備案號：52039-2015代替SJ/T2658.12—1986半導體紅外發(fā)射二極管測量方法第12部分：峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬2016-04-01實施ISJ/T2658《半導體紅外發(fā)射二極管測量方法》已經(jīng)或計劃發(fā)布以下部分： —第8部分：輻射強度——第11部分：響應(yīng)時間——第13部分：輻射功率溫度系數(shù)——第16部分光電轉(zhuǎn)換效率本部分按照GBT1—2009《標準化工作導則第1部分：標準的結(jié)構(gòu)和編寫》給出的規(guī)則起草。本部分代替SJ/t2658.12—1986《半導體紅外發(fā)光二極管測試方法峰值波長和光譜半寬度的測試方法》,除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下：——修改了峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬的測量原理圖(見圖)——細化了峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬的測量步驟(見5.2)——補充了峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬測量方法的規(guī)定條件(見5.3)。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任。本部分由工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院歸口。本部分起草單位：工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院。本部分主要起草人：張戈、趙英。本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：—SJ/T2658.12—1986。1SJ/T2658.12—2015半導體紅外發(fā)射二極管測量方法第12部分：峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬本部分規(guī)定了半導體紅外發(fā)射二極管(以下簡稱器件)峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬的測量原理圖、測量步驟以及規(guī)定條件。本部分適用于半導體紅外發(fā)射二極管。2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。SJ/T2658.華導體紅外發(fā)射二極管測量方法第1部分：總則下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1峰值發(fā)射波長peak-emissionwavelength在規(guī)定的正向工作電流下，器件的光譜輻射分布曲線上最大輻射功率所對應(yīng)的波長。在規(guī)定的正向工作電流下，器件的光譜輻射分布曲線上最大輻射功率的規(guī)定百分比所對應(yīng)的兩個波長之差。4一般要求測量峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬的一般要求應(yīng)符合SJ/T2658.1的規(guī)定。5測量方法5.1方法I——單色儀法5.1.1測量原理圖采用單色儀法測量峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬的原理圖見圖1。2D?D?D?十MRMGDUTALDUT-—被測器件；D?,D?——消除雜散光光闌；M單色儀b;RM——包括光闌D?的輻射探測系統(tǒng)。注：若存在器件光譜特性空間分布不均勻，導致測量重復性差，可采用被測器件置于積分球內(nèi)的形式。應(yīng)盡量減少反射入被測器件內(nèi)的輻射功率，以避免由于失真而影響測量準確度。b單色儀的波長分辨率和帶寬應(yīng)能保證足夠的測試準確度；如果單色儀的光譜透過率和輻射探測系統(tǒng)的光譜響應(yīng)度在要求的波長范圍內(nèi)不是常數(shù)，則應(yīng)修正記錄的測量數(shù)據(jù)。a)按圖1連接測量系統(tǒng)，使正向電流為規(guī)定值；譜輻射功率，獲得被測器件的光譜輻射功率分布(見圖2);d)設(shè)最大輻射功率Pp的規(guī)定百分比為α%,a%·Pp所對應(yīng)的波長為λ?和λ?,兩者之差△λ即為光3SJ/T2658.12—2015光譜輻射功率波長輻射功率的比值，曲線峰值可用100%表示。5.1.3規(guī)定條件b)正向電流IF(直流或脈沖);d)最大輻射功率的規(guī)定百分比α%。5.2方法Ⅱ——光譜儀法5.2.1測量原理圖采用光譜儀法測量峰值波長和光譜輻射帶寬的原理圖見圖3。M?——光譜儀積分球內(nèi)壁測量光輻射；遮光屏為探測器屏鼓了采自被測器件的直接鎘射。度、高反射系數(shù)(不小于0.8)的漫反射鍍層。球和光譜儀組合應(yīng)校準，應(yīng)該考慮到峰值發(fā)射波長和輻射功率由于功率消耗產(chǎn)生的變化圖3光譜儀法測量峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬的原理圖采用光譜儀法測量峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬按下列步驟進行a)按圖3連接測量系統(tǒng)，使正向電流為規(guī)定值b)調(diào)節(jié)光譜儀在所需波段內(nèi)掃描，獲取被測器件的光譜輻射功率分布，最大輻射功率所對應(yīng)的波c)