ)器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。RAM可隨時(shí)讀寫且速度快，但任何RAM中存儲(chǔ)的信息在斷電后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將丟失。（2）只讀存儲(chǔ)器（ROM）:只讀存儲(chǔ)器是一種只能讀取事先存儲(chǔ)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，即使斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)改變。ROM的制造成本低，常用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)據(jù)。根據(jù)可編程或可抹除可編程功能，ROM可分為PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM和FlashMemory。FlashMemory是當(dāng)前主流存儲(chǔ)器，其結(jié)合了ROM和RAM的特點(diǎn)，不僅具備電子可擦除可編程的性能，能夠快速讀取數(shù)據(jù)而且斷電時(shí)不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，主要用于U盤、MP3、硬盤等產(chǎn)品。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器定義02產(chǎn)業(yè)鏈硅片、光刻膠、拋光液、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測(cè)測(cè)試設(shè)備上游中游產(chǎn)業(yè)鏈010203中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈由上至下可分為上游原材料供應(yīng)商和設(shè)備供應(yīng)商，中游半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商及下游應(yīng)用領(lǐng)域硅片、光刻膠、拋光液、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測(cè)測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、硬盤、內(nèi)存、U盤半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、硬盤、內(nèi)存、U盤下游行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈上游概述中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游參與者為硅片、光刻膠、CMP拋光液等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備等設(shè)備供應(yīng)商。（1）硅片、光刻膠、CMP拋光液硅片、光刻膠、CMP拋光液是生產(chǎn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的主要原材料。①在硅片領(lǐng)域，由于半導(dǎo)體硅片對(duì)最終芯片的性能影響較大，半導(dǎo)體廠商對(duì)硅片的產(chǎn)品質(zhì)量及一致性要求極高，其純度須達(dá)99999999%以上。（2）光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備在上游設(shè)備方面，光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造過(guò)程中重要使用設(shè)備。光刻機(jī)價(jià)格高昂，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備使用中所占成本最高。中國(guó)光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化程度低于10%，光刻機(jī)市場(chǎng)被荷蘭ASML和日本尼康株式會(huì)社所壟斷，而高端光刻機(jī)市場(chǎng)幾乎被ASML壟斷。工藝制程及波長(zhǎng)是衡量光刻機(jī)設(shè)備的關(guān)鍵指標(biāo)，目前ASML的EUV光刻機(jī)工藝制程已達(dá)到7納米及以下、波長(zhǎng)為15納米，工藝精細(xì)度高；而中國(guó)上海微電子裝備股份有限公司最先進(jìn)的光刻機(jī)工藝制程為90納米，波長(zhǎng)約193納米，其設(shè)備制造工藝水平與ASML差距明顯。除了光刻機(jī)，目前中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商（北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、盛美半導(dǎo)體設(shè)備、中電科電子裝備）已有能力生產(chǎn)PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備，但中國(guó)在此類半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域內(nèi)的國(guó)產(chǎn)化程度不高于20%。美國(guó)、日本設(shè)備廠商研發(fā)的PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備技術(shù)已基本達(dá)到14或7納米以下的先進(jìn)制程，而中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商技術(shù)節(jié)點(diǎn)在65、45、28、14納米的水平。與此同時(shí)，美國(guó)、日本半導(dǎo)體設(shè)備廠商發(fā)展時(shí)間較早，設(shè)備制造工藝和應(yīng)用成熟度較高，對(duì)市場(chǎng)把控能力強(qiáng)。相比之下，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商研究起步晚，缺乏技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)積累，致使中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的設(shè)備性能與國(guó)外產(chǎn)商仍存在差距，競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力較弱，國(guó)外設(shè)備廠商的議價(jià)能力強(qiáng)。行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈中游概述中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的中游為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)、制造和銷售。其中半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片具有較高技術(shù)壁壘，致使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片開發(fā)難度高。