場(chǎng)效應(yīng)三極管復(fù)習(xí)：1.半導(dǎo)體二極管（單向?qū)щ娦裕?/p>

二極管=PN結(jié)+管殼+引線NP結(jié)構(gòu)符號(hào)陽(yáng)極+陰極-正向電流PN反向電流復(fù)習(xí)：2.PN結(jié)厚度的變化規(guī)律NPN型PNP型符號(hào):--NNP發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)ecb發(fā)射極集電極基極--PPN發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)ecb發(fā)射極集電極基極復(fù)習(xí)：3.晶體三極管（輸入電阻：rbe=1kΩ）從:IC

=β?IB

可以知道，三極管是電流控制電流型元件。測(cè)驗(yàn)11.二極管有怎樣的導(dǎo)電特性？2.怎樣改變二極管PN結(jié)的耗盡層的厚度；3.根據(jù)結(jié)構(gòu)分，三極管有哪2種？4.三極管的輸入電阻大約多大？5.怎樣知道三極管是什么樣的元件？場(chǎng)效應(yīng)三極管廣東機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)院房毅卓1場(chǎng)效應(yīng)管的分類FET分類：

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道二.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)（以N溝為例）：兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道。三個(gè)電極：

g：柵極

d：漏極

s：源極符號(hào)：N溝道P溝道

2.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理

（1）柵源電壓對(duì)溝道的控制作用在柵源間加負(fù)電壓uGS

，令uDS=0

①當(dāng)uGS=0時(shí)，為平衡PN結(jié)，導(dǎo)電溝道最寬。②當(dāng)│uGS│↑時(shí)，PN結(jié)加反向電壓時(shí)，耗盡層變寬，導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大。③當(dāng)│uGS│↑到一定值時(shí)，溝道會(huì)完全合攏。定義：

夾斷電壓UP——使導(dǎo)電溝道完全合攏（消失）所需要的柵源電壓uGS。

由于PN結(jié)加反向電壓，所以輸入電流IG非常小。

這種元件叫電壓控制型元件。測(cè)驗(yàn)21.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是怎樣的？2.按結(jié)構(gòu)分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有哪幾種？3.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的3各極的名稱是什么？4.為什么說(shuō)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的是電壓控制型元件？5.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的ID是怎樣控制的？6.請(qǐng)畫(huà)出2種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)。

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxide

SemiconductorFET)，簡(jiǎn)稱MOSFET。分為：

增強(qiáng)型

N溝道、P溝道耗盡型N溝道、P溝道

1.N溝道增強(qiáng)型MOS管（劈空掌）

（1）結(jié)構(gòu)

4個(gè)電極：漏極D，源極S，柵極G和襯底B。符號(hào)：虛線（變實(shí)）要增強(qiáng)二.絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管

當(dāng)uGS＞0V時(shí)→縱向電場(chǎng)→將靠近柵極下方的空穴向下排斥→耗盡層。（2）工作原理

當(dāng)uGS=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管，在d、s之間加上電壓也不會(huì)形成電流，即管子截止。

再增加uGS→縱向電場(chǎng)↑→將P區(qū)自由電子聚集到P區(qū)表面→形成自由電子導(dǎo)電溝道，如果此時(shí)加有漏源電壓，就可以形成漏極電流id。①柵源電壓uGS的控制作用NNP

定義：開(kāi)啟電壓（UT）——?jiǎng)倓偖a(chǎn)生溝道所需的柵源電壓UGS。

N溝道增強(qiáng)型MOS管的基本特性：

uGS

＜UT，管子截止，

uGS

＞UT，管子導(dǎo)通。

uGS

越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓uDS作用下，漏極電流ID越大。測(cè)驗(yàn)31.N溝道絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是怎樣的？2.增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)特點(diǎn)是什么？3.襯底是P型半導(dǎo)體，為什么叫N溝道？4.什么叫開(kāi)啟電壓（UT）？5.ID是怎樣控制的？

2.N溝道耗盡型MOSFET特點(diǎn)：

當(dāng)uGS=0時(shí)，就有溝道，加入uDS，就有iD。當(dāng)uGS＞0時(shí)，溝道增寬，iD進(jìn)一步增加。

當(dāng)uGS＜0時(shí)，溝道變窄，iD減小。

在柵極下方的SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當(dāng)uGS=0時(shí)，這些正離子吸引下面P型材料里的自由電子，形成了自由電子溝道。

定義：夾斷電壓（UP）——溝道剛剛消失所需的柵源電壓uGS。實(shí)線（變虛）要耗盡測(cè)驗(yàn)41.N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是怎樣的？2.N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)特點(diǎn)是什么？3.襯底是P型半導(dǎo)體，為什么叫N溝道？4.什么叫夾斷電壓（Up）？5.ID是怎樣控制的？場(chǎng)效應(yīng)管放大電路1.自偏壓電路2.分壓式自偏壓電路5.雙極型和場(chǎng)效應(yīng)型三極管的比較雙極型三極管

單極型場(chǎng)效應(yīng)管載流子2