ICS

CCS

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CSAExx－20xx

汽車控制芯片電特性測(cè)試方法

Testmethodsforelectricalcharacteristicsofautomotivecontrolchips

（征求意見(jiàn)稿）

在提交反饋意見(jiàn)時(shí)，請(qǐng)將您知道的該標(biāo)準(zhǔn)所涉必要專利信息連同支持性文件一并附上。

DraftingguidelinesforcommercialgradesstandardofChinesemedicinalmaterials

20xx-xx-xx發(fā)布20xx-xx-xx實(shí)施

中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)發(fā)布

T/CSAExxx-20xx

汽車控制芯片電特性測(cè)試方法

1范圍

本文件規(guī)定了汽車控制芯片（以下簡(jiǎn)稱為芯片）的基本結(jié)構(gòu)及其電特性的測(cè)試條件和測(cè)試方法。

本文件適用于汽車控制芯片的電特性測(cè)試。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T17574—1998半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路

3術(shù)語(yǔ)和定義

本文件沒(méi)有需要界定的術(shù)語(yǔ)和定義。

4縮略語(yǔ)

下列縮略語(yǔ)適用于本文件。

ADC：模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（AnalogtoDigitalConverter）

CAN：控制器局域網(wǎng)（ControllerAreaNetwork）

CPU：中央處理單元（CentralProcessingUnit）

DAC：數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器（DigitaltoAnalogConvertor）

DUT：被測(cè)器件（DeviceUnderTest）

LIN：局部連接網(wǎng)絡(luò)（LocalInterconnectNetwork）

PMU：精密測(cè)量單元（PrecisionMeasurementUnit）

5芯片的基本結(jié)構(gòu)

5.1芯片的基本結(jié)構(gòu)包括CPU、存儲(chǔ)模塊、安全模塊、接口模塊等，見(jiàn)圖1。

3

T/CSAExxx—xxxx

圖1芯片基本結(jié)構(gòu)圖

5.2CPU，用于執(zhí)行汽車控制所需的任務(wù)，有單核和多核兩種配置。單核是指CPU僅包含一個(gè)核，每次

僅處理一項(xiàng)任務(wù)。多核是指CPU至少包含2個(gè)核，每個(gè)核獨(dú)立執(zhí)行任務(wù)，多核之間可以協(xié)同工作。

5.3存儲(chǔ)模塊，用于汽車控制任務(wù)所需的程序和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，包括易失性和非易失性存儲(chǔ)單元。

5.4接口模塊，用于與其他設(shè)備之間進(jìn)行通信,實(shí)現(xiàn)汽車控制任務(wù)所需的數(shù)據(jù)傳輸。典型的接口有ADC、

DAC、CAN、LIN等。

5.5安全模塊，用于支持汽車控制任務(wù)所需的芯片功能和數(shù)據(jù)的正確應(yīng)用，確保芯片級(jí)功能安全。

6電特性測(cè)試條件

6.1工作電壓

芯片由直流電源供電,可同時(shí)支持以下一種或多種電源供電電壓:

a）5.0V；

b）3.3V；

c）2.5V；

d）1.8V；

e）1.1V；

f）其他，可根據(jù)使用方要求或芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)稱的供電電壓。

6.2測(cè)試環(huán)境

測(cè)試時(shí)，可根據(jù)使用方要求或芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)的工作溫度范圍確定測(cè)試溫度條件。如使用方無(wú)特殊要

求，通常環(huán)境最高溫度宜為（125±2）℃，最低溫度宜為（-40±2）℃。如使用方有要求，可增加室溫

（23±5）℃的條件測(cè)試或其它溫度條件測(cè)試。

6.3其它條件

除另有規(guī)定外，芯片應(yīng)在環(huán)境最高溫度、最低溫度以及其他約定溫度下分別進(jìn)行電特性測(cè)試。

如支持多種電源供電電壓，應(yīng)在每種環(huán)境溫度條件下，對(duì)每種供電電壓進(jìn)行電特性測(cè)試。

7測(cè)試方法

7.1管腳電特性參數(shù)測(cè)試

7.1.1管腳開(kāi)/短路測(cè)試

7.1.1.1測(cè)試目的

4

T/CSAExxx-20xx

測(cè)試芯片管腳的開(kāi)路和短路情況。

7.1.1.2測(cè)試原理

芯片管腳開(kāi)/短路測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖2。

圖2管腳開(kāi)/短路測(cè)試原理圖

7.1.1.3測(cè)試要求

測(cè)試向量應(yīng)至少覆蓋輸入/輸出管腳和電源管腳的開(kāi)/短路測(cè)試。

7.1.1.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）測(cè)試過(guò)程實(shí)施：芯片接收到測(cè)試向量后，按照管腳類型分別對(duì)上下二極管進(jìn)行測(cè)試。一般使用

施加電流測(cè)電壓的方式分別對(duì)上下二極管灌入或抽出微安培級(jí)別的電流；

b）測(cè)試結(jié)果采集：獲取施加電流后輸出的壓降結(jié)果。

7.1.1.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較獲取的參數(shù)結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)值范圍，比較結(jié)果應(yīng)在參考數(shù)值范圍內(nèi)。電特性測(cè)試結(jié)果示例見(jiàn)

附錄A。若數(shù)值為0或與提供的鉗制電壓接近，則存在管腳開(kāi)/短路現(xiàn)象。

7.1.2靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

7.1.2.1測(cè)試目的

測(cè)試芯片管腳的靜態(tài)參數(shù)。

7.1.2.2測(cè)試原理

芯片靜態(tài)參數(shù)測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖3。

5

T/CSAExxx—xxxx

圖3靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試圖

7.1.2.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）依據(jù)相應(yīng)的測(cè)試向量配置芯片的工作狀態(tài)；

b）在測(cè)試過(guò)程中，保證芯片不會(huì)從指定狀態(tài)或應(yīng)用狀態(tài)變?yōu)槠渌麪顟B(tài)；

c）芯片管腳靜態(tài)特性參數(shù)至少包括以下方面：

1）輸出高電平電壓（VOH）；

2）輸出低電平電壓（VOL）；

3）輸入高電平電壓（VIH）；

4）輸入低電平電壓（VIL）；

5）輸入高電平電流（IIH）；

6）輸入低電平電流（IIL）；

7）輸出高電平電流（IOH）；

8）輸出低電平電流（VOL）；

9）輸出高電阻狀態(tài)電流（IOZ）。

7.1.2.4測(cè)試流程

測(cè)試流程按照GB/T17574－1998第IV篇第2節(jié)規(guī)定執(zhí)行。

7.1.2.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，比較結(jié)果應(yīng)一致或在基準(zhǔn)參考數(shù)值的范圍內(nèi)。