目前半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)可分為IDM和Fabless兩種商業(yè)模式。在DRAM領(lǐng)域，全球DRAM市場(chǎng)長(zhǎng)期被三星、海力士、美光三家企業(yè)所壟斷，三家共占全球DRAM市場(chǎng)的90%，其中三星占全球DRAM市場(chǎng)的38%，市場(chǎng)占有率高。目前這三家DRAM廠商技術(shù)節(jié)點(diǎn)均已達(dá)到15～17納米之間，其中三星、海力士均已量產(chǎn)17納米級(jí)DRAM。受益于中國(guó)政府頒布的紅利政策，中國(guó)DRAM廠商加大了DRAM的研發(fā)力度?，F(xiàn)階段，中國(guó)合肥長(zhǎng)鑫和福州晉華加強(qiáng)在DRAM領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局。在合肥市政府資金支持下，合肥長(zhǎng)鑫在引進(jìn)國(guó)外設(shè)備基礎(chǔ)之上，已完成19納米DRAM研發(fā)，產(chǎn)品已進(jìn)入優(yōu)化階段。與此同時(shí)，合肥長(zhǎng)鑫也正在積極研發(fā)17納米DRAM。而中國(guó)福州晉華通過(guò)與臺(tái)灣聯(lián)電合作的方式共同開發(fā)DRAM技術(shù)，但由于受美國(guó)制裁，2018年美國(guó)商務(wù)部將福建晉華列入出口管制實(shí)體名單，禁止美國(guó)企業(yè)向其出售技術(shù)和產(chǎn)品，導(dǎo)致福州晉華業(yè)務(wù)發(fā)展受限。綜上所述，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商在3DNAND和DRAM領(lǐng)域取得較大進(jìn)步，已逐步擁有獨(dú)立研發(fā)和生產(chǎn)制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的能力，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程正在有序推進(jìn)，但與國(guó)外先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商相比，中國(guó)本土半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商技術(shù)仍存在差距，在全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力不強(qiáng)，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商的議價(jià)能力弱。行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈下游概述中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游參與者為消費(fèi)電子、信息通信、高新科技技術(shù)和汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)。在全球大力發(fā)展高新技術(shù)和“中國(guó)制造2025”深入推進(jìn)的背景下，人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等新興行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)向好，各類電子化和智能化設(shè)備都離不開以半導(dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是下游電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，其質(zhì)量直接影響到產(chǎn)品的穩(wěn)定性、集成度和產(chǎn)品良率。由于下游應(yīng)用領(lǐng)域廠商以產(chǎn)品功能或外觀差異化為切入點(diǎn)來(lái)提高產(chǎn)品銷量，行業(yè)下游企業(yè)對(duì)存儲(chǔ)器功能的需求日益精細(xì)化，行業(yè)下游應(yīng)用終端對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)發(fā)展具有導(dǎo)向性。隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)在下游應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)需求不斷增大，下游應(yīng)用產(chǎn)品的革新升級(jí)對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的快速發(fā)展具有重要促進(jìn)的作用，下游廠商議價(jià)能力將不斷提高。03發(fā)展歷程04政治環(huán)境描述工信部:《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》:指出要著力發(fā)展芯片設(shè)計(jì)業(yè)，開發(fā)高性能基礎(chǔ)電路產(chǎn)品，突破數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）、存儲(chǔ)器等高端通用芯片，加強(qiáng)體系架構(gòu)、算法、軟硬件協(xié)同等設(shè)計(jì)研究，開發(fā)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)等高端通用芯片，批量應(yīng)用于黨政軍和重大行業(yè)信息化領(lǐng)域，形成產(chǎn)業(yè)化和參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的能力。工信部:《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》:針對(duì)集成電路制造環(huán)節(jié)，提出要加快存儲(chǔ)芯片規(guī)模化量產(chǎn)，支持3DNANDFlash，適時(shí)布局DRAM和新型存儲(chǔ)器。與此同時(shí)，為了加快云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域核心技術(shù)研發(fā)，此政策還提出要開發(fā)基于新業(yè)態(tài)、新應(yīng)用的信息處理、傳感器、新型存儲(chǔ)等關(guān)鍵芯片及云操作系統(tǒng)等基礎(chǔ)軟件，提升信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力。:《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》:提出構(gòu)建先進(jìn)技術(shù)體系的規(guī)劃，即打造國(guó)際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)并實(shí)現(xiàn)根本性突破。