招聘集成電路設(shè)計(jì)崗位筆試題與參考答案(某大型集團(tuán)公司)一、單項(xiàng)選擇題（本大題有10小題，每小題2分，共20分）1、在CMOS邏輯門電路中，當(dāng)輸入信號(hào)從高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，確保輸出信號(hào)正確翻轉(zhuǎn)的關(guān)鍵因素是什么？A.PMOS晶體管的導(dǎo)通B.NMOS晶體管的截止C.PMOS與NMOS晶體管的閾值電壓差異D.電源電壓的穩(wěn)定性答案：C解析：在CMOS邏輯門電路中，信號(hào)從高電平到低電平的翻轉(zhuǎn)涉及到PMOS導(dǎo)通而NMOS截止的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。然而，關(guān)鍵在于PMOS與NMOS晶體管的閾值電壓差異，這決定了何時(shí)PMOS開始導(dǎo)通以及NMOS開始截止，從而確保了信號(hào)翻轉(zhuǎn)的正確性。2、下列哪一項(xiàng)不是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中的主要考慮因素？A.功耗B.面積C.運(yùn)行速度D.顏色答案：D解析：數(shù)字集成電路的設(shè)計(jì)通常需要優(yōu)化功耗、面積和運(yùn)行速度等性能指標(biāo)。顏色并不是一個(gè)技術(shù)性的考量因素，因?yàn)樾酒念伾粫?huì)影響其功能或者性能。因此，選項(xiàng)D不屬于數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的主要考慮因素。3、集成電路設(shè)計(jì)中，以下哪個(gè)術(shù)語(yǔ)指的是集成電路中連接不同元件的導(dǎo)線？A.邏輯門B.傳輸門C.連線（Routing）D.電源（Power）答案：C解析：選項(xiàng)C“連線（Routing）”正確。在集成電路設(shè)計(jì)中，連線（Routing）指的是集成電路中連接不同元件的導(dǎo)線，負(fù)責(zé)信號(hào)在不同元件之間的傳輸。4、以下哪個(gè)技術(shù)是用來(lái)提高集成電路中晶體管開關(guān)速度的方法？A.多晶硅技術(shù)B.CMOS技術(shù)C.互補(bǔ)晶體管技術(shù)D.射頻技術(shù)答案：B解析：選項(xiàng)B“CMOS技術(shù)”正確。CMOS（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor）技術(shù)是一種常用的集成電路制造技術(shù)，它通過(guò)互補(bǔ)的N溝道和P溝道晶體管來(lái)提高開關(guān)速度，降低功耗，是提高集成電路中晶體管開關(guān)速度的有效方法。其他選項(xiàng)雖然也與集成電路相關(guān)，但不是專門用來(lái)提高開關(guān)速度的技術(shù)。5、在CMOS邏輯門電路中，為了提高電路的速度，可以采取以下哪種措施？A.增加MOS管的寬度B.減小MOS管的長(zhǎng)度C.提高電源電壓D.降低電源電壓答案：C.提高電源電壓解析：在CMOS技術(shù)中，提高電源電壓能夠增加晶體管的閾值電流，從而加快開關(guān)速度。但是需要注意的是，提高電源電壓也會(huì)增加功耗，并且可能對(duì)器件的可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。6、下列哪一項(xiàng)不是減少互連線延遲的有效方法？A.使用銅代替鋁作為互連材料B.減小互連線的寬度C.引入低介電常數(shù)的絕緣材料D.優(yōu)化布局布線設(shè)計(jì)答案：B.減小互連線的寬度解析：減小互連線的寬度通常會(huì)增加電阻，這會(huì)導(dǎo)致電阻-電容（RC）延遲增加。而使用銅作為互連材料可以減少電阻，引入低k（低介電常數(shù)）絕緣材料能減少電容效應(yīng)，優(yōu)化布局布線則能最小化不必要的路徑長(zhǎng)度和交叉，這些都是有效的減少延遲的方法。7、在集成電路設(shè)計(jì)中，以下哪個(gè)模塊通常負(fù)責(zé)將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為所需格式的內(nèi)部信號(hào)？A.集成運(yùn)算放大器B.