7.1.3動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

7.1.3.1測(cè)試目的

測(cè)試芯片管腳的動(dòng)態(tài)參數(shù)。

7.1.3.2測(cè)試原理

芯片動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖3。

7.1.3.3測(cè)試要求

6

T/CSAExxx-20xx

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）依據(jù)相應(yīng)的測(cè)試向量配置芯片的工作狀態(tài)；

b）在測(cè)試過(guò)程中，保證芯片不會(huì)從指定狀態(tài)或者應(yīng)用狀態(tài)變?yōu)槠渌麪顟B(tài)；

c）芯片管腳動(dòng)態(tài)特性參數(shù)至少包括以下方面：

1）保持時(shí)間（tHOLD）；

2）建立時(shí)間（tSU）；

3）輸出延遲時(shí)間（tD）。

7.1.3.4測(cè)試流程

測(cè)試流程按照GB/T17574－1998第IV篇第3節(jié)規(guī)定執(zhí)行。

7.1.3.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，比較結(jié)果應(yīng)一致或在基準(zhǔn)參考數(shù)值的范圍內(nèi)。

7.1.4功耗測(cè)試

7.1.4.1測(cè)試目的

測(cè)試芯片分別在典型工作狀態(tài)下和功耗管理模式下的功耗平均值。

7.1.4.2測(cè)試原理

芯片在典型工作狀態(tài)下的功耗測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖4。在功耗管理模式下的功耗測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖5。

圖4典型工作狀態(tài)下功耗測(cè)試原理圖

圖5功耗管理模式下功耗測(cè)試原理圖

7.1.4.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

7

T/CSAExxx—xxxx

a）輸入端與輸出端：

1）根據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)電源端施加規(guī)定電壓，信號(hào)輸入端施加規(guī)定信號(hào)；

2）輸出端按規(guī)定連接；

b）數(shù)據(jù)采集：測(cè)量所有流入芯片電源端的電流及對(duì)應(yīng)的施加電壓；

c）測(cè)試負(fù)載：?jiǎn)魏薈PU運(yùn)行單副本模式，多核CPU運(yùn)行多副本模式，副本數(shù)與CPU核的數(shù)量應(yīng)

相同。

7.1.4.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）測(cè)試過(guò)程實(shí)施：根據(jù)芯片不同的工作模式，使芯片穩(wěn)定保持在相應(yīng)的工作狀態(tài)。測(cè)量控制芯片

運(yùn)行過(guò)程中流入電源端的電流以及施加的電壓；

b）測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的電流、電壓等數(shù)值結(jié)果。

7.1.4.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，比較結(jié)果應(yīng)一致或在基準(zhǔn)參考數(shù)值的范圍內(nèi)。

7.2CPU測(cè)試

7.2.1字長(zhǎng)測(cè)試

7.2.1.1測(cè)試目的

測(cè)試通用寄存器和整數(shù)運(yùn)算部件的位寬，確定CPU支持的字長(zhǎng)。

7.2.1.2測(cè)試原理

采用寄存器移位操作測(cè)試通用寄存器位寬，并通過(guò)整數(shù)乘法和加法運(yùn)算結(jié)果的溢出情況測(cè)試定點(diǎn)運(yùn)

算部件位寬，測(cè)試原理圖參考圖3。

7.2.1.3測(cè)試要求

應(yīng)使用匯編語(yǔ)言或C語(yǔ)言編寫字長(zhǎng)測(cè)試代碼。

7.2.1.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）測(cè)試通用寄存器位寬：

1）選定用于測(cè)試的通用寄存器并將其值設(shè)置為0x01；

2）對(duì)該寄存器向左移位，每次移一位，直至寄存器的值變?yōu)?x0；

b）測(cè)試定點(diǎn)運(yùn)算部件位寬；

c）測(cè)試結(jié)果采集：記錄移位的次數(shù)以及運(yùn)算結(jié)果。

7.2.1.5測(cè)試結(jié)果判斷

測(cè)試結(jié)果判斷包括以下方面：

a）通用寄存器位寬：移位操作的次數(shù)即為對(duì)應(yīng)通用寄存器的位寬，記錄為N；

b）定點(diǎn)運(yùn)算部件位寬：若運(yùn)算結(jié)果與預(yù)期值一致，記錄CPU定點(diǎn)運(yùn)算部件支持的數(shù)據(jù)位寬為N，

否則不支持；

c）當(dāng)通用寄存器位寬測(cè)試結(jié)果與定點(diǎn)運(yùn)算部件位寬測(cè)試結(jié)果一致時(shí)，被測(cè)CPU的字長(zhǎng)為N。

8

T/CSAExxx-20xx

7.2.2頻率測(cè)試

7.2.2.1測(cè)試目的

通過(guò)周期法測(cè)試CPU核的頻率。

7.2.2.2測(cè)試原理

測(cè)試原理圖參考圖3。

7.2.2.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）測(cè)試向量中用于測(cè)試的指令應(yīng)為單周期指令，各條指令之間應(yīng)數(shù)據(jù)相關(guān)；

b）頻率測(cè)試代碼可使用匯編語(yǔ)言編寫。測(cè)試前，應(yīng)確認(rèn)頻率測(cè)試代碼功能正確性；

c）工程測(cè)試板上應(yīng)提供一個(gè)用于輸出測(cè)試脈沖的測(cè)試端口。

7.2.2.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）確定測(cè)試端口；

b）執(zhí)行測(cè)試向量，運(yùn)行過(guò)程中使用示波器測(cè)量輸出脈沖持續(xù)時(shí)間t，同時(shí)記錄保持該持續(xù)時(shí)間內(nèi)

的指令數(shù)N；

c）按公式(1)計(jì)算出CPU核的頻率。

?

?=……………….(1)

?

式中：

f——CPU核的頻率；

t——輸出脈沖持續(xù)時(shí)間；

N——程序執(zhí)行的單周期指令數(shù)。

7.2.2.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，比較結(jié)果應(yīng)一致或在基準(zhǔn)參考數(shù)值的范圍內(nèi)。

7.2.3整數(shù)運(yùn)算峰值測(cè)試

7.2.3.1測(cè)試目的

測(cè)試CPU進(jìn)行整數(shù)運(yùn)算的最高能力。

7.2.3.2測(cè)試原理

根據(jù)CPU的指令執(zhí)行并發(fā)度編排指令，使整數(shù)運(yùn)算相關(guān)指令填滿指令流水線，以獲得整數(shù)運(yùn)算最高

能力，測(cè)試原理圖參考圖3。

7.2.3.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）測(cè)試代碼可使用C語(yǔ)言或匯編語(yǔ)言編寫；

b）測(cè)試向量具有以下功能：

9

T/CSAExxx—xxxx

1）能通過(guò)指令執(zhí)行并發(fā)度的編排將整數(shù)運(yùn)算相關(guān)指令填滿指令流水線；

2）能精確計(jì)算和輸出整數(shù)運(yùn)算代碼執(zhí)行時(shí)間；

3）能區(qū)分單核和多核情況。

7.2.3.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）按公式(2)測(cè)算單核CPU整數(shù)運(yùn)算峰值：

????_???

????=???????????????????????????????????????????????????(2)

???_????

式中：

???????_???——單核整數(shù)運(yùn)算峰值；

Nint_ops——單核整數(shù)運(yùn)算操作數(shù)；

t——執(zhí)行時(shí)間；

按公式(3)測(cè)算多核CPU整數(shù)運(yùn)算峰值:

∑?

?=1????_???_?

????=?????????????????????????????????????????????????（3）

???_???_??