政治環(huán)境1政治環(huán)境1工信部《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》:指出要著力發(fā)展芯片設(shè)計(jì)業(yè)，開發(fā)高性能基礎(chǔ)電路產(chǎn)品，突破數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）、存儲(chǔ)器等高端通用芯片，加強(qiáng)體系架構(gòu)、算法、軟硬件協(xié)同等設(shè)計(jì)研究，開發(fā)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)等高端通用芯片，批量應(yīng)用于黨政軍和重大行業(yè)信息化領(lǐng)域，形成產(chǎn)業(yè)化和參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的能力。工信部《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》:針對(duì)集成電路制造環(huán)節(jié)，提出要加快存儲(chǔ)芯片規(guī)?；慨a(chǎn)，支持3DNANDFlash，適時(shí)布局DRAM和新型存儲(chǔ)器。與此同時(shí)，為了加快云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域核心技術(shù)研發(fā)，此政策還提出要開發(fā)基于新業(yè)態(tài)、新應(yīng)用的信息處理、傳感器、新型存儲(chǔ)等關(guān)鍵芯片及云操作系統(tǒng)等基礎(chǔ)軟件，提升信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力?！秶?guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》:提出構(gòu)建先進(jìn)技術(shù)體系的規(guī)劃，即打造國(guó)際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)并實(shí)現(xiàn)根本性突破?！秶?guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》提出要優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，推進(jìn)集成電路及專用設(shè)備關(guān)鍵核心技術(shù)的突破和應(yīng)用政治環(huán)境2《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問(wèn)題的通知》提出從2018年1月1日后投資新設(shè)的集成電路線寬小于130納米，且經(jīng)營(yíng)期在10年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)享受“兩免三減半”，即第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅；線寬小于65納米或投資額超過(guò)150億元，且經(jīng)營(yíng)期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)享受“五免五減半”，即第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，第六年至第十年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止?！蛾P(guān)于發(fā)布集成電路工程技術(shù)人員等職業(yè)信息的通知》為貫徹落實(shí)《關(guān)于推行終身職業(yè)技能培訓(xùn)制度的意見》提出的“緊跟新技術(shù)、新職業(yè)發(fā)展變化，建立職業(yè)分類動(dòng)態(tài)調(diào)整機(jī)制，加快職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)工作”要求，加快構(gòu)建與國(guó)際接軌、符合我國(guó)國(guó)情的現(xiàn)代職業(yè)分類體系，根據(jù)《中華人民共和國(guó)勞動(dòng)法》有關(guān)規(guī)定，面向社會(huì)持續(xù)公開征集新職業(yè)信息。《關(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)口稅收政策管理辦法的通知》集成電路線寬小于65納米的邏輯電路、存儲(chǔ)器生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)口國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料、消耗品等免征進(jìn)口關(guān)稅；集成電路用光刻膠、掩模版、8英寸及以上硅片生產(chǎn)企業(yè)，進(jìn)口國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)和生產(chǎn)設(shè)備（包括進(jìn)口設(shè)備和國(guó)產(chǎn)設(shè)備）零配件等免征進(jìn)口關(guān)稅。05商業(yè)模式06經(jīng)濟(jì)環(huán)境我國(guó)經(jīng)濟(jì)不斷發(fā)展，幾度趕超世界各國(guó)，一躍而上，成為GDP總量?jī)H次于美國(guó)的唯一一個(gè)發(fā)展中國(guó)家。我國(guó)經(jīng)濟(jì)趕超我國(guó)人口基數(shù)大，改革開放后人才競(jìng)爭(zhēng)激烈，大學(xué)生就業(yè)情況一直困擾著我國(guó)發(fā)展過(guò)程中。就業(yè)問(wèn)題挑戰(zhàn)促進(jìn)社會(huì)就業(yè)公平問(wèn)題需持續(xù)關(guān)注并及時(shí)解決，個(gè)人需提前做好職業(yè)規(guī)劃、人生規(guī)劃。公平就業(yè)關(guān)注經(jīng)濟(jì)環(huán)境經(jīng)濟(jì)環(huán)境2我國(guó)作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，一直以來(lái)都是存儲(chǔ)器產(chǎn)品最大的需求市場(chǎng)，而我國(guó)目前存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要依賴進(jìn)口。2019年，我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)6000億元。疫情影響逐漸減少，未來(lái)在企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)容量快速提升等因素驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)未來(lái)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)趨勢(shì)。經(jīng)濟(jì)發(fā)展環(huán)境07社會(huì)環(huán)境關(guān)注就業(yè)公平與提前規(guī)劃促進(jìn)社會(huì)就業(yè)公平問(wèn)題需持續(xù)關(guān)注并及時(shí)解決，對(duì)于個(gè)人來(lái)說(shuō)提前做好職業(yè)規(guī)劃、人生規(guī)劃也是人生發(fā)展的重中之重。