數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器C.存儲(chǔ)器D.邏輯門答案：B解析：數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器（如ADC或DAC）是負(fù)責(zé)將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為所需格式的內(nèi)部信號(hào)的模塊。集成運(yùn)算放大器通常用于放大或調(diào)節(jié)信號(hào)，存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，邏輯門用于執(zhí)行基本的邏輯操作。因此，選項(xiàng)B是正確答案。8、在集成電路設(shè)計(jì)中，以下哪種技術(shù)用于提高電路的功耗效率？A.硅基CMOS技術(shù)B.邏輯門級(jí)優(yōu)化C.功耗門控技術(shù)D.布局布線優(yōu)化答案：C解析：功耗門控技術(shù)是一種用于提高電路功耗效率的技術(shù)，通過(guò)在不需要的時(shí)域內(nèi)關(guān)閉電路中的某些部分來(lái)減少功耗。硅基CMOS技術(shù)是一種制造集成電路的技術(shù)，邏輯門級(jí)優(yōu)化和布局布線優(yōu)化也是提高電路性能的方法，但它們并不是直接用于提高功耗效率的。因此，選項(xiàng)C是正確答案。9、在CMOS工藝中，當(dāng)需要一個(gè)高阻態(tài)電阻時(shí)，通常的做法是：A.使用長(zhǎng)的channel長(zhǎng)度的MOS晶體管來(lái)模擬；B.直接使用金屬線來(lái)實(shí)現(xiàn)；C.在版圖上放置實(shí)際的電阻元件；D.利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。【答案】A【解析】在CMOS電路設(shè)計(jì)中，由于集成電路上的實(shí)際高阻值電阻占用面積大且不精確，常用的方法是使用長(zhǎng)通道長(zhǎng)度的MOS晶體管來(lái)模擬高阻態(tài)。這種方法不僅節(jié)省芯片面積，而且可以通過(guò)調(diào)整MOS晶體管的尺寸來(lái)獲得所需的阻值。10、在數(shù)字邏輯電路設(shè)計(jì)中，減少邏輯門延遲的有效方法是：A.增加電源電壓；B.減少邏輯門的輸入信號(hào)數(shù)量；C.使用靜態(tài)CMOS邏輯而不是動(dòng)態(tài)CMOS邏輯；D.優(yōu)化邏輯門的設(shè)計(jì)以減少其傳播延遲。【答案】D【解析】雖然增加電源電壓（選項(xiàng)A）可以提高速度，但這不是最有效的方法，因?yàn)闀?huì)增加功耗并可能引起可靠性問(wèn)題。減少輸入信號(hào)數(shù)量（選項(xiàng)B）可能不總是可行，因?yàn)檫@會(huì)影響功能實(shí)現(xiàn)。而靜態(tài)CMOS邏輯（選項(xiàng)C）本身已經(jīng)具有很低的靜態(tài)功耗，因此重點(diǎn)在于通過(guò)優(yōu)化邏輯門的設(shè)計(jì)（選項(xiàng)D）來(lái)減少其傳播延遲，這是減少邏輯門延遲的有效方法。二、多項(xiàng)選擇題（本大題有10小題，每小題4分，共40分）1、集成電路設(shè)計(jì)中的模擬電路設(shè)計(jì)主要包括以下哪些內(nèi)容？（）A、放大電路設(shè)計(jì)B、濾波電路設(shè)計(jì)C、振蕩電路設(shè)計(jì)D、穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)E、邏輯電路設(shè)計(jì)答案：A、B、C、D解析：集成電路設(shè)計(jì)中的模擬電路設(shè)計(jì)主要涉及放大電路、濾波電路、振蕩電路和穩(wěn)壓電路的設(shè)計(jì)。邏輯電路設(shè)計(jì)通常屬于數(shù)字電路設(shè)計(jì)的范疇，因此不在模擬電路設(shè)計(jì)的范圍內(nèi)。選項(xiàng)E是錯(cuò)誤的，正確答案是A、B、C、D。2、以下哪些是集成電路設(shè)計(jì)中常用的半導(dǎo)體器件？（）A、晶體管B、二極管C、電阻D、電容E、電感答案：A、B、C、D、E解析：集成電路設(shè)計(jì)中常用的半導(dǎo)體器件包括晶體管、二極管、電阻、電容和電感。這些器件是構(gòu)建各種電路的基本元件。