/微專題晶胞計(jì)算目錄一、TOC\o"1-3"\h\u考情探究 11.高考真題考點(diǎn)分布 22.命題規(guī)律及備考策略 2二、培優(yōu)講練 錯(cuò)誤！未定義書簽?？键c(diǎn)01晶胞的計(jì)算 3考向01考查均攤法計(jì)算微粒數(shù)目 8考向02考查配位數(shù)的計(jì)算 9考向03考查晶胞參數(shù)計(jì)算 10三、好題沖關(guān) 14基礎(chǔ)過關(guān) 14題型01晶胞的計(jì)算 14能力提升 19真題感知 29

1.高考真題考點(diǎn)分布考點(diǎn)內(nèi)容考點(diǎn)分布晶胞的計(jì)算2025廣西卷，2025浙江卷，2025四川卷，2025全國卷，2025湖南卷，2025重慶卷，2025湖北卷，2025廣東卷，2025北京卷，2025云南卷，2025江蘇卷，2025陜晉青寧卷，2025河北卷，2025甘肅卷，2025山東卷，2025安徽卷，2025黑吉遼蒙卷，2025上海卷，2024天津卷，2024廣西卷，2024福建卷，2024重慶卷，2024江西卷，2024貴州卷，2024北京卷，2024甘肅卷，2024湖南卷，2024山東卷，2024河北卷，2024新課標(biāo)卷，2024全國甲卷，2024吉林卷，2024上海卷，2023天津卷，2023河北卷，2023重慶卷，2023廣東卷，2023北京卷，2023浙江卷，2023山東卷，2023湖南卷，2023湖北卷，2023遼寧卷，2023新課標(biāo)卷，2023全國甲卷2.命題規(guī)律及備考策略【命題規(guī)律】從考查題型和內(nèi)容上看，高考命題大都數(shù)以非選擇題呈現(xiàn)，若為選擇題則往往難度較大，提高卷子區(qū)分度?？疾樗婕皟?nèi)容主要有)晶體的密度、晶胞參數(shù)、核間距計(jì)算、晶體中原子的空間位置(原子坐標(biāo))判斷。【備考策略】會(huì)分析晶體結(jié)構(gòu)，并能進(jìn)行晶胞的有關(guān)計(jì)算?！久}預(yù)測(cè)】預(yù)計(jì)高考仍會(huì)考查晶胞參數(shù)計(jì)算、晶胞中配位數(shù)、微粒間距離及原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)判斷考點(diǎn)01晶胞的計(jì)算1、晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算方法——均攤法(1)原則：晶胞中任意位置上的一個(gè)原子如果是被n個(gè)晶胞所共有，那么，每個(gè)晶胞對(duì)這個(gè)原子分得的份額就是eq\f(1,n)(2)方法：①長方體(正方體)晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算a、處于頂點(diǎn)上的粒子，同時(shí)為8個(gè)晶胞所共有，每個(gè)粒子有eq\f(1,8)屬于該晶胞b、處于棱邊上的粒子，同時(shí)為4個(gè)晶胞所共有，每個(gè)粒子有eq\f(1,4)屬于該晶胞c、處于晶面上的粒子，同時(shí)為2個(gè)晶胞所共有，每個(gè)粒子有eq\f(1,2)屬于該晶胞d、處于晶胞內(nèi)部的粒子，則完全屬于該晶胞②非長方體晶胞中粒子視具體情況而定三棱柱六棱柱平面型石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形，其頂點(diǎn)(1個(gè)碳原子)被三個(gè)六邊形共有，每個(gè)六邊形占eq\f(1,3)2、晶胞參數(shù)(邊長)與半徑的關(guān)系晶體晶體結(jié)構(gòu)圖示關(guān)系晶胞參數(shù)與邊長關(guān)系簡(jiǎn)單立方晶胞晶胞參數(shù)(邊長)為a，原子球半徑為r，則有a=2r體心立方晶胞晶胞參數(shù)(邊長)為a，原子球半徑為r，體對(duì)角線長為c，則有c＝a＝4r面心立方晶胞晶胞參數(shù)(邊長)為a，原子球半徑為r，則有4r＝a六方最密堆積晶胞晶胞中原