(19)國家知識產權局(12)發(fā)明專利(73)專利權人京東方科技集團股份有限公司地址100015北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號專利權人成都京東方光電科技有限公司限公司11415H10K59/126(2023.01)于所述像素驅動電路背離所述襯底一側的平坦擋層及位于所述阻擋層背離所述襯底一側的發(fā)底一側的有機發(fā)光材料層及位于所述有機發(fā)光所述顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的所述第一電極在所述襯底上的正投影的邊緣落在所述阻擋層在所述2位于所述襯底上的像素驅動電路；位于所述像素驅動電路背離所述襯底一側的平坦化層；位于所述平坦化層背離所述襯底一側的阻擋層，所述阻擋層用于阻擋水氧；所述阻擋層包括多個阻擋部和多個塊狀結構；所述阻擋部呈環(huán)形；位于所述阻擋層背離所述襯底一側的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括位于所述顯示區(qū)的多個發(fā)光結構，所述發(fā)光結構包括第一電極、位于所述第一電極背離所述襯底一側的有機發(fā)光材料層及位于所述有機發(fā)光材料層背離所述襯底一側的第二電極；至少位于所述顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的所述第一電極在所述襯底上的正投影的邊緣落在所述阻擋層在所述襯底上的正投影內，且與所述阻擋層在所述襯底上的正投影的邊緣不交疊；至少位于所述顯示區(qū)邊緣區(qū)域的各所述第一電極在所述襯底上的正投影的邊緣位于一個所述阻擋部在所述襯底上的正投影的內邊緣與外邊緣之間；像素限定層，位于所述阻擋層背離所述襯底的一側，所述像素限定層設有與所述發(fā)光結構一一對應的像素開口；所述像素限定層位于所述第一電極上，且所述像素開口暴露對應的第一電極的一部分；各所述塊狀結構在所述襯底上的正投影落在一個所述像素開口的底部在所述襯底上的正投影內，且所述塊狀結構在所述襯底上的正投影的面積小于對應的所述像素開口的底部在所述襯底上的正投影的面積。2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述阻擋層包括無機層。3.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述無機層的厚度范圍為500埃~3000埃。4.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述平坦化層背離所述襯底的一側設有凹陷，所述第一電極被所述像素開口暴露的部分包括位于所述凹陷底部的第一電極部及位于所述凹陷的側表面的第二電極部。5.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述阻擋層包括多個塊狀結構，各所述塊狀結構在所述襯底上的正投影落在一個所述第一電極部在所述襯底上的正投影內，且所述塊狀結構在所述襯底上的正投影的面積小于對應的所述第一電極部在所述襯底上的正投影的面積。6.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述發(fā)光層包括至少三種不同發(fā)光顏色的所述發(fā)光結構，不同發(fā)光顏色的所述發(fā)光結構對應的塊狀結構的形狀相同或不同；和/至少一個所述第一電極對應的所述塊狀結構位于其對應的所述阻擋部內且與所述阻擋部之間存在間隙，所述第一電極通過所述阻擋部與所述塊狀結構之間的間隙與所述像素驅動電路電連接。7.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求1至6任一項所述的顯示基板、以及位于所述顯示基板上的封裝層和彩膜層。8.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求7所述的顯示面板。