標(biāo)準(zhǔn)解讀
《T/CIE 134-2022 磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試方法》是一項(xiàng)由中國電子學(xué)會(huì)發(fā)布的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),主要針對(duì)磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間進(jìn)行規(guī)范化的測(cè)試方法制定。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估MRAM在不同環(huán)境條件下的長期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)穩(wěn)定性。
標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了測(cè)試所需的基本設(shè)備與材料要求,包括但不限于溫度控制裝置、磁場(chǎng)發(fā)生器等,確保測(cè)試過程中能夠準(zhǔn)確模擬實(shí)際使用中可能遇到的各種環(huán)境變化。同時(shí),對(duì)于樣品準(zhǔn)備也給出了明確指導(dǎo),比如樣品的選擇原則、預(yù)處理步驟等,以保證測(cè)試結(jié)果的有效性和可比性。
關(guān)于測(cè)試程序,《T/CIE 134-2022》規(guī)定了一系列具體的操作流程,從初始狀態(tài)設(shè)置到最終數(shù)據(jù)分析都有詳盡說明。其中包括但不限于數(shù)據(jù)寫入方式、讀取驗(yàn)證機(jī)制以及如何通過改變外部條件(如溫度、磁場(chǎng)強(qiáng)度)來觀察并記錄數(shù)據(jù)保持特性隨時(shí)間的變化趨勢(shì)。
此外,本標(biāo)準(zhǔn)還特別強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)記錄的重要性,要求所有參與測(cè)試的人員必須嚴(yán)格按照規(guī)定格式記錄每次實(shí)驗(yàn)的具體參數(shù)及結(jié)果,并且對(duì)異常情況處理也有相應(yīng)建議,旨在提高測(cè)試過程的透明度和可靠性。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2022-08-10 頒布
- 2022-08-10 實(shí)施
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T/CIE 134-2022磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試方法-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡(jiǎn)介
ICS31200
CCSL.56
團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
T/CIE134—2022
磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試方法
Testmethodsfordataretentiontimeofmagneticrandom-accessmemorychips
2022-08-10發(fā)布2022-08-10實(shí)施
中國電子學(xué)會(huì)發(fā)布
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版
T/CIE134—2022
目次
前言
…………………………Ⅰ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
測(cè)試設(shè)備及條件
4…………………………2
測(cè)試設(shè)備和裝置
4.1……………………2
測(cè)試條件
4.2……………2
測(cè)試方法
5…………………2
通則
5.1…………………2
磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試
5.2……………3
測(cè)試原理
5.2.1………………………3
測(cè)試方法
5.2.2………………………4
測(cè)試記錄
5.2.3………………………5
參考文獻(xiàn)
………………………6
T/CIE134—2022
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任
。。
本文件由中國電子學(xué)會(huì)提出并歸口
。
本文件起草單位北京航空航天大學(xué)致真存儲(chǔ)北京科技有限公司中國電子科技集團(tuán)公司第五
:、()、
十八研究所上海佑磁信息科技有限公司北京時(shí)代民芯科技有限公司深圳亙存科技有限責(zé)任公司合
、、、、
肥致真精密設(shè)備有限公司
。
本文件主要起草人趙巍勝彭守仲李偉祥蘆家琪李月婷雷娜曹凱華王昭昊聶天曉
:、、、、、、、、、
張博宇劉佳豪劉照春王戈飛劉宏喜趙桂林帥喆孫杰杰王超盧輝王亮鄭宏超陸時(shí)進(jìn)
、、、、、、、、、、、、、
李鑫云曹安妮郭瑋何帆程厚義杜寅昌
、、、、、。
Ⅰ
T/CIE134—2022
磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試方法
1范圍
本文件規(guī)定了磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試方法的測(cè)試原理測(cè)試環(huán)境測(cè)試設(shè)備測(cè)試程
、、、
序等
。
本文件適用于磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試和磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)保持時(shí)間驗(yàn)證
。
2規(guī)范性引用文件
本文件沒有規(guī)范性引用文件
。
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件
。
31
.
磁隨機(jī)存儲(chǔ)器magneticrandom-accessmemoryMRAM
;
利用磁性層的磁矩作為信息存儲(chǔ)的載體利用隧穿磁阻效應(yīng)作為信息讀取方法具有非易失性近
,,、
乎無限次擦寫和快速寫入等優(yōu)點(diǎn)的隨機(jī)存儲(chǔ)器
。
32
.
數(shù)據(jù)保持時(shí)間dataretentiontime
磁隧道結(jié)或者磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片不進(jìn)行讀寫的情況下在允許錯(cuò)誤范圍內(nèi)能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定存儲(chǔ)的
,
最長時(shí)間
。
注數(shù)據(jù)保持時(shí)間決定了磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片的可靠性數(shù)據(jù)保持的定義見中的相關(guān)規(guī)定
:。GB/T35003—20183.2。
33
.
熱穩(wěn)定性thermalstability
磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片的耐熱性磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片在溫度影響下的穩(wěn)定性
,。
34
.
熱穩(wěn)定因子thermalstabilityfactor
Δ
表示熱波動(dòng)下自由層磁化方向隨機(jī)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的傾向用能量勢(shì)壘E和操作溫度T與玻爾茲曼常
。b
數(shù)k的乘積的比值來計(jì)算熱穩(wěn)定因子越大相同操作溫度下存儲(chǔ)中數(shù)據(jù)儲(chǔ)存時(shí)間越長
B。,。
35
.
垂直磁各向異性perpendicularmagneticanisotropyPMA
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