式中：

???????_???_?——多核整數(shù)運(yùn)算峰值；

Nint_ops_n——多核整數(shù)運(yùn)算操作數(shù)；

n——CPU核的數(shù)量；

t——執(zhí)行時(shí)間。

b）測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的結(jié)果和程序運(yùn)行時(shí)間。

7.2.3.5測(cè)試結(jié)果判斷

輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，比較結(jié)果應(yīng)一致。

7.2.4浮點(diǎn)運(yùn)算峰值測(cè)試

7.2.4.1測(cè)試目的

測(cè)試CPU進(jìn)行浮點(diǎn)運(yùn)算的最高能力。

7.2.4.2測(cè)試原理

根據(jù)CPU的指令執(zhí)行并發(fā)度編排指令，使浮點(diǎn)運(yùn)算相關(guān)指令填滿指令流水線，以獲得浮點(diǎn)運(yùn)算最高

能力，測(cè)試原理圖參考圖3。

7.2.4.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）測(cè)試代碼可使用C語(yǔ)言或匯編語(yǔ)言編寫；

b）測(cè)試向量具有以下功能：

1）能通過(guò)指令執(zhí)行并發(fā)度的編排將浮點(diǎn)運(yùn)算相關(guān)指令填滿指令流水線；

2）能精確計(jì)算和輸出整數(shù)運(yùn)算代碼執(zhí)行時(shí)間；

3）能區(qū)分單核和多核情況。

7.2.4.4測(cè)試流程

10

T/CSAExxx-20xx

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）按公式(4)測(cè)算單核CPU浮點(diǎn)運(yùn)算峰值:

???_???

????=????????????????????????????????????????????????????????(4)

??_????

式中：

??????_???——單核浮點(diǎn)運(yùn)算峰值；

???_???——浮點(diǎn)運(yùn)算操作數(shù)；

t——執(zhí)行時(shí)間。

按公式(5)測(cè)算多核CPU浮點(diǎn)運(yùn)算峰值:

∑?

?=1???_???_?

????=??????????????????????????????????????????????????????(5)

??_???_??

式中：

??????_???_?——多核浮點(diǎn)運(yùn)算峰值；

???_???_?——浮點(diǎn)運(yùn)算操作數(shù)；

n——CPU核的數(shù)量；

t——執(zhí)行時(shí)間。

b）測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的結(jié)果和程序運(yùn)行時(shí)間。

7.2.4.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，比較結(jié)果應(yīng)一致。

7.2.5性能測(cè)試

7.2.5.1測(cè)試目的

通過(guò)基準(zhǔn)程序測(cè)試CPU核的性能。

7.2.5.2測(cè)試原理

采用基準(zhǔn)測(cè)試程序，或使用方自定義測(cè)試程序測(cè)試CPU核的性能，測(cè)試原理圖參考圖3。

注：基準(zhǔn)測(cè)試程序可以是Dhrystone或CoreMark。

7.2.5.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）編譯器應(yīng)支持C語(yǔ)言或匯編語(yǔ)言代碼編譯；

b）對(duì)基準(zhǔn)測(cè)試程序的源代碼不應(yīng)作任何形式的改動(dòng)。

7.2.5.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）測(cè)試向量輸入：編譯并運(yùn)行測(cè)試程序；

b）測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的數(shù)據(jù)結(jié)果。

7.2.5.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)結(jié)果一致并評(píng)估CPU核性能。

11

T/CSAExxx—xxxx

7.2.6同構(gòu)多核CPU核數(shù)測(cè)試

7.2.6.1測(cè)試目的

測(cè)試同構(gòu)多核CPU核的數(shù)量。

7.2.6.2測(cè)試原理

通過(guò)并發(fā)程序在多核CPU上運(yùn)行的時(shí)間判斷其同構(gòu)核的數(shù)量，測(cè)試原理圖參考圖3。

7.2.6.3測(cè)試要求

根據(jù)測(cè)試環(huán)境，準(zhǔn)備測(cè)試向量。測(cè)試向量應(yīng)具有以下功能：

a）并發(fā)執(zhí)行一定規(guī)模的數(shù)學(xué)計(jì)算任務(wù)，且可以任意設(shè)置并發(fā)任務(wù)數(shù)量；

b）精確計(jì)算每個(gè)進(jìn)程執(zhí)行的時(shí)間；

c）同時(shí)輸出每個(gè)進(jìn)程計(jì)算結(jié)果；

d）輸出每次并發(fā)程序執(zhí)行時(shí)間。

7.2.6.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）測(cè)試過(guò)程實(shí)施：編譯確認(rèn)過(guò)的核數(shù)測(cè)試向量，生成目標(biāo)碼進(jìn)行測(cè)試，運(yùn)行目標(biāo)碼并確認(rèn)每個(gè)進(jìn)

程計(jì)算結(jié)果的正確性；

b）可參考如下步驟依次進(jìn)行操作：

1）假定被測(cè)CPU有n個(gè)同構(gòu)核；

2）設(shè)置程序的進(jìn)程數(shù)為1，運(yùn)行并記錄程序運(yùn)行時(shí)間t1；

3）依次遞增進(jìn)程數(shù)，運(yùn)行并記錄運(yùn)行時(shí)間tn；

4）設(shè)置程序的進(jìn)程數(shù)為n＋1，運(yùn)行并記錄程序運(yùn)行時(shí)間tn＋1；

5）比較tn+1，如進(jìn)程執(zhí)行時(shí)間呈現(xiàn)t1≈t2≈t3≈…≈tn＜tn＋1情況，可認(rèn)為被測(cè)CPU同構(gòu)核

的數(shù)量為n。

c）測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的結(jié)果和程序運(yùn)行時(shí)間。

7.2.6.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，比較結(jié)果應(yīng)一致。

7.2.7多核協(xié)同性能測(cè)試

7.2.7.1測(cè)試目的

通過(guò)基準(zhǔn)程序，測(cè)試同構(gòu)多核CPU協(xié)同性能。

7.2.7.2測(cè)試原理

采用基準(zhǔn)測(cè)試程序，如Parsec，測(cè)試同構(gòu)多核CPU的協(xié)同性能，測(cè)試原理圖參考圖3。

注1：基準(zhǔn)測(cè)試程序，如Parsec等。

注2：同構(gòu)多核CPU的協(xié)同性能，如多核加速比。

7.2.7.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）基準(zhǔn)程序測(cè)試在操作系統(tǒng)環(huán)境下進(jìn)行，操作系統(tǒng)支持C語(yǔ)言或匯編語(yǔ)言代碼編譯。

12

T/CSAExxx-20xx

b）對(duì)基準(zhǔn)測(cè)試程序的源代碼不應(yīng)作任何形式的改動(dòng)。

7.2.7.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試

a）選擇與同構(gòu)多核CPU中核數(shù)一致的任務(wù)分解數(shù)；

b）記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的數(shù)據(jù)結(jié)果和記錄文件；

c）可參考公式（6）計(jì)算多核CPU性能加速比：

?