3技術領域[0001]本申請涉及顯示技術領域，特別涉及一種顯示基板、顯示面板及顯示背景技術比度高等優(yōu)點，已經被普遍應用在顯示設備中。[0003]現(xiàn)有的顯示面板中，位于顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的像素容易失效，導致顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的顯示效果較差，影響用戶的使用體驗。發(fā)明內容[0004]根據本申請實施例的第一方面，提供了一種顯示基板。所述顯示基板包括顯示區(qū)；所述顯示基板包括：[0006]位于所述襯底上的像素驅動電路；[0007]位于所述像素驅動電路背離所述襯底一側的平坦化層；[0008]位于所述平坦化層背離所述襯底一側的阻擋層，所述阻擋層用于阻擋水氧；[0009]位于所述阻擋層背離所述襯底一側的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括位于所述顯示區(qū)的多個發(fā)光結構，所述發(fā)光結構包括第一電極、位于所述第一電極背離所述襯底一側的有機發(fā)光材料層及位于所述有機發(fā)光材料層背離所述襯底一側的第二電極；至少位于所述顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的所述第一電極在所述襯底上的正投影的邊緣落在所述阻擋層在所述襯底上的正投影內，且與所述阻擋層在所述襯底上的正投影的邊緣不交疊。[0011]在一個實施例中，所述無機層的厚度范圍為500?！?000埃。[0012]在一個實施例中，所述阻擋層包括多個阻擋部，所述阻擋部呈環(huán)形；至少位于所述顯示區(qū)邊緣區(qū)域的各所述第一電極在所述襯底上的正投影的邊緣位于一個所述阻擋部在所述襯底上的正投影的內邊緣與外邊緣之間。[0013]在一個實施例中，所述顯示基板還包括位于所述阻擋層背離所述襯底一側的像素限定層，所述像素限定層設有與所述發(fā)光結構一一對應的像素開口；所述像素限定層位于所述第一電極上，且所述像素開口暴露對應的第一電極的一部分；[0014]所述阻擋層包括多個塊狀結構，各所述塊狀結構在所述襯底上的正投影落在一個所述像素開口的底部在所述襯底上的正投影內，且所述塊狀結構在所述襯底上的正投影的面積小于對應的所述像素開口的底部在所述襯底上的正投影的面積。[0015]在一個實施例中，所述顯示基板還包括位于所述阻擋層背離所述襯底一側的像素限定層，所述像素限定層設有與所述發(fā)光結構一一對應的像素開口；所述像素限定層位于所述第一電極上，且所述像素開口暴露對應的第一電極的一部分；[0016]所述平坦化層背離所述襯底的一側設有凹陷，所述第一電極被所述像素開口暴露4的部分包括位于所述凹陷底部的第一電極部及位于所述凹陷的側表面的第二電極部。[0017]在一個實施例中，所述阻擋層包括多個塊狀結構，各所述塊狀結構在所述襯底上的正投影落在一個所述第一電極部在所述襯底上的正投影內，且所述塊狀結構在所述襯底上的正投影的面積小于對應的所述第一電極部在所述襯底上的正投影的面積。[0018]在一個實施例中，所述發(fā)光層包括至少三種不同發(fā)光顏色的所述發(fā)光結構，不同發(fā)光顏色的所述發(fā)光結構對應的塊狀結構的形狀相同或不同；和/或，[0019]所述阻擋層包括多個阻擋部，所述阻擋部呈環(huán)形；至少位于所述顯示區(qū)邊緣區(qū)域的各所述第一電極在所述襯底上的正投影的邊緣位于一個所述阻擋部在所述襯底上的正投影的內邊緣與外邊緣之間；至少一個所述第一電極對應的所述塊狀結構位于其對應的所述阻擋部內且與所述阻擋部之間存在間隙，所述第一電極通過所述阻擋部與所述塊狀結構之間的間隙與所述像素驅動電路電連接。[0020]根據本申請實施例的第二方面，提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的顯示基板。