因此，所有選項(xiàng)A、B、C、D、E都是正確的。3、以下哪些技術(shù)是用于提高集成電路設(shè)計(jì)中的功耗效率的？（）A.電壓島技術(shù)B.功耗門控技術(shù)C.閃爍噪聲技術(shù)D.功耗優(yōu)化布局技術(shù)答案：ABD解析：A.電壓島技術(shù)：通過(guò)將芯片的不同部分工作在不同的電壓下，可以降低高功耗部分的功耗。B.功耗門控技術(shù)：通過(guò)關(guān)閉不活躍的晶體管，減少不必要的功耗。C.閃爍噪聲技術(shù)：主要用于提高電路的抗噪聲能力，而非直接降低功耗。D.功耗優(yōu)化布局技術(shù)：通過(guò)優(yōu)化晶體管布局，減少信號(hào)線長(zhǎng)度，降低功耗。4、在集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，以下哪些是模擬電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵步驟？（）A.建立電路模型B.電路仿真與驗(yàn)證C.電路布局與布線D.電路封裝設(shè)計(jì)答案：AB解析：A.建立電路模型：模擬電路設(shè)計(jì)需要建立準(zhǔn)確的電路模型，以便進(jìn)行后續(xù)的設(shè)計(jì)與仿真。B.電路仿真與驗(yàn)證：通過(guò)仿真軟件對(duì)電路進(jìn)行仿真，驗(yàn)證電路的性能是否滿足設(shè)計(jì)要求。C.電路布局與布線：這是數(shù)字電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵步驟，但對(duì)于模擬電路來(lái)說(shuō)，布局與布線相對(duì)次要。D.電路封裝設(shè)計(jì)：主要用于數(shù)字電路，與模擬電路設(shè)計(jì)關(guān)系不大。5、以下哪些技術(shù)是集成電路設(shè)計(jì)中常用的模擬電路技術(shù)？（）A.電流鏡技術(shù)B.運(yùn)算放大器技術(shù)C.數(shù)模轉(zhuǎn)換技術(shù)D.模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)答案：ABCD解析：集成電路設(shè)計(jì)中的模擬電路技術(shù)主要包括電流鏡技術(shù)、運(yùn)算放大器技術(shù)、數(shù)模轉(zhuǎn)換技術(shù)和模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)。這些技術(shù)是實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)處理、放大、轉(zhuǎn)換等功能的基礎(chǔ)。6、在集成電路設(shè)計(jì)中，以下哪些因素會(huì)影響電路的功耗？（）A.電路結(jié)構(gòu)B.工作頻率C.電路尺寸D.溫度答案：ABCD解析：集成電路設(shè)計(jì)中，電路的功耗受到多個(gè)因素的影響。電路結(jié)構(gòu)、工作頻率、電路尺寸和溫度都會(huì)影響電路的功耗。合理的電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化可以在一定程度上降低電路的功耗，提高能效。7、集成電路設(shè)計(jì)中，以下哪些技術(shù)屬于數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)？（）A.邏輯門電路設(shè)計(jì)B.模擬電路設(shè)計(jì)C.信號(hào)完整性分析D.版圖設(shè)計(jì)E.高速信號(hào)傳輸技術(shù)答案：A、C、D、E解析：數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)包括邏輯門電路設(shè)計(jì)、信號(hào)完整性分析、版圖設(shè)計(jì)和高速信號(hào)傳輸技術(shù)。模擬電路設(shè)計(jì)通常指的是模擬集成電路的設(shè)計(jì)，不屬于數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)。因此，正確答案是A、C、D、E。8、在集成電路設(shè)計(jì)中，以下哪些因素會(huì)影響電路的功耗？（）A.電路的供電電壓B.電路的工作頻率C.電路的負(fù)載D.電路的設(shè)計(jì)復(fù)雜度E.