子球半徑為r，六棱柱邊長為a，高為h，則有a＝2r，h＝2倍四面體高石墨晶胞設(shè)石墨晶胞的底邊長為acm，原子球直徑為r，高為hcm，層間距dcm，則h＝2d，由圖可知：a/2＝r×sin60°，得a＝eq\r(3)r金剛石晶胞金剛石晶胞金剛石晶胞G點(diǎn)是空的，沒有球，是正立方體的體心，A球心到E球心，是2個(gè)半徑，即一個(gè)直徑；同樣，E球心到G，是2個(gè)半徑，即一個(gè)直徑，所以AG是兩個(gè)直徑，體對(duì)角線是AG的兩倍，所以體對(duì)角線是4個(gè)直徑，即8r，則有8r＝a晶胞參數(shù)(邊長)為a，原子球半徑為r，則有8r＝a。(體對(duì)角線上五球相切，其中有兩個(gè)假想球)CaF2型晶胞(與金剛石類似)晶胞參數(shù)(邊長)為a，原子球半徑為r，則有4(r++r－)＝a3、晶體密度及微粒間距離的計(jì)算晶體密度的計(jì)算公式推導(dǎo)過程若1個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒，則晶胞的物質(zhì)的量為：n＝＝mol晶胞的質(zhì)量為：m＝n·M＝g，則密度為：ρ＝右圖為CsCl晶體的晶胞假設(shè)相鄰的兩個(gè)Cs＋的核間距為acm，NA為阿伏加德羅常數(shù)，CsCl的摩爾質(zhì)量用Mg·mol－1表示，則CsCl晶體的密度為ρ＝eq\f(M,a3NA)g·cm－34、金屬晶體空間利用率的計(jì)算方法(1)空間利用率的定義及計(jì)算步驟①空間利用率(η)：指構(gòu)成晶體的原子、離子或分子總體積在整個(gè)晶體空間中所占有的體積百分比②(2)金屬晶體空間利用率分類簡(jiǎn)析①簡(jiǎn)單立方堆積：如圖所示，原子的半徑為r，立方體的棱長為2r，則V球＝eq\f(4,3)πr3，V晶胞＝(2r)3＝8r3空間利用率＝eq\f(V球,V晶胞)×100%＝eq\f(\f(4,3)πr3,8r3)×100%＝≈52%②體心立方堆積：如圖所示，原子的半徑為r，體對(duì)角線c為4r，面對(duì)角線b為eq\r(2)a，由(4r)2＝a2＋b2得a＝eq\f(4,\r(3))r。1個(gè)晶胞中有2個(gè)原子，故空間利用率＝eq\f(V球,V晶胞)×100%＝eq\f(2×\f(4,3)πr3,a3)×100%＝eq\f(2×\f(4,3)πr3,\f(4,\r(3))r3)×100%＝≈68%③面心立方最密堆積：如圖所示，原子的半徑為r，面對(duì)角線為4r，a＝2eq\r(2)r，V晶胞＝a3＝(2eq\r(2)r)3＝16eq\r(2)r3,1個(gè)晶胞中有4個(gè)原子，則空間利用率＝eq\f(V球,V晶胞)×100%＝eq\f(4×\f(4,3)πr3,16\r(2)r3)×100%＝≈74%④六方最密堆積：如圖所示，原子的半徑為r，底面為菱形(棱長為2r，其中一個(gè)角為60°)，則底面面積S＝2r×eq\r(3)r＝2eq\r(3)r2，h＝eq\f(2\r(6),3)r，V晶胞＝S×2h＝2eq\r(3)r2×2×eq\f(2\r(6),3)r＝8eq\r(2)r3,1個(gè)晶胞中有2個(gè)原子，則空間利用率＝eq\f(V球,V晶胞)×100%＝eq\f(2×\f(4,3)πr3,8\r(2)r3)×100%＝≈74%⑤金剛石型堆積：設(shè)原子半徑為R，由于原子在晶胞體對(duì)角線方向上相切(相鄰兩個(gè)碳原子之間的距離為晶胞體對(duì)角線的四分之一)，可以計(jì)算出晶胞參數(shù)：a＝b＝c＝eq\f(8\r(3),3)R，α＝β＝γ＝90°。每個(gè)晶胞中包含八個(gè)原子。