[0021]根據本申請實施例的第三方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示面板、以及位于所述顯示基板上的封裝層和彩膜層。[0022]本申請實施例所達到的主要技術效果是：[0023]本申請實施例提供的顯示基板、顯示面板及顯示裝置，由于用于阻擋水氧的阻擋層位于平坦化層與第一電極之間，平坦化層中的水氧向該第一電極所在的發(fā)光結構的有機發(fā)光材料層入侵時，必須要先繞過阻擋層；由于位于顯示區(qū)邊緣區(qū)域的發(fā)光結構的第一電極在襯底上的正投影的邊緣落在阻擋層在襯底上的正投影內，且與阻擋層在襯底上的正投影的邊緣不交疊，則阻擋層可增大平坦化層中的水氧向位于邊緣區(qū)域的發(fā)光結構的有機發(fā)光材料層入侵的路徑，有助于減小平坦化層中的水氧向位于顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的有機發(fā)光材料層入侵的量，從而有助于提升顯示區(qū)邊緣區(qū)域的發(fā)光結構的壽命，保證顯示基板的顯附圖說明[0024]圖1是本申請一示例性實施例提供的顯示基板的局部剖視圖；[0025]圖2是本申請另一示例性實施例提供的顯示基板的局部剖視圖；[0026]圖3是本申請一示例性實施例提供的顯示基板的局部結構示意圖；[0027]圖4是本申請另一示例性實施例提供的顯示基板的局部結構示意圖；[0028]圖5是本申請一示例性實施例提供的顯示基板的制備方法的流程圖。具體實施方式[0029]這里將詳細地對示例性實施例進行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時，除非另有表示，不同附圖中的相同數字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施例并不代表與本申請相一致的所有實施例。相反，它們僅是與如所附權利要求書中所詳述的、本申請的一些方面相一致的裝置和方法的例子。[0030]在本申請使用的術語是僅僅出于描述特定實施例的目的，而非旨在限制本申請。5形式，除非上下文清楚地表示其他含義。還應當理解，本文中使含一個或多個相關聯(lián)的列出項目的任何或所有可能組合。[0031]應當理解，盡管在本申請可能采用術語第一、第二、第三等來描述各種信息，但這些信息不應限于這些術語。這些術語僅用來將同一類型的信息彼此區(qū)分開。例如，在不脫離本申請范圍的情況下，第一信息也可以被稱為第二信息，類似地，第二信息也可以被稱為第[0032]如背景技術中所述，位于顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的像素容易失效，影響顯示面板的顯示效果。發(fā)明人經研究發(fā)現(xiàn)，產生這種問題的原因是：在制備顯示面板的過程中，形成像素驅動電路后，在像素驅動電路上形成平坦化層，為了便于后續(xù)形成的陽極與像素驅動電路的連接，需要在平坦化層上打孔。在顯示面板的制備過程中，平坦化層中位于開孔周圍的水汽可通過開孔逸出。由于僅需要對平坦化層位于顯示區(qū)的部分進行打孔，圍繞顯示區(qū)的邊框區(qū)中的平坦化層不需要打孔，在顯示面板的制備過程中，位于邊框區(qū)的平坦化層中的水汽無法逸出。顯示面板的使用時間較長，或者在高溫條件下或者受到光照時，位于邊框區(qū)的平坦化層中的水汽逸出后會入侵至位于顯示區(qū)的邊緣區(qū)域(顯示區(qū)鄰接邊框區(qū)的區(qū)域)的子像素的有機發(fā)光材料，從而導致子像素失效。[0033]為解決上述技術問題，本申請實施例提供了一種顯示基板、顯示面板及顯示裝置。下面結合附圖，對本申請實施例中的顯示基板、顯示面板及顯示裝置進行詳細說明。在不沖突的情況下，下述的實施例中的特征可以相互補充或相互組合。[0034]本申請實施例提供了一種顯示基板。