電路的制造工藝答案：A、B、C、D、E解析：電路的功耗受到多個(gè)因素的影響，包括供電電壓、工作頻率、負(fù)載、設(shè)計(jì)復(fù)雜度和制造工藝。供電電壓越高，電路功耗越大；工作頻率越高，功耗也會(huì)增加；電路的負(fù)載越重，功耗越大；設(shè)計(jì)復(fù)雜度越高，可能需要更多的晶體管和更復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)，從而增加功耗；制造工藝也會(huì)影響電路的功耗，如FinFET等先進(jìn)工藝可以降低功耗。因此，正確答案是A、B、C、D、E。9、集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，以下哪些技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高集成度芯片的關(guān)鍵技術(shù)？（）A.CMOS技術(shù)B.3D集成電路技術(shù)C.嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)D.數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)E.高速互連技術(shù)答案：ABCE解析：集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，實(shí)現(xiàn)高集成度的關(guān)鍵技術(shù)包括：A.CMOS技術(shù)：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)，是目前最廣泛應(yīng)用的集成電路制造技術(shù)。B.3D集成電路技術(shù)：通過(guò)垂直方向堆疊芯片，增加芯片的集成度。C.嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：將系統(tǒng)功能集成到單個(gè)芯片上，提高芯片的集成度。D.數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)：雖然對(duì)集成電路設(shè)計(jì)有重要意義，但不是實(shí)現(xiàn)高集成度的關(guān)鍵技術(shù)。E.高速互連技術(shù)：提高芯片內(nèi)部和芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸速度，有助于實(shí)現(xiàn)高集成度。10、以下關(guān)于集成電路測(cè)試的描述，正確的是哪些？（）A.電路測(cè)試分為功能測(cè)試和物理測(cè)試B.功能測(cè)試主要檢測(cè)電路是否滿足設(shè)計(jì)規(guī)格C.物理測(cè)試主要檢測(cè)電路的物理結(jié)構(gòu)是否正確D.電路測(cè)試方法包括自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）和人工測(cè)試E.電路測(cè)試的目的是確保電路質(zhì)量和性能答案：ABCE解析：集成電路測(cè)試的描述如下：A.電路測(cè)試分為功能測(cè)試和物理測(cè)試：這是正確的，功能測(cè)試主要檢測(cè)電路的功能是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格，物理測(cè)試主要檢測(cè)電路的物理結(jié)構(gòu)是否正確。B.功能測(cè)試主要檢測(cè)電路是否滿足設(shè)計(jì)規(guī)格：這是正確的，功能測(cè)試是驗(yàn)證電路功能是否符合設(shè)計(jì)要求的關(guān)鍵步驟。C.物理測(cè)試主要檢測(cè)電路的物理結(jié)構(gòu)是否正確：這是正確的，物理測(cè)試用于檢測(cè)電路的物理結(jié)構(gòu)，如電路線寬、間距等是否符合設(shè)計(jì)要求。D.電路測(cè)試方法包括自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）和人工測(cè)試：這是正確的，ATE用于自動(dòng)化測(cè)試，人工測(cè)試則依賴于測(cè)試工程師的技能。E.電路測(cè)試的目的是確保電路質(zhì)量和性能：這是正確的，電路測(cè)試的主要目的是確保電路的質(zhì)量和性能，保證產(chǎn)品能夠穩(wěn)定運(yùn)行。