η＝eq\f(8×\f(4,3)πR3,a3)×100%＝eq\f(8×\f(4,3)πR3,\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(8\r(3)R,3)))3)×100%≈34.01%4、原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)(1)含義：以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)(2)原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)的確定方法①依據(jù)已知原子的坐標(biāo)確定坐標(biāo)系取向②一般以坐標(biāo)軸所在正方體的棱長為1個(gè)單位③從原子所在位置分別向x、y、z軸作垂線，所得坐標(biāo)軸上的截距即為該原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)(3)示例AABCDEFGHxyz晶胞中原子坐標(biāo)A(0，0，0)，B(0，1，0)，C(1，1，0)， D(1，0，0)，E(0，0，1)，F(xiàn)(0，1，1)，G(1，1，1)，H(1，0，1)，體心：(EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2))，上面心：(EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2)，1)，下面心：(EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2)，0)，左面心：(EQ\f(1,2)，0，EQ\f(1,2))，右面心：(EQ\f(1,2)，1，EQ\f(1,2))，前面心：(1，EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2))，后面心：(0，EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2))5、典型晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)(1)簡(jiǎn)單立方體模型粒子坐標(biāo)粒子坐標(biāo)若1(0，0，0)，2(0，1，0)，則確定3的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1，1，0)，7為(1，1，1)(2)體心晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖粒子坐標(biāo)若1(0，0，0)，3(1，1，0)，5(0，0，1)，則6的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，1，1)，7為(1，1，1)，9為(EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2))(3)面心立方晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖粒子坐標(biāo)若1(0，0，0)，13(EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2)，0)，12(1，EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2))，則15的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(EQ\f(1,2)，1，EQ\f(1,2))，11為(EQ\f(1,2)，EQ\f(1,2)，1)(4)金剛石晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖粒子坐標(biāo)若a原子為坐標(biāo)原點(diǎn)，晶胞邊長的單位為1，則原子1、2、3、4的坐標(biāo)分別為(eq\f(1,4)，eq\f(1,4)，eq\f(1,4))、(eq\f(1,4)，eq\f(3,4)，eq\f(3,4))、(eq\f(3,4)，eq\f(1,4)，eq\f(3,4))、(eq\f(3,4)，eq\f(3,4)，eq\f(1,4))考向01考查均攤法計(jì)算微粒數(shù)目【例1】（2025·遼寧·二模）儲(chǔ)氫材料的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知的摩爾質(zhì)量為Mg/mol，阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說法正確的是A．