所述顯示基板包括顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū)的邊框區(qū)。參見圖1與圖2,所述顯示基板100包括襯底10、位于所述襯底上的像素驅動電路20、位于所述像素驅動電路20背離所述襯底10一側的平坦化層54、位于所述平坦化層54背離所述襯底10一側的阻擋層30、及位于所述阻擋層30背離所述襯底10一側的發(fā)光層。[0035]所述阻擋層30用于阻擋水氧。所述發(fā)光層包括位于所述顯示區(qū)的多個發(fā)光結構40,所述發(fā)光結構40包括第一電極41、位于所述第一電極41背離所述襯底10一側的有機發(fā)光材料層42、及位于所述有機發(fā)光材料層42背離所述襯底10一側的第二電極43。邊框區(qū)內未設置發(fā)光結構。至少位于所述顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的所述第一電極41在所述襯底10上的正投影的邊緣落在所述阻擋層30在所述襯底10上的正投影內，且與所述阻擋層30在所述襯底10上的正投影的邊緣不交疊。顯示區(qū)的邊緣區(qū)域為顯示區(qū)與邊框區(qū)相鄰的區(qū)域，顯示區(qū)的邊緣區(qū)域內設置有發(fā)光結構(也即子像素),顯示基板在顯示時顯示區(qū)的邊緣區(qū)域內的發(fā)光結構發(fā)光。[0036]其中，第一電極41在襯底10上的正投影的邊緣落在所述阻擋層30在所述襯底10上的正投影內，且與所述阻擋層30在所述襯底10上的正投影的邊緣不交疊，指的是，阻擋層30在襯底10的延伸方向上超出第一電極41的邊緣。[0037]其中，顯示區(qū)的邊緣區(qū)域指的是顯示區(qū)鄰接邊框區(qū)的區(qū)域。該邊緣區(qū)域的第一電極與邊框區(qū)相鄰。邊緣區(qū)域的寬度可以是容納一個第一電極的寬度，也可以是容納兩個或兩個以上第一電極的寬度。[0038]本申請實施例提供的顯示基板，由于用于阻擋水氧的阻擋層30位于平坦化層54與第一電極41之間，平坦化層54中的水氧向該第一電極41所在的發(fā)光結構的有機發(fā)光材料層6入侵時，必須要先繞過阻擋層30;由于位于顯示區(qū)邊緣區(qū)域的發(fā)光結構40的第一電極41在襯底上的正投影的邊緣落在阻擋層30在襯底上的正投影內，且與阻擋層在襯底10上的正投影的邊緣不交疊，則阻擋層30可增大平坦化層54中的水氧向位于邊緣區(qū)域的發(fā)光結構40的有機發(fā)光材料層入侵的路徑，有助于減小平坦化層54中的水氧向位于顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的有機發(fā)光材料層入侵的量，從而有助于提升顯示區(qū)邊緣區(qū)域的發(fā)光結構的壽命，保證顯示基板的顯示效果，提升顯示基板的可靠性。[0039]在一個實施例中，顯示基板中每一發(fā)光結構40中，第一電極41在襯底10上的正投影的邊緣均落在阻擋層30在襯底10上的正投影內，且與所述阻擋層30在所述襯底10上的正投影的邊緣不交疊。如此設置，平坦化層54中的水汽向每一發(fā)光結構40的有機發(fā)光材料層的入侵路徑均增大，可使得顯示區(qū)內每一發(fā)光結構40的壽命均得到提升。[0040]在一個實施中，襯底10為剛性襯底，剛性襯底的材料可以是金屬或石英等。[0041]在一個實施例中，像素驅動電路20包括薄膜晶體管21及電容22。薄膜晶體管21包括有源層211、柵電極212、第三電極213及第四電極241。發(fā)光結構40的第一電極41通過貫穿平坦化層54的通孔與第四電極214電連接。第三電極213與第四電極214中的一個為源電極，另一個為漏電極。電容22包括第一極板221及位于第一極板221背離襯底10的一側且與第一極板221相對設置的第二極板222。第一極板221與柵電極212可位于同一層，在一次構圖工藝中形成。