??=………(6)

?′

式中：

Ra——多核性能加速比；

T——單核完成任務(wù)的時(shí)間；

t′——多核并行化處理完成任務(wù)的時(shí)間。

7.2.7.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)結(jié)果應(yīng)一致并評(píng)估多核協(xié)同性能。

7.3存儲(chǔ)測(cè)試

7.3.1緩存性能測(cè)試

7.3.1.1測(cè)試目的

通過(guò)運(yùn)行基準(zhǔn)程序，測(cè)試芯片內(nèi)部緩存讀寫操作延遲。

7.3.1.2測(cè)試原理

采用基準(zhǔn)測(cè)試程序或使用方自定義的測(cè)試程序，測(cè)試芯片內(nèi)部緩存讀寫操作延遲，測(cè)試原理圖參考

圖3。

7.3.1.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）基準(zhǔn)程序測(cè)試應(yīng)在操作系統(tǒng)環(huán)境下進(jìn)行，操作系統(tǒng)應(yīng)支持C語(yǔ)言或匯編語(yǔ)言代碼編譯；

b）對(duì)基準(zhǔn)測(cè)試程序的源代碼不應(yīng)作任何形式的改動(dòng)。

7.3.1.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）測(cè)試向量輸入：編譯并運(yùn)行基準(zhǔn)測(cè)試程序或使用方自定義的測(cè)試程序；

b）測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的數(shù)據(jù)結(jié)果。

7.3.1.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)結(jié)果應(yīng)一致并評(píng)估緩存性能。

7.3.2訪存性能測(cè)試

7.3.2.1測(cè)試目的

13

T/CSAExxx—xxxx

通過(guò)運(yùn)行基準(zhǔn)程序測(cè)試芯片訪存數(shù)據(jù)帶寬與延遲。

7.3.2.2測(cè)試原理

采用基準(zhǔn)測(cè)試程序或使用方自定義的測(cè)試程序，測(cè)試芯片訪存數(shù)據(jù)帶寬與延遲，測(cè)試原理圖參考圖

3。

7.3.2.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）基準(zhǔn)程序測(cè)試在操作系統(tǒng)環(huán)境下進(jìn)行，操作系統(tǒng)應(yīng)支持C語(yǔ)言或匯編語(yǔ)言代碼編譯；

b）對(duì)基準(zhǔn)測(cè)試程序的源代碼不應(yīng)作任何形式的改動(dòng)。

7.3.2.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a）根據(jù)多核CPU或單核CPU情況進(jìn)行基準(zhǔn)程序?qū)?，進(jìn)行多進(jìn)程模式測(cè)試，進(jìn)程數(shù)量根據(jù)CPU核

的數(shù)量確定；

b）測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的數(shù)據(jù)結(jié)果。

7.3.2.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)結(jié)果應(yīng)一致并評(píng)估訪存性能。

7.3.3存儲(chǔ)器功能測(cè)試

7.3.3.1測(cè)試目的

測(cè)試芯片片內(nèi)存儲(chǔ)器的功能及性能。

7.3.3.2測(cè)試原理

在自動(dòng)測(cè)試設(shè)備上對(duì)被測(cè)芯片施加不同算法的測(cè)試向量，驗(yàn)證不同的失效模式，測(cè)試原理圖見(jiàn)圖6。

圖6片內(nèi)存儲(chǔ)器測(cè)試原理圖

14

T/CSAExxx-20xx

7.3.3.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a）片內(nèi)存儲(chǔ)器功能和性能測(cè)試包括但不限于以下方面：

1)所有區(qū)域存儲(chǔ)單元功能及存儲(chǔ)深度；

2)數(shù)據(jù)線短路、開(kāi)路；

3)地址線短路、開(kāi)路；

4)數(shù)據(jù)讀寫延遲，可超過(guò)參數(shù)規(guī)格測(cè)試，防止測(cè)試逃逸；

5)吞吐率指標(biāo)，可超過(guò)參數(shù)規(guī)格測(cè)試，防止測(cè)試逃逸。

b）片內(nèi)存儲(chǔ)器應(yīng)通過(guò)測(cè)試板與自動(dòng)測(cè)試設(shè)備連接。測(cè)試結(jié)構(gòu)應(yīng)由上位機(jī)與被測(cè)芯片通信，實(shí)時(shí)讀

寫測(cè)試向量，并借助自動(dòng)測(cè)試設(shè)備向通信接口傳輸測(cè)試指令，從芯片接口獲取測(cè)試結(jié)果；

c）應(yīng)設(shè)計(jì)專門的測(cè)試向量進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試向量應(yīng)滿足以下要求：

1)所有區(qū)域存儲(chǔ)單元功能及存儲(chǔ)深度：使用全“0”，全“1”，棋盤格，反棋盤格，行進(jìn)或

行走等算法實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片存儲(chǔ)單元的遍歷；

2)數(shù)據(jù)線短路、開(kāi)路：使用全“0”，全“1”，棋盤格，反棋盤格，行進(jìn)或行走等算法實(shí)現(xiàn)

對(duì)芯片存儲(chǔ)單元的遍歷；

3)地址線短路、開(kāi)路：使用全“0”，全“1”，棋盤格，反棋盤格，行進(jìn)或行走等算法實(shí)現(xiàn)

對(duì)芯片存儲(chǔ)單元的遍歷；

4)數(shù)據(jù)讀寫延遲：不指定測(cè)試向量；

5)吞吐率：不指定測(cè)試向量。

注1：全“0”或全“1”測(cè)試向量，通過(guò)給所有存儲(chǔ)單元寫入全“0”或全“1”讀取并驗(yàn)證所有存儲(chǔ)單元，

該測(cè)試向量用于檢查所有存儲(chǔ)單元的功能錯(cuò)誤、短路或者開(kāi)路錯(cuò)誤、相鄰單元短路錯(cuò)誤。

注2：棋盤格與反棋盤格測(cè)試向量，通過(guò)給奇數(shù)存儲(chǔ)單元寫入“1”，偶數(shù)存儲(chǔ)單元寫入“0”直到最后一個(gè)單

元，讀取并驗(yàn)證所有單元。再給奇數(shù)存儲(chǔ)單元寫入“0”，偶數(shù)存儲(chǔ)單元寫入“1”直到最后一個(gè)單元，

讀取并驗(yàn)證所有單元。該測(cè)試向量用于檢查所有存儲(chǔ)單元的功能錯(cuò)誤、地址解碼錯(cuò)誤和單元干擾錯(cuò)誤。

注3：行進(jìn)測(cè)試向量，給所有存儲(chǔ)單元寫入“0”，按順序給存儲(chǔ)單元寫入“1”，讀取并驗(yàn)證存儲(chǔ)單元，直到

最后一個(gè)單元。然后給所有存儲(chǔ)單元寫入“1”，再次按順序給存儲(chǔ)單元寫入“0”，讀取并驗(yàn)證存儲(chǔ)