(i)和(ii)之間的距離為B．晶體密度的計(jì)算式為C．的配位數(shù)為3D．晶胞中含有2個(gè)【答案】C【詳解】A．(i)和(ii)之間的距離為晶胞體對(duì)角線的一半，則兩點(diǎn)距離為，A錯(cuò)誤；B．該晶胞的體積為，的個(gè)數(shù)為，的個(gè)數(shù)為，一個(gè)晶胞中含有2個(gè)，故晶體密度為，選項(xiàng)中未包含單位轉(zhuǎn)換，表達(dá)式不完整，B錯(cuò)誤；C．由圖可知，與距離最近且相等的的個(gè)數(shù)為3，的配位數(shù)為3，C正確；D．晶胞中含有的個(gè)數(shù)為，D錯(cuò)誤；故答案選C?！舅季S建?！看_定晶體的化學(xué)式技法——“均攤法”“均攤法”的基本思想是晶胞中任意位置上的一個(gè)粒子被n個(gè)晶胞共用，那么每個(gè)晶胞對(duì)這個(gè)原子分得份額就是(1/n)。常見考題里涉及的晶胞有立方晶胞、六方晶胞、三棱晶胞，以立方晶胞最為常見。1、立方晶胞：每個(gè)頂點(diǎn)上的粒子被8個(gè)晶胞共用，每個(gè)粒子只有(1/8)屬于該晶胞；每條棱上的粒子被4個(gè)晶胞共用，每個(gè)粒子只有(1/4)屬于該晶胞；每個(gè)面心上的粒子被2個(gè)晶胞共用，每個(gè)粒子只有(1/2)屬于該晶胞；晶胞內(nèi)的粒子完全屬于該晶胞。2、六方晶胞：每個(gè)頂點(diǎn)上的粒子被6個(gè)晶胞共用；每條橫棱上的粒子被4個(gè)晶胞共用；每條縱棱上的粒子被3個(gè)晶胞共用；每個(gè)面心上的粒子被2個(gè)晶胞共用；晶胞內(nèi)的粒子完全屬于該晶胞。3、三棱晶胞：每個(gè)頂點(diǎn)上的粒子被12個(gè)晶胞共用；每條橫棱上的粒子被4個(gè)晶胞共用；每條縱棱上的粒子被6個(gè)晶胞共用；每個(gè)面心上的粒子被2個(gè)晶胞共用；晶胞內(nèi)的粒子完全屬于該晶胞。考向02考查配位數(shù)的計(jì)算【例2】（2025·安徽·模擬預(yù)測(cè)）氯化亞銅廣泛用于冶金、電鍍、醫(yī)藥等行業(yè)，也是常用的催化劑之一，工業(yè)制備原理之一為。的立方晶胞結(jié)構(gòu)和晶胞參數(shù)如圖所示。下列敘述錯(cuò)誤的是A．的配位數(shù)是4B．的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形C．離子鍵百分?jǐn)?shù)：D．若該晶體的密度為，則阿伏加德羅常數(shù)【答案】D【詳解】A．的晶胞結(jié)構(gòu)中，周圍最近的形成四面體配位，配位數(shù)為4，A正確；B．中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)（且含1對(duì)孤電子對(duì)），空間結(jié)構(gòu)為三角錐形，B正確；C．和中陽離子均為，因電負(fù)性：，故離子鍵百分?jǐn)?shù)：，C正確；D．晶胞中，位于頂點(diǎn)和面心，共4個(gè)；位于四面體空隙，共4個(gè)，故晶胞含4個(gè)單元。摩爾質(zhì)量，晶胞體積，由得，D錯(cuò)誤；故答案選D?！舅季S建?！?、晶體中原子(或分子)的配位數(shù)若晶體中的微粒為同種原子或同種分子，則某原子(或分子)的配位數(shù)指的是該原子(或分子)最接近且等距離的原子(或分子)的數(shù)目。常見晶胞的配位數(shù)如下：簡(jiǎn)單立方：配位數(shù)為6面心立方：配位數(shù)為12體心立方：配位數(shù)為82、離子晶體的配位數(shù)指一個(gè)離子周圍最接近且等距離的異種電性離子的數(shù)目。以NaCl晶體為例（1）找一個(gè)與其離子連接情況最清晰的離子，如圖中心的灰球(Cl－)。