[0042]在一個實施例中，顯示基板100還包括柵極絕緣層51、電容絕緣層52及層間介質層53。柵極絕緣層51位于有源層211與柵電極212之間。電容絕緣層52位于第一極板221與第二極板222之間。層間介質層53位于第二極板222背離襯底10的一側。第三電極213與第四電極214位于層間介質層53背離襯底10的一側，且通過貫穿柵極絕緣層51、電容絕緣層52及層間介質層53的通孔與有源層211電連接。平坦化層54位于第三電極213與第四電極214背離襯底10的一側，且覆蓋第三電極213、第四電極214及露出的層間介質層53。[0043]在一個實施例中，發(fā)光結構40的第一電極41為陽極，發(fā)光結構40的第二電極43為陰極。顯示區(qū)的各個發(fā)光結構40的第二電極43可以是連成一片的面電極。[0044]發(fā)光層可包括至少三種不同發(fā)光顏色的所述發(fā)光結構40。在一些實施例中，發(fā)光層可包括三種不同顏色的發(fā)光結構，分別為紅色的發(fā)光結構、綠色的發(fā)光結構和藍色的發(fā)光結構。[0045]在一個實施例中，所述顯示基板100還包括位于所述阻擋層30背離所述襯底10一側的像素限定層55,所述像素限定層55設有與所述發(fā)光結構40—一對應的像素開口551。所述像素限定層55位于所述第一電極41上，且所述像素開口551暴露對應發(fā)光結構40的第一電極41的一部分。由靠近襯底10的一側至背離襯底10的一側，像素開口551的開口面積可逐漸增大。[0046]在一個實施例中，參見圖2,所述平坦化層54背離所述襯底10的一側設有凹陷，所述第一電極41被所述像素開口551暴露的部分包括位于所述凹陷底部的第一電極部411及位于所述凹陷的側表面的第二電極部412。有機發(fā)光材料層42的底部位于第一電極部411上；有機發(fā)光材料層42的側部的一部分位于第二電極部412側部，另一部分位于像素開口551的側表面，相對于有機發(fā)光材料層42的側部全部位于像素開口551的側表面來說，有機發(fā)光材料層42的側部與像素限定層55接觸的面積減小，有助于有機發(fā)光材料層隔絕水氧；7并且第一電極部411傾斜設置，有助于增大顯示基板在大視角下的光線的出射量，從而提高顯示基板大視角下的亮度，改善顯示基板大視角下色偏的現(xiàn)象。[0047]在一個實施例中，所述平坦化層背離像素驅動電路的一側可設有多個凹陷，平坦化層的凹陷與第一電極41—一對應。第一電極41的部分位于對應的凹陷內。[0048]在一個實施例中，所述阻擋層30包括無機層。無機層阻擋水氧的效果較好，阻擋層30包括無機層時，有助于減小平坦化層54中的水氧向位于邊緣區(qū)域的發(fā)光結構40的有機發(fā)光材料層入侵的量。在一些實施例中，阻擋層30僅包括無機層。[0049]進一步地，阻擋層30中的無機層的材料可以是氮化硅、氧化硅等。優(yōu)選的，無機層的材料為氮化硅，如此可使得無機層的致密性更好，更有助于阻擋水氧。[0050]在一個實施例中個，所述阻擋層30中的無機層的厚度范圍為500埃~3000埃。如此設置，既可避免阻擋層30的厚度較小，導致工藝不容易實現(xiàn)，以及無機層阻擋水氧的效果較差，也可避免阻擋層30的厚度較大，導致顯示基板的厚度增大。在一些實施例中，所述阻擋[0051]在一個實施例中，參見圖3及圖4,所述阻擋層30包括多個阻擋部31,所述阻擋部31呈環(huán)形。至少位于所述顯示區(qū)邊緣區(qū)域的各所述第一電極41在所述襯底10上的正投影的邊緣位于一個所述阻擋部31在所述襯底10上的正投影的內邊緣與外邊緣之間。如此設置，平坦化層中逸出的水氧從各個位置向有機發(fā)光材料層入侵時，均需要繞過阻擋部31的邊緣，也即是平坦化層中逸出的水氧從各個位置向有機發(fā)光材料層入侵的路徑均增大，更有助于阻擋水氧入侵，提升顯示基板的可靠性。[0052]在一個實施例中，像素限定層55的像素開口551的底部(也即是像素開口551靠近襯底10的一側)在襯底10上的正投影的邊緣位于對應的阻擋部31在襯底10上的正投影內邊緣的內側。