政治體系與法治化進(jìn)程自改革開放以來(lái)，政治體系日趨完善，法治化進(jìn)程也逐步趨近完美，市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)體系也在不斷蓬勃發(fā)展?？傮w發(fā)展穩(wěn)中向好我國(guó)總體發(fā)展穩(wěn)中向好，宏觀環(huán)境穩(wěn)定繁榮，對(duì)于青年人來(lái)說(shuō)，也是機(jī)遇無(wú)限的時(shí)代。就業(yè)問(wèn)題與人才競(jìng)爭(zhēng)我國(guó)人口基數(shù)大，就業(yè)問(wèn)題一直是發(fā)展過(guò)程中面臨的挑戰(zhàn)，人才競(jìng)爭(zhēng)激烈，大學(xué)生畢業(yè)后就業(yè)情況、失業(yè)人士困擾國(guó)家發(fā)展。當(dāng)前的環(huán)境下我國(guó)經(jīng)濟(jì)不斷發(fā)展趕超世界各國(guó)，成為第二大經(jīng)濟(jì)體我國(guó)經(jīng)濟(jì)不斷發(fā)展，幾度趕超世界各國(guó)，一躍而上，成為GDP總量?jī)H次于美國(guó)的唯一一個(gè)發(fā)展中國(guó)家。就業(yè)問(wèn)題與人才競(jìng)爭(zhēng)我國(guó)人口基數(shù)大，就業(yè)問(wèn)題一直是發(fā)展過(guò)程中面臨的挑戰(zhàn)，人才競(jìng)爭(zhēng)激烈，大學(xué)生畢業(yè)后就業(yè)情況、失業(yè)人士困擾國(guó)家發(fā)展。關(guān)注就業(yè)公平與提前規(guī)劃促進(jìn)社會(huì)就業(yè)公平問(wèn)題需持續(xù)關(guān)注并及時(shí)解決，對(duì)于個(gè)人來(lái)說(shuō)提前做好職業(yè)規(guī)劃、人生規(guī)劃也是人生發(fā)展的重中之重。08技術(shù)環(huán)境技術(shù)驅(qū)動(dòng)技術(shù)環(huán)境的發(fā)展為行業(yè)帶來(lái)了新的機(jī)遇，是行業(yè)發(fā)展的重要驅(qū)動(dòng)力。創(chuàng)新動(dòng)力技術(shù)環(huán)境的不斷創(chuàng)新和進(jìn)步，為行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展提供了有力支持。人才需求技術(shù)環(huán)境的發(fā)展促進(jìn)了人才的需求和流動(dòng)，為行業(yè)的人才隊(duì)伍建設(shè)提供了機(jī)遇。團(tuán)隊(duì)建設(shè)技術(shù)環(huán)境的發(fā)展要求企業(yè)加強(qiáng)團(tuán)隊(duì)建設(shè)，提高員工的技能和素質(zhì)，以適應(yīng)快速變化的市場(chǎng)需求。合作與交流技術(shù)環(huán)境的發(fā)展促進(jìn)了企業(yè)間的合作與交流，推動(dòng)了行業(yè)的整體發(fā)展。技術(shù)環(huán)境010203040509發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素在國(guó)家政策和資金雙輪扶持下，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)間合作促進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)化布局，加快資源整合的步伐，加速完善中國(guó)在3DNAND和DRAM的產(chǎn)業(yè)建設(shè)，為中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來(lái)了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)力。現(xiàn)階段，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華這三家企業(yè)已成為中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的三大領(lǐng)先企業(yè)。政策支持近年來(lái)，中國(guó)政府頒布《智能制造》、《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》、《智能制造發(fā)展規(guī)劃（2016-2020）》等一系列政策，大力發(fā)展AI、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等高新技術(shù)，促進(jìn)集成電路行業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是集成電路的重要分支，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器需求占整體集成電路市場(chǎng)的20%左右。因此，在全球集成電路行業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移的大勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商相繼在中國(guó)建廠，如英特爾、三星、海力士均已在中國(guó)布局半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)，建立半導(dǎo)體存儲(chǔ)制造廠，帶動(dòng)了中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)能增長(zhǎng)以及產(chǎn)業(yè)調(diào)整和優(yōu)化升級(jí)，為中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來(lái)新的增長(zhǎng)動(dòng)力。集成電路行業(yè)持續(xù)向好，刺激半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展以智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)等消費(fèi)電子領(lǐng)域和云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等高新科技技術(shù)領(lǐng)域?yàn)榇淼陌雽?dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用推動(dòng)了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，促進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)不斷擴(kuò)大。下游應(yīng)用市場(chǎng)需求激增中國(guó)作為全球電子產(chǎn)品的主要加工地，同時(shí)擁有著全球最多的網(wǎng)民，對(duì)于存儲(chǔ)器的需求量龐大，但由于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片技術(shù)限制，目前我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器仍大量依賴進(jìn)口，行業(yè)進(jìn)口替代空間廣闊。