（2）數(shù)一下與該離子周圍距離最近的異種電性離子數(shù)，如圖標(biāo)數(shù)字的面心白球(Na＋)。確定Cl－的配位數(shù)為6，同樣方法可確定Na＋的配位數(shù)也為6。考向03考查晶胞參數(shù)計(jì)算【例3】（2025·陜西西安·模擬預(yù)測(cè)）銅銻硒礦石因元素含量豐富、成本低、無毒、環(huán)保等優(yōu)勢(shì)成為近年來薄膜太陽能電池的熱門材料。如圖1為一種銅銻硒晶體的四方晶胞結(jié)構(gòu)示意圖(晶胞參數(shù)為apm、apm、2apm)。表示阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法錯(cuò)誤的是A．圖2所示結(jié)構(gòu)不能作為該晶體的晶胞 B．該晶體的化學(xué)式為：C．晶體中與Cu最近且距離相等的Se有4個(gè) D．該晶體的密度為：【答案】D【詳解】A．晶體中晶胞能無隙并置，圖2結(jié)構(gòu)不滿足，不能作為晶胞，A正確；B．用均攤法計(jì)算：Sb位于晶胞體內(nèi)個(gè)數(shù)為1和頂點(diǎn)(8×1/8=1)，共2個(gè)；Cu在面心(10×1/2=5)和棱上(4條棱×1/4=1)，共6個(gè)；Se共8個(gè)。則化學(xué)式為Cu3SbSe4，B正確；C．觀察晶胞結(jié)構(gòu)，晶體中與Cu最近且距離相等的Se原子有4個(gè)，C正確；D．結(jié)合B分析可知晶胞體積V=a·a·2a=2a3pm3=2a3×10-30cm3，質(zhì)量，密度，D錯(cuò)誤；答案選D?！舅季S建?！?、宏觀晶體密度與微觀晶胞參數(shù)的關(guān)系2、空間利用率空間利用率=晶胞中微粒的體積晶胞體積【對(duì)點(diǎn)1】（2025·吉林延邊·模擬預(yù)測(cè)）尖晶石是一種天然礦物，顏色五花八門，部分礦種可用作電池材料。尖晶石的晶胞結(jié)構(gòu)相似，其中鎂鋁尖晶石晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，該立方晶胞由如圖2所示的、兩個(gè)立方單元組成。設(shè)表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．鎂鋁尖晶石晶體的化學(xué)式為B．晶胞中與體心最鄰近的原子數(shù)為4C．2個(gè)原子的最小間距為D．鎂鋁尖晶石晶體的密度為【答案】C【詳解】A．由晶胞結(jié)構(gòu)和m、n兩個(gè)單元的結(jié)構(gòu)可知，1個(gè)晶胞中Mg原子數(shù)為：個(gè)，Al原子數(shù)為4×4=16個(gè)，O原子數(shù)為4×4+4×4=32個(gè)，故晶體化學(xué)式為MgAl2O4，A正確；B．若體心為Mg原子，Al原子位于四面體配位位置，與體心最鄰近的Al原子數(shù)為4，B正確；C．單元m中2個(gè)Mg最小的原子間距為，單元n中2個(gè)Mg最小的原子間距為，故最小間距為，C錯(cuò)誤；D．由A項(xiàng)分析可知，1個(gè)晶胞中含8個(gè)MgAl2O4，則1個(gè)晶胞的質(zhì)量為，1個(gè)晶胞的體積為8a3pm3=8a3×10-30cm3，密度為，D正確；故選C?！緦?duì)點(diǎn)2】（2025·云南文山·模擬預(yù)測(cè)）鈰的某種氧化物是汽車尾氣凈化催化劑的關(guān)鍵成分，其晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示，下列說法正確的是A．該晶胞中的配位數(shù)為4B．若沿軸向平面投影，則其投影圖如圖2所示C．晶胞中甲的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則乙的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為D．該氧化物中鈰元素的化合價(jià)為+4【答案】D【詳解】A．配位數(shù)是指離子周圍最近鄰的異號(hào)離子數(shù)目。