也即是，像素限定層55的像素開口551在襯底10上的正投影與對應的阻擋部31在襯底10上的正投影不存在交疊。[0053]在一個實施例中，所述阻擋部31與顯示基板的各發(fā)光結構40—一對應。每一發(fā)光結構40的第一電極41在所述襯底10上的正投影位于對應的所述阻擋部31在所述襯底10上的正投影的內邊緣與外邊緣之間。如此，平坦化層逸出的水氧從各個位置向每一發(fā)光結構40入侵的路徑均增大，更有助于提升顯示基板的可靠性。[0054]在一個實施例中，再次參見圖1至圖4,所述阻擋層30包括多個塊狀結構32,每一所述塊狀結構32在所述襯底10上的正投影落在一個所述像素開口551的底部在所述襯底10上的正投影內，且所述塊狀結構32在所述襯底10上的正投影的面積小于對應的所述像素開口551的底部在所述襯底10上的正投影的面積。其中塊狀結構32對應的像素開口551指的是，在襯底10上的正投影與塊狀結構32在襯底10上的正投影有重疊的像素開口551。[0055]由于塊狀結構32位于第一電極41下方，且塊狀結構32在襯底10上的正投影落在對應的像素開口551的底部在襯底10上的正投影，且塊狀結構32的面積小于對應的像素開口551的底部的面積，則可使得發(fā)光結構在膜層的疊層方向上與塊狀結構32對應的區(qū)域凸起，發(fā)光結構40凸起的區(qū)域側部發(fā)出的光線中，至少部分光線可從顯示基板的側面出射，如此可增大顯示基板在大視角下的光線的出射量，從而提高顯示基板大視角下的亮度，改善顯示基板大視角下色偏的現(xiàn)象。并且，現(xiàn)有方案中，第一電極背離襯底的表面呈無規(guī)律的不平坦，顯示基板在黑屏狀態(tài)下時入射至顯示基板的環(huán)境光被內部結構反射后，在經過顯示基8板上方的彩膜層的色阻時，會出現(xiàn)色分離的現(xiàn)象。本申請實施例中，通過設置塊狀結構32,可改變顯示基板黑屏狀態(tài)下入射至顯示基板的環(huán)境光被內部結構反射后反射光線的軌跡，也有助于減弱顯示基板黑屏狀態(tài)下產生的色偏現(xiàn)象。[0056]圖3及圖4所示的實施例中，塊狀結構32呈長條形。在其他實施例中，塊狀結構32可[0057]在一些實施例中，如圖3所示，一個第一電極41對應一個塊狀結構32。在一些實施例中，一個第一電極41對應兩個或兩個以上塊狀結構32。[0058]在一個實施例中，再次參見圖2,平坦化層54背離所述襯底10的一側設有凹陷，所述第一電極41被所述像素開口551暴露的部分包括位于所述凹陷底部的第一電極部411及位于所述凹陷的側表面的第二電極部412,所述塊狀結構32在所述襯底10上的正投影落在一個所述第一電極部411在所述襯底10上的正投影內，且所述塊狀結構32在所述襯底10上的正投影的面積小于對應的所述第一電極部411在所述襯底10上的正投影的面積。如此設置，可進一步增大顯示基板在大視角下的光線的出射量，提高顯示基板大視角下的亮度，改善顯示基板大視角下色偏的現(xiàn)象。[0059]在一個實施例中，每一所述像素開口551均與至少一個塊狀結構32對應。如此，更有助于提升顯示基板大視角下的亮度，改善顯示基板大視角下色偏的現(xiàn)象。[0060]在一個實施例中，所述發(fā)光層的不同發(fā)光顏色的所述發(fā)光結構對應的塊狀結構的形狀相同或不同。圖3及圖4所示的實施例中，不同發(fā)光顏色的所述發(fā)光結構對應的塊狀結構的形狀均相同。在其他實施例中，發(fā)光層的不同發(fā)光顏色的所述發(fā)光結構對應的塊狀結構的形狀可不同。[0061]在一個實施例中，至少一個所述第一電極41對應的所述塊狀結構32位于其對應的所述阻擋部31內且與所述阻擋部31之間存在間隙，所述第一電極41通過所述阻擋部31與所述塊狀結構32之間的間隙與所述像素驅動電路20電連接。如此設置，阻擋層30的設置不影響第一電極41與像素驅動電路的電連接。