單元，直到最后一個(gè)單元。該測(cè)試向量用于檢查所有存儲(chǔ)單元的功能錯(cuò)誤、地址解碼錯(cuò)誤和單元干擾

錯(cuò)誤。

注4：行走測(cè)試向量，給所有存儲(chǔ)單元寫入“0”，按順序給存儲(chǔ)單元寫入“1”，讀取并驗(yàn)證存儲(chǔ)單元，讀完

之后把該單元寫回0，直到最后一個(gè)單元，即用“1”走遍整個(gè)存儲(chǔ)單元。然后用“0”走遍整個(gè)存儲(chǔ)單

元，讀取并驗(yàn)證。該測(cè)試向量用于檢查所有存儲(chǔ)單元的功能錯(cuò)誤和地址解碼錯(cuò)誤。

由于測(cè)試向量設(shè)計(jì)算法的多樣性，滿足相同測(cè)試需求的其他向量也可被本文件所接受。

7.3.3.4測(cè)試流程

芯片根據(jù)測(cè)試向量執(zhí)行內(nèi)部邏輯，并將執(zhí)行結(jié)果反饋至自動(dòng)測(cè)試設(shè)備。

7.3.3.5測(cè)試結(jié)果判斷

測(cè)試結(jié)果判斷如下：

a)所有區(qū)域存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)功能及存儲(chǔ)深度：測(cè)試向量檢查通過(guò)，功能無(wú)失效；

b)數(shù)據(jù)線短路、開(kāi)路：測(cè)試向量檢查通過(guò)，功能無(wú)失效；

c)地址線短路、開(kāi)路：測(cè)試向量檢查通過(guò)，功能無(wú)失效；

15

T/CSAExxx—xxxx

d)數(shù)據(jù)讀寫延遲：讀寫延遲指標(biāo)滿足設(shè)計(jì)規(guī)格；

e)吞吐率：吞吐率指標(biāo)滿足設(shè)計(jì)規(guī)格。

7.4接口測(cè)試

7.4.1ADC接口測(cè)試

7.4.1.1測(cè)試目的

通過(guò)輸入模擬信號(hào)，測(cè)試ADC接口數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換性能。

7.4.1.2測(cè)試原理

ADC接口測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖7。

輸

出

代

碼

時(shí)域

模擬輸入信號(hào)X0000

X0001

X…

ADCX1111FFT分析

基波

諧波

幅噪聲

值

頻域

圖7ADC測(cè)試原理圖

7.4.1.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a)輸入信號(hào)包括但不限于正弦波、直流信號(hào)等低噪聲且低失真信號(hào)；

b)信號(hào)頻率、幅度可調(diào)，且可以單端或差分輸出；

c)測(cè)試向量宜盡可能多的覆蓋ADC接口關(guān)鍵性能和功能指標(biāo)，如分辨率、轉(zhuǎn)換速率等。

7.4.1.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a)測(cè)試向量輸入：測(cè)試向量編譯并通過(guò)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試；

b)測(cè)試過(guò)程實(shí)施：通過(guò)握手協(xié)議進(jìn)行ADC接口采樣轉(zhuǎn)換；

c)測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的數(shù)字信號(hào)結(jié)果。

7.4.1.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)結(jié)果應(yīng)一致。

7.4.2DAC接口測(cè)試

7.4.2.1測(cè)試目的

通過(guò)輸入模擬信號(hào)測(cè)試DAC接口數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換性能。

7.4.2.2測(cè)試原理

16

T/CSAExxx-20xx

DAC接口測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖8。

Outputcode

輸

2NCODE

DAC出

時(shí)域

圖8DAC測(cè)試原理圖

7.4.2.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a)輸入信號(hào)為一組經(jīng)過(guò)編碼的數(shù)字信號(hào)；

b)測(cè)試向量宜盡可能多的覆蓋DAC接口關(guān)鍵性能和功能指標(biāo)。

7.4.2.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a)測(cè)試向量輸入：測(cè)試向量編譯并通過(guò)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試；

b)測(cè)試過(guò)程實(shí)施：通過(guò)握手協(xié)議進(jìn)行DAC接口采樣轉(zhuǎn)換；

c)測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的模擬信號(hào)結(jié)果。

7.4.2.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)結(jié)果應(yīng)一致。

7.4.3CAN接口測(cè)試

7.4.3.1測(cè)試目的

測(cè)試CAN接口的通信功能和數(shù)據(jù)傳輸性能。

7.4.3.2測(cè)試原理

CAN接口測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖9。

圖9CAN接口測(cè)試原理圖

7.4.3.3測(cè)試要求

17

T/CSAExxx—xxxx

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a)測(cè)試時(shí)配置相應(yīng)的測(cè)試向量使芯片CAN接口處于所需的工作狀態(tài)；

b)CAN接口測(cè)試至少包括以下方面：

1)節(jié)點(diǎn)收發(fā)信號(hào)功能；

2)通訊協(xié)議符合性測(cè)試；

3)故障診斷和處理功能；

4)通信速率測(cè)試；

5)節(jié)點(diǎn)數(shù)量與負(fù)載能力測(cè)試；

6)抗干擾能力測(cè)試。

7.4.3.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a)測(cè)試向量輸入：測(cè)試向量編譯并通過(guò)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試；

b)測(cè)試過(guò)程實(shí)施：通過(guò)通信協(xié)議和仿真信號(hào)，模擬實(shí)際CAN接口工作狀態(tài)；

c)測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的模擬信號(hào)結(jié)果。

7.4.3.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)結(jié)果應(yīng)一致。

7.4.4LIN接口測(cè)試

7.4.4.1測(cè)試目的

測(cè)試LIN接口的通信功能和數(shù)據(jù)傳輸性能。

7.4.4.2測(cè)試原理

LIN接口測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖10。

圖10LIN接口測(cè)試原理圖

7.4.4.3測(cè)試要求

18

T/CSAExxx-20xx

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a)測(cè)試時(shí)配置相應(yīng)的測(cè)試向量使芯片LIN接口處于所需的工作狀態(tài)；

b)LIN接口測(cè)試至少包括以下方面：

1)節(jié)點(diǎn)收發(fā)信號(hào)功能；

2)通信協(xié)議符合性測(cè)試；

3)故障診斷和處理功能；

4)主、從節(jié)點(diǎn)通信速率測(cè)試；

5)主、從節(jié)點(diǎn)數(shù)量與負(fù)載能力測(cè)試；

6)抗干擾能力測(cè)試。

7.4.4.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a)測(cè)試向量輸入：測(cè)試向量編譯并通過(guò)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試；

b)測(cè)試過(guò)程實(shí)施：通過(guò)通信協(xié)議和仿真信號(hào)，模擬實(shí)際LIN接口工作狀態(tài)；

c)測(cè)試結(jié)果采集：記錄并保存測(cè)試過(guò)程中輸出的模擬信號(hào)結(jié)果。

7.4.4.5測(cè)試結(jié)果判斷

比較輸出結(jié)果與基準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)結(jié)果應(yīng)一致。

7.5安全模塊測(cè)試

7.5.1測(cè)試目的

測(cè)試芯片在受到干擾時(shí)正確執(zhí)行其功能的能力。

7.5.2測(cè)試原理

功能安全機(jī)制測(cè)試原理圖，見(jiàn)圖11。

圖11功能安全機(jī)制測(cè)試原理圖

7.5.3測(cè)試要求

測(cè)試應(yīng)符合以下要求：

a)芯片應(yīng)正常運(yùn)行應(yīng)用要求的基本功能且處于正常工作狀態(tài)；

b)影響被測(cè)芯片功能并與測(cè)試結(jié)果相關(guān)的所有設(shè)備均應(yīng)處于正常運(yùn)行狀態(tài)；

c)若由于故障造成功能失效，應(yīng)在故障處理時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)入安全狀態(tài)，在故障退出或消除條件未