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)口替代空間廣闊10行業(yè)壁壘11行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)12行業(yè)現(xiàn)狀市場(chǎng)情況描述行業(yè)現(xiàn)狀在國(guó)家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基地于2016年開工建設(shè)。半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓寬。在“中國(guó)制造2025”計(jì)劃推行的背景下，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)研究加快。當(dāng)前中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在各領(lǐng)域的應(yīng)用處于起步發(fā)展階段，可成熟應(yīng)用各相關(guān)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品的企業(yè)數(shù)量稀少。全球DRAM、NORFlash、NANDFlash市場(chǎng)被韓國(guó)、日本、美國(guó)企業(yè)所占據(jù)，其中韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光三家制造商在DRAM和NANDFlash兩種主流存儲(chǔ)芯片占據(jù)了65%~70%的市場(chǎng)。在國(guó)家政策的扶持下，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商在引進(jìn)國(guó)外技術(shù)和自主研發(fā)基礎(chǔ)上持續(xù)提升研發(fā)及應(yīng)用水平，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華、兆易創(chuàng)新四家制造商在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研發(fā)力度不斷增強(qiáng)，在DRAM和Flash領(lǐng)域突破技術(shù)壁壘。中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功研發(fā)和生產(chǎn)32層3DNAND，合肥長(zhǎng)鑫也完成19納米DRAM研發(fā)，兆易創(chuàng)新突破國(guó)外廠商在中低端容量的NORFlash技術(shù)壁壘，推出各類NORFlash產(chǎn)品。然而中國(guó)對(duì)國(guó)外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)依賴性高，與國(guó)外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商相比，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)不具備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器仍需進(jìn)一步增強(qiáng)自身競(jìng)爭(zhēng)力。行業(yè)現(xiàn)狀01市場(chǎng)份額變化半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息數(shù)據(jù)的重要核心部件，受益于各國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展的支持，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商積極推進(jìn)存儲(chǔ)器生產(chǎn)線擴(kuò)張以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能釋放。在經(jīng)歷2013～2014年連續(xù)增長(zhǎng)后，2015年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)陷入困境，其主要原因是存儲(chǔ)器廠商產(chǎn)品良率提升緩慢等因素。與此同時(shí)，2015年全球大宗商品跌價(jià)、貿(mào)易和資本流動(dòng)疲軟，導(dǎo)致2015全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)低于預(yù)期。受整體經(jīng)濟(jì)形勢(shì)低迷影響，消費(fèi)電子產(chǎn)品行業(yè)增速放緩致使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)低迷，導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲(chǔ)器庫(kù)存增多，從而致使全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器供需局面惡化，產(chǎn)品價(jià)格暴跌。直到2016年下半年，全球經(jīng)濟(jì)回暖，消費(fèi)電子市場(chǎng)向好，智能手機(jī)從1G、2G逐步發(fā)展到4G，促使智能手機(jī)的RAM內(nèi)存的提升，刺激RAM存儲(chǔ)器需求，帶動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷量逐漸增加上升。2017年，行業(yè)龍頭Flash廠商從2D向3D制程工藝過(guò)渡，加上2017年服務(wù)器市場(chǎng)及移動(dòng)市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器容量需求激增，2017年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售規(guī)模接近1,240.3億美元，較2016年增長(zhǎng)58%。2018年，伴隨著全球存儲(chǔ)器廠商產(chǎn)品良率上升，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能逐步釋放，2018年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售規(guī)模達(dá)到1,512億美元行業(yè)現(xiàn)狀02市場(chǎng)情況在全球電子信息行業(yè)發(fā)展加快和存儲(chǔ)器技術(shù)日益成熟的驅(qū)動(dòng)下，全球電子行業(yè)產(chǎn)品將迎來(lái)新一輪變革。新一代云服務(wù)、物聯(lián)網(wǎng)等高新科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將推動(dòng)全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用終端領(lǐng)域擴(kuò)大，成為推動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展的主要?jiǎng)恿Γ雽?dǎo)體存儲(chǔ)器銷售規(guī)模有望進(jìn)一步擴(kuò)大。