[0062]本申請實施例還提供了一種顯示基板的制備方法。下面對顯示基板的制備過程進和剝離光刻膠等處理。沉積可以采用濺射、蒸鍍或化學氣相沉積中等工藝，刻蝕可以采用干刻或濕刻等工藝。“薄膜”是指將某一種材料在基底上利用沉積或涂覆工藝制作出的一層薄制作過程當中該“薄膜”還需構圖工藝，則在構圖工藝前稱為“薄膜”,構圖工藝后可稱為包括如下步驟110至步驟[0064]在步驟120中，形成位于所述襯底上的像素驅動電路。[0065]在一個實施例中，參見圖1及圖2,像素驅動電路20包括薄膜晶體管21及電容22。薄膜晶體管21包括有源層211、柵電極212、第三電極213及第四電極241。發(fā)光結構40的第一電極41通過貫穿平坦化層54的通孔與第四電極214電連接。第三電極213與第四電極214中的一個為源電極，另一個為漏電極。電容22包括第一極板221及位于第一極板221背離襯底10的一側且與第一極板221相對設置的第二極板222。第一極板221與柵電極212位于同一層。9[0066]在一個實施例中，顯示基板100還包括柵極絕緣層51、電容絕緣層52及層間介質層[0067]在一個實施例中，所述形成位于所述襯底上的像素驅動電路的步驟120包括如下過程：[0068]首先，在襯底10上沉積有源層薄膜，通過構圖工藝對有源層薄膜進行構圖，形成有源層211。[0069]隨后，依次沉積柵極絕緣層51和第一金屬薄膜，通過構圖工藝對第一金屬薄膜進行構圖，形成位于柵電極212和第一極板221。[0070]隨后，依次沉積電容絕緣層52和第二金屬薄膜，通過構圖工藝對第二金屬薄膜進[0071]隨后，依次沉積層間介質層53,并對柵極絕緣層51、電容絕緣層52和層間介質層53進行刻蝕，形成穿透柵極絕緣層51、電容絕緣層52和層間介質層53的通孔，通孔位于有源層的側部且暴露部分有源層的側部。[0072]隨后，依次沉積第三金屬薄膜，通過構圖工藝對第三金屬薄膜進行構圖，形成第三電極213與第四電極214,第三電極213與第四電極214分別通過通孔與有源層211電連接。[0073]在步驟130中，形成位于所述像素驅動電路背離所述襯底一側的平坦化層。[0074]在步驟140中，形成位于所述平坦化層背離所述襯底一側的阻擋層，所述阻擋層用于阻擋水氧。[0075]在一個實施例中，所述阻擋層30包括多個阻擋部31及塊狀結構32。[0077]進一步地，所述阻擋層為無機層。所述形成位于所述襯底上的像素驅動電路的步驟120包括如下過程：[0078]在平坦化層背離襯底的一側沉積無機層薄膜，通過構圖工藝對無機層薄膜進行構[0079]在一個實施例中，所述阻擋層30包括多個阻擋部31,所述阻擋部31呈環(huán)形。至少位于所述顯示區(qū)邊緣區(qū)域的各所述第一電極41在所述襯底10上的正投影的邊緣位于一個所述阻擋部31在所述襯底10上的正投影的內邊緣與外邊緣之間。[0080]在步驟150中，形成位于所述阻擋層背離所述襯底一側的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括位于所述顯示區(qū)的多個發(fā)光結構，所述發(fā)光結構包括第一電極、位于所述第一電極背離所述襯底一側的有機發(fā)光材料層及位于所述有機發(fā)光材料層背離所述襯底一側的第二電極。[0081]其中，至少位于所述顯示區(qū)的邊緣區(qū)域的所述第一電極在所述襯底上的正投影的邊緣落在所述阻擋層在所述襯底上的正投影內，且與所述阻擋層在所述襯底上的正投影的邊緣不交疊。[0082]在一個實施例中，所述阻擋層30包括多個塊狀結構32,每一所述塊狀結構32在所述襯底10上的正投影落在一個所述像素開口551的底部在所述襯底10上的正投影內，且所述塊狀結構32在所述襯底10上的正投影的面積小于對應的所述像素開口551的底部在所述襯底10上的正投影的面積。[0083]由于顯示基板的制備方法與顯示基板屬于同一發(fā)明構思，具體細節(jié)及帶來的有益[0084]本申請實施例還提供了一種顯示面板。參見圖1及圖2,所述顯示