該晶胞中Cen+（白球）周圍最近鄰的O2-（黑球）數(shù)目為8，A錯(cuò)誤；B．沿z軸向xy平面投影時(shí)，圖2未正確反映所有O的投影位置（圖2中心處應(yīng)還有O的投影），應(yīng)該為，則B錯(cuò)誤；C．原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)以晶胞參數(shù)為單位1，甲為(0，0，0)（頂點(diǎn)），乙為四面體空隙中的O原子，其坐標(biāo)應(yīng)為(3/4，3/4，1/4)，C錯(cuò)誤；D．通過均攤法計(jì)算，一個(gè)晶胞中Ce（白球）數(shù)目為，O（黑球）個(gè)數(shù)為8，個(gè)數(shù)比為1：2，所以氧化物化學(xué)式為CeO2，Ce元素化合價(jià)為+4，D正確；答案選D?！緦?duì)點(diǎn)3】（2025·安徽六安·模擬預(yù)測(cè)）最近我國科學(xué)家預(yù)測(cè)并據(jù)此合成了新型碳材料：T-碳?？梢钥醋鹘饎偸Y(jié)構(gòu)中的一個(gè)碳原子被四個(gè)碳原子構(gòu)成一個(gè)正四面體結(jié)構(gòu)單元替代(如圖所示，所有小球都代表碳原子)，已知：T-碳的密度為ag/cm3。下列說法正確的是A．以A為坐標(biāo)原點(diǎn)，則金剛石晶胞中M位置的碳原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為B．金剛石屬于共價(jià)晶體，T-碳屬于分子晶體C．T-碳晶體和金剛石晶體中碳原子的雜化類型均為sp3雜化D．T-碳晶胞的晶胞參數(shù)為pm【答案】C【詳解】A．金剛石晶胞中體內(nèi)M原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，A錯(cuò)誤；B．T-碳與金剛石晶體類似，熔點(diǎn)高、硬度大，屬于共價(jià)晶體，B錯(cuò)誤。C．金剛石中每個(gè)碳原子與4個(gè)相鄰碳原子形成共價(jià)鍵，雜化類型為sp3。T-碳中，正四面體結(jié)構(gòu)單元的碳原子與周圍碳原子形成4個(gè)共價(jià)鍵（正四面體內(nèi)部及原有結(jié)構(gòu)連接），價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，雜化類型也為sp3，C正確。D．根據(jù)晶胞圖，1個(gè)T碳晶胞中含有個(gè)由四個(gè)碳原子構(gòu)成的正四面體結(jié)構(gòu)單元，則1個(gè)T碳晶胞的質(zhì)量為，參數(shù)為xpm，則體積為cm3，根據(jù)公式得T碳的密度為a=g/cm3，x=，D錯(cuò)誤；故選C。題型01晶胞的計(jì)算1．（2025·四川達(dá)州·模擬預(yù)測(cè)）一種含Cu、Fe和S的化合物晶胞如下(晶胞棱邊夾角均為)。以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，如點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0)。下列說法錯(cuò)誤的是A．該物質(zhì)的化學(xué)式為 B．點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．該晶體的密度為 D．點(diǎn)和點(diǎn)的原子核間距為【答案】B【詳解】A．通過均攤法計(jì)算晶胞中原子個(gè)數(shù)：Cu個(gè)數(shù)為，F(xiàn)e個(gè)數(shù)為，S個(gè)數(shù)為8，原子個(gè)數(shù)比Cu：Fe：S=1：1：2，化學(xué)式為CuFeS2，A正確；B．N點(diǎn)為晶胞內(nèi)部Fe原子，實(shí)際坐標(biāo)為(a/2，a/2，a)pm，分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(x/a，y/a，z/(2a))=(1/2，1/2，1/2)，而非(1/2，1/2，1)，B錯(cuò)誤；C．