19

T/CSAExxx—xxxx

滿足時(shí)，不應(yīng)退出安全狀態(tài)。

7.5.4測(cè)試流程

按以下流程進(jìn)行測(cè)試：

a)芯片正常運(yùn)行時(shí)，采用故障注入的方式對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試。注入的故障宜涵蓋芯片典型的失效模

式；

b)測(cè)試結(jié)果采集：對(duì)芯片進(jìn)入安全狀態(tài)的過(guò)程，如時(shí)間、狀態(tài)切換，以及芯片退出安全狀態(tài)的條

件進(jìn)行監(jiān)控和測(cè)量。

7.5.5測(cè)試結(jié)果判斷

芯片在故障處理時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)入安全狀態(tài)，并無(wú)意外退出安全狀態(tài)。

20

T/CSAExxx-20xx

附錄A

（資料性）

電特性測(cè)試結(jié)果示例

測(cè)試結(jié)果格式可存在不同，宜包括被測(cè)芯片信息、測(cè)試向量、測(cè)試原始數(shù)據(jù)，測(cè)試時(shí)間，判斷限值

及結(jié)果判斷，參考表A.1。

表A.1電特性測(cè)試數(shù)據(jù)示例

21

《汽車控制芯片電特性測(cè)試方法》編制說(shuō)明

一、工作簡(jiǎn)況

1.1任務(wù)來(lái)源

《汽車控制芯片電特性測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)是由中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)批準(zhǔn)立項(xiàng)。

文件號(hào)中汽學(xué)標(biāo)[2023]180號(hào)，任務(wù)號(hào)為2023-057。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新

戰(zhàn)略聯(lián)盟提出，由北京國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司（以下簡(jiǎn)稱國(guó)創(chuàng)中心）

聯(lián)合紫光同芯微電子有限公司、思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司、北京奕

斯偉計(jì)算技術(shù)股份有限公司、中汽創(chuàng)智科技有限公司、上海安路信息科技股份有限

公司、小華半導(dǎo)體有限公司、上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司、兆易創(chuàng)新科技集

團(tuán)股份有限公司、基石酷聯(lián)微電子技術(shù)（北京）有限公司、無(wú)錫太昊慧芯微電子有

限公司、杭州廣立微電子股份有限公司、清華大學(xué)蘇州汽車研究院、清華大學(xué)、中

國(guó)汽車工程研究院股份有限公司、上海蔚蘭動(dòng)力科技有限公司、上海頤昊測(cè)試技術(shù)

有限公司、中山大學(xué)、西部科學(xué)城智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新中心（重慶）有限公司、廣電

計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司、北京超星未來(lái)科技有限公司、是德科技（中國(guó)）有限

公司、北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)國(guó)創(chuàng)芯聯(lián)汽車芯片技術(shù)研究中心、北京國(guó)創(chuàng)先進(jìn)技術(shù)認(rèn)

證有限公司等共20余家單位起草。

1.2編制背景與目標(biāo)

隨著汽車行業(yè)的快速發(fā)展，特別是電動(dòng)汽車和智能駕駛技術(shù)的興起，汽車控制

芯片作為汽車的核心部件之一，其性能與可靠性直接關(guān)系到汽車的安全與性能。汽

車控制芯片的電特性測(cè)試是驗(yàn)證芯片性能穩(wěn)定、可靠運(yùn)行的關(guān)鍵項(xiàng)目。因此，制定

一套科學(xué)、統(tǒng)一的汽車控制芯片電特性測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于提升汽車行業(yè)的整體技

術(shù)水平、保障汽車安全、促進(jìn)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展具有重要意義。

目前，汽車控制芯片的電特性測(cè)試方法尚未形成統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，各汽車廠商和芯

片供應(yīng)商大多依據(jù)自身的技術(shù)水平和經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行測(cè)試。這導(dǎo)致了測(cè)試方法的不統(tǒng)一、

測(cè)試結(jié)果的不可比性，以及測(cè)試效率和準(zhǔn)確性的參差不齊。此外，隨著汽車技術(shù)的

不斷進(jìn)步，對(duì)汽車控制芯片的電特性要求也越來(lái)越高。

為了滿足汽車行業(yè)對(duì)汽車控制芯片電特性測(cè)試方法的需求，迫切需要制定一套

統(tǒng)一、科學(xué)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)涵蓋測(cè)試方法、測(cè)試環(huán)境、測(cè)試數(shù)據(jù)表征等方面，

以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性，具體目標(biāo)包括：

——明確汽車控制芯片電特性測(cè)試的基本原則和要求；

1

——統(tǒng)一測(cè)試方法，規(guī)范測(cè)試流程和操作；

——確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性；

——提升測(cè)試效率，降低測(cè)試成本；

——促進(jìn)汽車芯片行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

1.3主要工作過(guò)程

標(biāo)準(zhǔn)起草組遵守GB/T1.1-2020等文件相關(guān)規(guī)定，結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)制定工作程序的各

個(gè)環(huán)節(jié)，進(jìn)行了探討和研究。對(duì)國(guó)內(nèi)外的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行系統(tǒng)研究，對(duì)行業(yè)現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)

技術(shù)文件和研究成果進(jìn)行歸納整理，對(duì)比國(guó)內(nèi)外車規(guī)半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)要求，進(jìn)行

了必要的試驗(yàn)驗(yàn)證，保證汽車控制芯片電特性測(cè)試方法的可靠性。同時(shí)標(biāo)準(zhǔn)起草組

廣泛聽(tīng)取了行業(yè)知名專家的意見(jiàn)，組織相關(guān)技術(shù)人員對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中各章節(jié)的技術(shù)指標(biāo)、

內(nèi)容要求進(jìn)行多次研討。

1.3.1預(yù)研階段

本標(biāo)準(zhǔn)于2022年11月提出，國(guó)創(chuàng)中心聯(lián)合紫光同芯、清華大學(xué)等開(kāi)展了國(guó)內(nèi)

外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、文獻(xiàn)資料的調(diào)研與收集工作?？偨Y(jié)現(xiàn)存問(wèn)題，開(kāi)展了標(biāo)準(zhǔn)適用范圍和

標(biāo)準(zhǔn)體系協(xié)調(diào)性分析，明確了研究的目標(biāo)和重點(diǎn)，確保標(biāo)準(zhǔn)研究項(xiàng)目的可行性。

1.3.2立項(xiàng)階段

2023年2月~2023年6月項(xiàng)目組在前期工作的基礎(chǔ)上，研究提出了標(biāo)準(zhǔn)的修訂

思路和修訂原則，確定了標(biāo)準(zhǔn)的框架結(jié)構(gòu)和主要技術(shù)內(nèi)容等，完成《汽車控制芯片

電特性測(cè)試方法》草案內(nèi)容的制定和標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)申報(bào)的準(zhǔn)備工作。