三、判斷題（本大題有10小題，每小題2分，共20分）1、集成電路設(shè)計(jì)崗位中，數(shù)字電路設(shè)計(jì)主要關(guān)注硬件描述語(yǔ)言（HDL）的編寫，而模擬電路設(shè)計(jì)則主要關(guān)注電路原理圖的設(shè)計(jì)。答案：錯(cuò)誤解析：在集成電路設(shè)計(jì)崗位中，數(shù)字電路設(shè)計(jì)確實(shí)主要關(guān)注硬件描述語(yǔ)言（如VHDL、Verilog等）的編寫，用于描述數(shù)字邏輯的行為和結(jié)構(gòu)。而模擬電路設(shè)計(jì)則主要關(guān)注電路原理圖的設(shè)計(jì)，涉及模擬信號(hào)的處理和電路元件的選擇。兩者在設(shè)計(jì)方法和關(guān)注點(diǎn)上有明顯的區(qū)別。2、集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，前端設(shè)計(jì)指的是芯片的邏輯設(shè)計(jì)階段，而后端設(shè)計(jì)則是指芯片的制造和封裝階段。答案：錯(cuò)誤解析：在集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，前端設(shè)計(jì)通常指的是芯片的邏輯設(shè)計(jì)階段，包括電路設(shè)計(jì)、功能仿真、驗(yàn)證等。而后端設(shè)計(jì)則主要是指芯片的物理設(shè)計(jì)階段，包括布局布線、版圖設(shè)計(jì)、制造工藝選擇等。制造和封裝通常屬于后端設(shè)計(jì)的后續(xù)步驟，不屬于前端設(shè)計(jì)的范疇。3、集成電路設(shè)計(jì)崗位中，數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)主要關(guān)注電路的物理實(shí)現(xiàn)過(guò)程。（）答案：×解析：集成電路設(shè)計(jì)崗位中，數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)主要關(guān)注電路的功能實(shí)現(xiàn)和邏輯設(shè)計(jì)，而不是電路的物理實(shí)現(xiàn)過(guò)程。物理實(shí)現(xiàn)過(guò)程屬于制造工藝和版圖設(shè)計(jì)階段。4、集成電路設(shè)計(jì)中的時(shí)序分析主要是為了驗(yàn)證電路在特定時(shí)鐘頻率下的穩(wěn)定性和可靠性。（）答案：√解析：集成電路設(shè)計(jì)中的時(shí)序分析確實(shí)是為了驗(yàn)證電路在特定時(shí)鐘頻率下的穩(wěn)定性和可靠性。時(shí)序分析可以確保電路在不同工作條件下的時(shí)序要求得到滿足，從而保證電路的正常工作和性能。5、集成電路設(shè)計(jì)中的模擬電路設(shè)計(jì)通常比數(shù)字電路設(shè)計(jì)更復(fù)雜。答案：錯(cuò)誤解析：在集成電路設(shè)計(jì)中，數(shù)字電路設(shè)計(jì)通常比模擬電路設(shè)計(jì)更復(fù)雜。這是因?yàn)閿?shù)字電路設(shè)計(jì)涉及到邏輯門、觸發(fā)器等基本邏輯單元的組合，而模擬電路設(shè)計(jì)則涉及到電阻、電容、二極管、晶體管等模擬元件的精確匹配和調(diào)節(jié)，以及信號(hào)處理的連續(xù)性，因此在精度、穩(wěn)定性、線性度等方面要求更高，設(shè)計(jì)難度更大。6、集成電路設(shè)計(jì)中的版圖設(shè)計(jì)（Layout）是電路設(shè)計(jì)過(guò)程中的第一步。答案：錯(cuò)誤解析：在集成電路設(shè)計(jì)中，版圖設(shè)計(jì)（Layout）并不是電路設(shè)計(jì)的第一步。通常，電路設(shè)計(jì)的第一步是進(jìn)行電路原理圖（Schematic）設(shè)計(jì)，即設(shè)計(jì)電路的邏輯結(jié)構(gòu)和功能。版圖設(shè)計(jì)是在電路原理圖設(shè)計(jì)完成后，根據(jù)電路原理圖進(jìn)行物理布局的過(guò)程，是電路設(shè)計(jì)的后期步驟。7、集成電路設(shè)計(jì)中的“Verilog”是一種用于硬件描述語(yǔ)言的編程語(yǔ)言。