長(zhǎng)期來(lái)看，隨著中國(guó)合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華和長(zhǎng)江存儲(chǔ)等本土企業(yè)不斷提升研發(fā)創(chuàng)新能力和制造工藝技術(shù)水平，本土品牌有望迅速壯大，逐步參與全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)。未來(lái)五年內(nèi)，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)能將加速釋放，產(chǎn)品在下游應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的滲透率將持續(xù)提升，且下游應(yīng)用需求將保持增長(zhǎng)趨勢(shì)。2023年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售規(guī)模將達(dá)到2,689億美元，市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭良好。行業(yè)現(xiàn)狀半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)口替代空間廣闊中國(guó)作為全球電子產(chǎn)品的主要加工地，同時(shí)擁有著全球最多的網(wǎng)民，對(duì)于存儲(chǔ)器的需求量龐大，但由于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片技術(shù)限制，目前我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器仍大量依賴進(jìn)口，行業(yè)進(jìn)口替代空間廣闊。數(shù)據(jù)顯示，截至2020年我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)出口額分別為6607億元、3890.5億元，實(shí)現(xiàn)貿(mào)易逆差高達(dá)2712億元。01從存儲(chǔ)器細(xì)分產(chǎn)品來(lái)看DRAM和NANDFlash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的市場(chǎng)份額。根據(jù)ICInsights發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM銷售額在2020年約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的53%，F(xiàn)lash的比重約達(dá)到45%，其中NANDFlash占比達(dá)44%，NORFlash占比達(dá)1%。0213行業(yè)痛點(diǎn)行業(yè)痛點(diǎn)010203半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是集成電路重要的分支，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器人才不僅需要掌握化學(xué)、物理、電子自動(dòng)化、半導(dǎo)體行業(yè)的專業(yè)知識(shí)，也要具備存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)、制造能力。因此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器人才需求呈現(xiàn)多樣性特點(diǎn)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商對(duì)多學(xué)科交叉的復(fù)合型人才需求較大。在國(guó)家利好的政策的推動(dòng)下，自2003年以來(lái)，中國(guó)科技部和教育部批準(zhǔn)并構(gòu)建了以清華大學(xué)、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、浙江大學(xué)等為代表的高校建設(shè)國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地，中國(guó)集成電路人才培養(yǎng)基地的布局初步形成。但由于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)是尖端技術(shù)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域內(nèi)的實(shí)際工作要求技術(shù)人員具備較強(qiáng)的實(shí)際操作經(jīng)驗(yàn)，也要求從業(yè)人員長(zhǎng)期學(xué)習(xí)并在工作不斷累積操作經(jīng)驗(yàn)，還要求技術(shù)人才對(duì)先進(jìn)高端設(shè)備與軟件操作有一定適應(yīng)性能力。而中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展時(shí)間較短，現(xiàn)階段還處在初步發(fā)展期，專業(yè)人才技術(shù)基礎(chǔ)仍較為薄弱。即使中國(guó)已擁有集成電路人才培養(yǎng)基地，但中國(guó)高端半導(dǎo)體存儲(chǔ)器人才仍處于呈現(xiàn)稀缺狀態(tài)。專業(yè)人才缺乏半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)起步晚，缺乏技術(shù)經(jīng)驗(yàn)累積，致使中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)基礎(chǔ)較為薄弱。雖然中國(guó)本土長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福州晉華三大半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)已逐步完善NAND和DRAM產(chǎn)業(yè)布局，但各家半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品仍處于投產(chǎn)初期，尚未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)。與國(guó)外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商相比，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)基礎(chǔ)薄弱。技術(shù)基礎(chǔ)薄弱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)屬于資本和技術(shù)密集型行業(yè)，資本壁壘和技術(shù)壁壘較高，目前行業(yè)內(nèi)僅有少數(shù)幾家規(guī)模和技術(shù)實(shí)力較為雄厚的企業(yè)可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的生產(chǎn)，行業(yè)集中度較高。