2023年7月在安徽安慶參加中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)組織召開(kāi)的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)審查會(huì)議，

由國(guó)創(chuàng)中心對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的任務(wù)來(lái)源、背景意義和技術(shù)內(nèi)容等進(jìn)行了匯報(bào)和答辯，經(jīng)過(guò)評(píng)

審專家審議，本標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)立項(xiàng)。

1.3.3起草階段

2023年8月~2023年9月，國(guó)創(chuàng)中心在汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)研究工作組下征

集到30余家起草組單位共同研究并起草標(biāo)準(zhǔn)。

2023年9月，國(guó)創(chuàng)中心組織在蘇州順利召開(kāi)了“汽車控制芯片電特性測(cè)試方法

起草組啟動(dòng)會(huì)暨第一次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)”，主筆人對(duì)標(biāo)準(zhǔn)工作進(jìn)展、后續(xù)工作計(jì)劃、標(biāo)準(zhǔn)

框架和草案進(jìn)行了介紹。與會(huì)專家就當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)框架及標(biāo)準(zhǔn)草案重要內(nèi)容（測(cè)試環(huán)境、

測(cè)試原理、測(cè)試要求和測(cè)試流程等）進(jìn)行討論，其中基于標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)提案的草案框架

和內(nèi)容意見(jiàn)如下：

2

——所有測(cè)試方法中關(guān)于測(cè)試原理的說(shuō)明圖進(jìn)行重新繪制，應(yīng)突出該項(xiàng)方法的

主要測(cè)試原理。

——測(cè)試方法中關(guān)于流程和結(jié)果判斷的描述進(jìn)行精簡(jiǎn)，避免口語(yǔ)化描述，著重

體現(xiàn)關(guān)鍵流程步驟。

——標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容按照控制芯片關(guān)鍵模塊進(jìn)行劃分，并由參編單位各自領(lǐng)取模塊編

寫、修改任務(wù)。

2023年10月，國(guó)創(chuàng)中心負(fù)責(zé)落實(shí)啟動(dòng)會(huì)上專家提出的標(biāo)準(zhǔn)草案框架和關(guān)鍵內(nèi)

容建議，對(duì)本文進(jìn)行了一輪修改后在起草組內(nèi)部公開(kāi)征集標(biāo)準(zhǔn)具體內(nèi)容的意見(jiàn)。起

草組專家共計(jì)提8項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)修改意見(jiàn)，標(biāo)準(zhǔn)主筆人對(duì)修改意見(jiàn)做了初步分析。

2023年10月27日，在北京國(guó)創(chuàng)中心召開(kāi)了“汽車控制芯片電特性測(cè)試方法團(tuán)

體標(biāo)準(zhǔn)起草組第二次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)”。國(guó)創(chuàng)中心主筆人匯報(bào)了各單位反饋標(biāo)準(zhǔn)意見(jiàn)的

處理情況，并針對(duì)有異議的點(diǎn)進(jìn)行了深入探討，會(huì)議就處理結(jié)果最終達(dá)成了共識(shí)。

會(huì)后對(duì)標(biāo)準(zhǔn)文本進(jìn)行了起草組內(nèi)意見(jiàn)征集與修改完善。

2023年9月~2024年2月，根據(jù)修改和完善好的的標(biāo)準(zhǔn)草案推進(jìn)試驗(yàn)驗(yàn)證，收

集、分析試驗(yàn)驗(yàn)證數(shù)據(jù)，具體的試驗(yàn)情況和驗(yàn)證結(jié)果詳見(jiàn)第三章內(nèi)容。

2024年3月，在標(biāo)準(zhǔn)起草組前期研究的基礎(chǔ)上，結(jié)合試驗(yàn)驗(yàn)證成果繼續(xù)完善標(biāo)

準(zhǔn)草案，并編寫標(biāo)準(zhǔn)草案編制說(shuō)明。

1.4主要起草人、單位及承擔(dān)工作

章節(jié)主要起草單位承擔(dān)工作

范圍國(guó)創(chuàng)中心編寫

規(guī)范性引用文件國(guó)創(chuàng)中心編寫

術(shù)語(yǔ)和定義國(guó)創(chuàng)中心編寫

縮略語(yǔ)國(guó)創(chuàng)中心編寫

芯片的基本結(jié)構(gòu)國(guó)創(chuàng)中心編寫

電特性測(cè)試條件

工作電壓國(guó)創(chuàng)中心編寫

測(cè)試環(huán)境國(guó)創(chuàng)中心編寫

其它條件國(guó)創(chuàng)中心編寫

測(cè)試方法

管腳電特性參數(shù)測(cè)試國(guó)創(chuàng)中心編寫

3

CPU測(cè)試國(guó)創(chuàng)中心、清華編寫

存儲(chǔ)測(cè)試國(guó)創(chuàng)中心、上海安路編寫

接口測(cè)試國(guó)創(chuàng)中心、上海復(fù)旦微電子、小華編寫

半導(dǎo)體

安全模塊測(cè)試國(guó)創(chuàng)中心、紫光同芯編寫

附錄A（資料性）電特國(guó)創(chuàng)中心編寫

性測(cè)試結(jié)果示例

二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和主要內(nèi)容

2.1標(biāo)準(zhǔn)制定原則

標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)

則》的規(guī)定起草，保證標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)范性。本標(biāo)準(zhǔn)在起草過(guò)程中，充分學(xué)習(xí)國(guó)內(nèi)外車用

半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)已有相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，確定了汽車控制芯片電特性測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)中涉及

的測(cè)試方法，優(yōu)先考慮安全性原則。在制定汽車控制芯片電特性測(cè)試方法時(shí)，需要

確保該方法不會(huì)對(duì)測(cè)試人員、環(huán)境或被測(cè)物本身造成危害。

首先，在標(biāo)準(zhǔn)制定過(guò)程中，遵循協(xié)調(diào)統(tǒng)一性原則。嚴(yán)格遵循國(guó)家有關(guān)法規(guī)和規(guī)

章，嚴(yán)格執(zhí)行強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，與同體系標(biāo)準(zhǔn)及相關(guān)的各種基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)相

銜接。其次，主要技術(shù)指標(biāo)的確定是以現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)中基本原則與運(yùn)行效果參數(shù)為選擇

目標(biāo)。再次，廣泛征求汽車行業(yè)不同類型生產(chǎn)廠家專家意見(jiàn)，進(jìn)行深入交流和研討，

使標(biāo)準(zhǔn)既保持技術(shù)上的科學(xué)性和先進(jìn)性，又具有實(shí)施上的適用性和可操作性。最后，

形成與國(guó)標(biāo)、行標(biāo)相輔相成并確實(shí)對(duì)汽車控制芯片電特性測(cè)試方法有落地指導(dǎo)作用

的規(guī)范性文件。

2.1.1通用性原則

本文件適用于汽車控制芯片的電特性測(cè)試，其他類型芯片可參考執(zhí)行。本文件

規(guī)定的所有測(cè)試項(xiàng)目在自動(dòng)測(cè)試設(shè)備上進(jìn)行。

2.1.2指導(dǎo)性原則

本標(biāo)準(zhǔn)具有較強(qiáng)的指導(dǎo)性，適用于汽車控制芯片的電特性測(cè)試，規(guī)定了汽車控

制芯片的測(cè)試環(huán)境條件以及典型模塊的測(cè)試方法。通過(guò)對(duì)各項(xiàng)測(cè)試方法進(jìn)行具體說(shuō)