答案：正確解析：Verilog是一種硬件描述語(yǔ)言（HDL），廣泛用于數(shù)字集成電路的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。它允許設(shè)計(jì)者用文本描述電路的行為、結(jié)構(gòu)和時(shí)序，從而在電路設(shè)計(jì)初期階段進(jìn)行仿真和驗(yàn)證。8、集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，模擬電路和數(shù)字電路的設(shè)計(jì)方法完全相同。答案：錯(cuò)誤解析：模擬電路和數(shù)字電路的設(shè)計(jì)方法有顯著差異。模擬電路設(shè)計(jì)側(cè)重于連續(xù)信號(hào)的建模和模擬，而數(shù)字電路設(shè)計(jì)則關(guān)注離散信號(hào)的處理。兩者在電路原理、設(shè)計(jì)流程、仿真方法和測(cè)試方法上都有所不同。9、集成電路設(shè)計(jì)中，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)是目前應(yīng)用最廣泛的工藝技術(shù)。（）答案：√解析：CMOS技術(shù)由于其低功耗、高集成度、良好的工作穩(wěn)定性和較長(zhǎng)的使用壽命，是目前集成電路設(shè)計(jì)中應(yīng)用最廣泛的工藝技術(shù)之一。10、在數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中，一個(gè)觸發(fā)器的時(shí)鐘周期決定了整個(gè)系統(tǒng)的時(shí)鐘頻率。（）答案：×解析：一個(gè)觸發(fā)器的時(shí)鐘周期是指觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)狀態(tài)所需的時(shí)間，而整個(gè)系統(tǒng)的時(shí)鐘頻率是指單位時(shí)間內(nèi)系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)的變化次數(shù)。時(shí)鐘頻率通常由系統(tǒng)中的最高時(shí)鐘源決定，而不是單個(gè)觸發(fā)器的時(shí)鐘周期。因此，一個(gè)觸發(fā)器的時(shí)鐘周期并不直接決定整個(gè)系統(tǒng)的時(shí)鐘頻率。四、問(wèn)答題（本大題有2小題，每小題10分，共20分）第一題題目：請(qǐng)簡(jiǎn)要描述集成電路設(shè)計(jì)中，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝的基本原理，并說(shuō)明其優(yōu)點(diǎn)。答案：CMOS工藝的基本原理：CMOS工藝是基于互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）的制造技術(shù)。它由N型溝道金屬氧化物半導(dǎo)體（NMOS）和P型溝道金屬氧化物半導(dǎo)體（PMOS）兩種類型的晶體管組成。在CMOS工藝中，NMOS晶體管和PMOS晶體管是成對(duì)出現(xiàn)的，它們分別用于實(shí)現(xiàn)電路的開關(guān)功能和反相功能。解析：1.基本原理：NMOS晶體管：當(dāng)柵極電壓高于源極電壓時(shí)，溝道導(dǎo)通，電流可以從源極流向漏極；當(dāng)柵極電壓低于源極電壓時(shí)，溝道截止，電流無(wú)法流動(dòng)。PMOS晶體管：當(dāng)柵極電壓低于源極電壓時(shí)，溝道導(dǎo)通，電流可以從源極流向漏極；當(dāng)柵極電壓高于源極電壓時(shí)，溝道截止，電流無(wú)法流動(dòng)。CMOS電路通過(guò)NMOS和PMOS晶體管的組合，可以實(shí)現(xiàn)邏輯門的功能，如與門、或門、非門等。2.優(yōu)點(diǎn)：低功耗：CMOS電路在靜態(tài)工作狀態(tài)下功耗極低，因?yàn)楫?dāng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，基本不消耗電流。高集成度：由于CMOS工藝的晶體管尺寸小，可以制造出高集成度的集成電路。工作速度快：CMOS電路的開關(guān)速度較快，適合制造高速邏輯電路?？垢蓴_能力強(qiáng)：CMOS電路對(duì)噪聲和干擾的抵抗能力較強(qiáng)，適用于惡劣的工作環(huán)境。穩(wěn)定性好：CMOS電路在溫