與國(guó)外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)對(duì)比，我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)實(shí)力較為薄弱。大陸龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新2020年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售額383億元，占國(guó)內(nèi)總營(yíng)收份額僅7%。資本壁壘和技術(shù)壁壘較高14問(wèn)題及解決方案15行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)前景行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)前景描述新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研發(fā)步伐加快:目前市場(chǎng)主流存儲(chǔ)器產(chǎn)品是DRAM和NAND。但隨著信息化進(jìn)程加快和用戶數(shù)據(jù)保護(hù)意識(shí)增加，現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的不足逐步凸顯，無(wú)法適應(yīng)新興產(chǎn)業(yè)的需求。如DRAM雖然數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度快，但容量小，斷電后數(shù)據(jù)丟失；而NAND雖然容量大，但訪問(wèn)速度慢。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商積極研發(fā)新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，以同時(shí)滿足DRAM高速度、高壽命和NAND低成本、非易失的特點(diǎn)。在此背景下，各大半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商推出了磁阻存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器、阻變存儲(chǔ)器等新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，且針對(duì)這些新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)行專利布局。從專利申請(qǐng)數(shù)量上看，目前半導(dǎo)體存儲(chǔ)器巨頭三星、東芝、美光和海力士在這三種新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器布局大量專利，其中三星在磁阻存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器、阻變存儲(chǔ)器專利數(shù)量位居第一，專利數(shù)量達(dá)到4,645件，領(lǐng)先其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商。目前新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研發(fā)步伐加快，各類新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程各不相同，產(chǎn)業(yè)路徑還未明確，但新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將成為未來(lái)行業(yè)新的主導(dǎo)方向。中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)步:在中國(guó)“互聯(lián)網(wǎng)+”持續(xù)發(fā)展的背景下，中國(guó)信息化進(jìn)程加快，視頻、監(jiān)控、數(shù)字電視、社交網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用逐漸普及，中國(guó)“數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)”時(shí)代刺激新興市場(chǎng)及個(gè)人消費(fèi)者對(duì)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)。受此影響，中國(guó)政府通過(guò)政策引導(dǎo)和產(chǎn)業(yè)資金扶持，鼓勵(lì)本土半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)，以減少與國(guó)外企業(yè)的差距，實(shí)現(xiàn)中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器自主研發(fā)，加快國(guó)產(chǎn)化進(jìn)口。當(dāng)前中國(guó)形成了以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為代表的NAND生產(chǎn)商，以合肥長(zhǎng)鑫和福州晉華為代表的DRAM制造商的行業(yè)布局。整體而言，國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)之間合作研發(fā)力度加大，半導(dǎo)體企業(yè)和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)合作愈加緊密，本土半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)研發(fā)動(dòng)力不斷增強(qiáng)，中國(guó)有望在5年內(nèi)提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)水平，提升產(chǎn)品本土自給率。行業(yè)集中度將會(huì)進(jìn)一步提升:在國(guó)家政策的支持以及激烈市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的驅(qū)動(dòng)下，未來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)更加激烈，實(shí)力不足的小企業(yè)將會(huì)被迫退出市場(chǎng)，行業(yè)集中度將會(huì)進(jìn)一步提升。16機(jī)遇與挑戰(zhàn)17競(jìng)爭(zhēng)格局競(jìng)爭(zhēng)格局半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)屬于技術(shù)、資金雙密集產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)、工藝復(fù)雜、資金投入高，對(duì)企業(yè)研發(fā)能力、技術(shù)經(jīng)驗(yàn)積累、資金實(shí)力均有較高的要求。因此，行業(yè)內(nèi)從事相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量稀少，參與主體主要以規(guī)模較大和資金實(shí)力雄厚的廠商為主，行業(yè)市場(chǎng)集中度高。受