明和規(guī)范，可以幫助汽車廠和Tier1等終端用戶能夠以此為基礎(chǔ)，對(duì)芯片公司提出

更符合自身的設(shè)計(jì)及應(yīng)用要求，形成指導(dǎo)建議和約束，提高整車的經(jīng)濟(jì)性和可靠性，

為可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

4

2.1.3協(xié)調(diào)性原則

當(dāng)前國(guó)內(nèi)在汽車控制芯片電特性測(cè)試方面標(biāo)準(zhǔn)屬于空白，本標(biāo)準(zhǔn)作為一種新方

法對(duì)目前控制芯片電特性測(cè)試使用的方法進(jìn)行歸納總結(jié)及通用化處理。

2.1.4兼容性原則

本標(biāo)準(zhǔn)是在對(duì)行業(yè)內(nèi)整車廠、測(cè)試機(jī)構(gòu)和芯片相關(guān)企業(yè)在汽車控制芯片測(cè)試現(xiàn)

狀的調(diào)研基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)多次研討和論證后提出了適用于汽車控制芯片電特性測(cè)試方

法。提出的測(cè)試方法可基于不同自動(dòng)測(cè)試設(shè)備上進(jìn)行，覆蓋控制類芯片的典型被測(cè)

模塊，其他類型車輛或應(yīng)用也可參考，具有普遍適用性和兼容性。

2.1.5規(guī)范性原則

本標(biāo)準(zhǔn)在編制過(guò)程中，遵循以下規(guī)范性原則：

一致性原則:標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)確保測(cè)試方法在不同條件下的一致性，以便不同的實(shí)驗(yàn)室和

企業(yè)采用相同或相似的測(cè)試方法，獲得可比性的結(jié)果。

準(zhǔn)確性原則:測(cè)試方法應(yīng)能夠準(zhǔn)確反映汽車控制芯片的電特性，避免因測(cè)試方法

不當(dāng)而導(dǎo)致的誤差。

可操作性原則:標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)簡(jiǎn)單明了，便于操作人員理解和執(zhí)行，避免由于復(fù)雜的操

作流程而導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確。

安全性原則:在測(cè)試過(guò)程中，應(yīng)充分考慮操作人員的安全，避免使用可能對(duì)人體

有害的測(cè)試方法或設(shè)備。

可重復(fù)性原則:測(cè)試方法應(yīng)具有良好的可重復(fù)性，即在不同時(shí)間、不同地點(diǎn)由不

同人員操作，測(cè)試結(jié)果應(yīng)保持穩(wěn)定。

合規(guī)性原則:標(biāo)準(zhǔn)的制定應(yīng)符合國(guó)家及行業(yè)的法律法規(guī)要求，不得與現(xiàn)有法規(guī)相

沖突。

前瞻性原則:考慮到汽車芯片技術(shù)的快速發(fā)展，標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)具有一定的前瞻性，能夠

適應(yīng)未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)技術(shù)發(fā)展的需求。

開(kāi)放與協(xié)作原則:在標(biāo)準(zhǔn)編制過(guò)程中，應(yīng)廣泛征求行業(yè)內(nèi)外相關(guān)方的意見(jiàn)和建

議，確保標(biāo)準(zhǔn)的廣泛適用性和可接受性。

2.2標(biāo)準(zhǔn)主要技術(shù)內(nèi)容

本標(biāo)準(zhǔn)正文部分共分為5章，包含了范圍、規(guī)范性引用文件、術(shù)語(yǔ)、定義和縮

略語(yǔ)、芯片基本結(jié)構(gòu)、電特性測(cè)試條件及測(cè)試方法。其中，芯片基本結(jié)構(gòu)包括：CPU、

存儲(chǔ)模塊、接口模塊、安全模塊。電特性測(cè)試條件包括：工作電壓、測(cè)試環(huán)境及其

5

他條件。測(cè)試方法包括：管腳電特性參數(shù)測(cè)試、CPU測(cè)試、存儲(chǔ)測(cè)試、接口測(cè)試、

安全模塊測(cè)試。

2.3關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題說(shuō)明

本標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵技術(shù)是在特定的測(cè)試環(huán)境要求下對(duì)汽車控制芯片電特性的測(cè)試方

法。芯片電特性測(cè)試的目的在于真實(shí)反映出芯片的關(guān)鍵參數(shù)，用于對(duì)應(yīng)用、性能、

一致性等進(jìn)行參考。在實(shí)際應(yīng)用中芯片會(huì)工作在不同的環(huán)境溫度以及自發(fā)熱的影響

下，這會(huì)導(dǎo)致芯片的各項(xiàng)電特性出現(xiàn)不同程度的波動(dòng)，因此在各種嚴(yán)苛環(huán)境條件下

進(jìn)行測(cè)試是非常必要的。

2.4標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的論據(jù)

根據(jù)汽車控制芯片的規(guī)格書和技術(shù)參數(shù)，確定測(cè)試項(xiàng)目、測(cè)試條件和測(cè)試方法。

規(guī)格書描述了芯片的功能、性能、電特性參數(shù)等關(guān)鍵信息，為測(cè)試方法的制定提供

了重要依據(jù)。

根據(jù)芯片規(guī)格和測(cè)試需求，制定合適的測(cè)試環(huán)境要求，包括溫濕度、電源等。

管腳特性測(cè)試主要關(guān)注芯片管腳的電氣特性，如開(kāi)短路狀態(tài)、高低電平、電流

等。測(cè)試方法需根據(jù)管腳類型和功能，設(shè)計(jì)相應(yīng)的測(cè)試電路和測(cè)試程序，以驗(yàn)證電

特性是否符合規(guī)格要求。

CPU作為汽車控制芯片的核心部件，其功能驗(yàn)證至關(guān)重要。測(cè)試方法應(yīng)包括字

長(zhǎng)測(cè)試、頻率測(cè)試、運(yùn)算能力測(cè)試、多核協(xié)同性能測(cè)試等，以驗(yàn)證CPU的穩(wěn)定性和

性能表現(xiàn)。

存儲(chǔ)單元是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件，測(cè)試流程應(yīng)包括緩存性能測(cè)試測(cè)試、數(shù)據(jù)保

持及讀寫能力測(cè)試等，以驗(yàn)證存儲(chǔ)單元是否可。

接口通信測(cè)試旨在驗(yàn)證芯片與外部設(shè)備之間的通信能力。測(cè)試細(xì)則應(yīng)包括各類

通訊接口，如CAN、ADC、LIN等信號(hào)收發(fā)、通信速率測(cè)試、通信協(xié)議測(cè)試等，以

確保芯片與外部設(shè)備之間的通信暢通無(wú)阻。

安全模塊是汽車控制芯片的重要組成