集成電路設(shè)計（第4版） 課件 6.4-5 JFET與MESFET模型_第1頁
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第6章集成電路器件及SPICE模型26.1無源器件結(jié)構(gòu)及模型6.2二極管電流方程及SPICE模型6.3雙極晶體管電流方程及SPICE模型6.4結(jié)型場效應(yīng)管JFET模型6.5MESFET模型6.6MOS管電流方程及SPICE模型N溝JFET的結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號3結(jié)型場效應(yīng)JFET(NJF/PJF)

模型JFET模型源于Shichman和Hodges給出的FET模型。其直流特性由反映漏極電流隨柵極電壓變化的參數(shù)VTO和BETA、確定輸出電導(dǎo)的參數(shù)LAMBDA和柵-源結(jié)與柵-漏結(jié)飽和電流的參數(shù)IS共同描述。包含了RD和RS兩個歐姆電阻。其電荷存儲效應(yīng)由隨結(jié)電壓的平方根變化的柵-源與柵-漏兩個結(jié)的非線性耗盡層電容模擬，參數(shù)為CGS，CGD和PB。456.1無源器件結(jié)構(gòu)及模型6.2二極管電流方程及SPICE模型6.3雙極晶體管電流方程及SPICE模型6.4結(jié)型場效應(yīng)管JFET模型6.5MESFET模型6.6MOS管電流方程及SPICE模型6.7SPICE數(shù)?；旌戏抡娉绦虻脑O(shè)計流程及方法（見CH06-2課件）MESFET模型源于Statz等給出的GaAs模型其直流特性由反映漏極電流隨柵極電壓變化的參數(shù)VTO、B和BETA，并由確定飽和電壓的參數(shù)ALPHA和確定輸出電導(dǎo)的參數(shù)LAMBDA共同描述，表達(dá)式為模型包含了RD和RS兩個歐姆電阻。其電荷存儲效應(yīng)由隨結(jié)電壓的平方根變化的柵-源與柵-

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