晶胞體積V=a·a·2a=2a3pm3=2a3×10－30cm3，晶胞質(zhì)量，密度，C正確；D．M(0，0，0)與P(a，a/2，3a/2)的距離d=[a2+(a/2)2+(3a/2)2]0.5=(14a2/4)0.5=，D正確；故選B。2．（2025·甘肅白銀·模擬預(yù)測(cè)）是一種重要的無機(jī)化合物，它在工業(yè)和科學(xué)領(lǐng)域中有著多種用途。其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法錯(cuò)誤的是A．一個(gè)晶胞中含有4個(gè)CuB．該化合物的化學(xué)式中C．晶體中與S等距且最近的Fe有2個(gè)D．晶胞密度為(設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值)【答案】B【詳解】A．根據(jù)均攤法：一個(gè)晶胞中Cu原子數(shù)目為，F(xiàn)e原子數(shù)目為，S原子數(shù)目為8，該化合物的化學(xué)式為CuFeS2，A正確；B．化合物化學(xué)式為CuFeS2，其中S的下標(biāo)z=2，B錯(cuò)誤；C．S采用四面體配位，每個(gè)S周圍有2個(gè)Cu和2個(gè)Fe，故最近的Fe有2個(gè)，C正確；D．晶胞含4個(gè)CuFeS2單元（CuFeS2的摩爾質(zhì)量184g/mol），晶胞的質(zhì)量=g，體積=a2c×10-21cm3（1nm3=10-21cm3），密度==，D正確；答案選B。3．（2025·河北秦皇島·模擬預(yù)測(cè)）HgCl與不同濃度反應(yīng)得到某種含汞化合物的晶胞片段結(jié)構(gòu)M如圖所示（部分微粒不在該晶胞片段內(nèi)），下列說法錯(cuò)誤的是A．根據(jù)結(jié)構(gòu)可以推測(cè)該含汞化合物晶體可溶于水B．距離Cl最近的Cl個(gè)數(shù)為4C．晶體中，Hg與的個(gè)數(shù)之比為1∶4D．該晶胞片段的體積為，則該晶體的密度為【答案】C【詳解】A．該含汞化合物晶體中含有較多的NH3，在水中會(huì)與水分子形成分子間氫鍵，導(dǎo)致物質(zhì)的溶解性增強(qiáng)，故該晶體在水中可溶，A正確；

B．晶體中Cl周圍的Cl有6個(gè)，但最近的個(gè)數(shù)為4，B正確；C．據(jù)“均攤法”，晶胞中含個(gè)Hg、個(gè)Cl、4個(gè)，晶體中，Hg與的個(gè)數(shù)之比為1:2，C錯(cuò)誤；D．結(jié)合C分析，該晶胞片段的體積為，則該晶體的密度為，D正確；故選C。4．（2025·重慶江津·模擬預(yù)測(cè)）晶體的四方晶胞如圖甲所示。已知：若晶胞底邊的邊長均為、高為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，圖乙、圖丙分別顯示的是、在晶胞面、面上的位置，下列說法錯(cuò)誤的是A．晶體中存在極性共價(jià)鍵、離子鍵B．一個(gè)晶胞中的數(shù)目為4C．晶胞在軸方向的投影圖為：D．已知離子的坐標(biāo)為，則圖乙中【答案】C【詳解】A．KH2PO4晶體是離子晶體，K+與之間存在離子鍵；內(nèi)部，H與O、P與O之間為極性共價(jià)鍵，所以該晶體中存在極性共價(jià)鍵、離子鍵，A正確；B．利用均攤法計(jì)算的數(shù)目：面心的，每個(gè)面心粒子屬于2個(gè)晶胞，4個(gè)面上有，面心貢獻(xiàn)個(gè)；體心有1個(gè)完全屬于該晶胞的；頂點(diǎn)的有8個(gè)，頂點(diǎn)貢獻(xiàn)個(gè)，所以一個(gè)晶胞中的數(shù)目為2+1+1=4，B正確；C．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)以及K+、在甲、乙、丙中的位置，晶胞在x軸上的投影圖為，C錯(cuò)誤；D．已知E離子的坐標(biāo)為，在x-z平面內(nèi)，根據(jù)距離公式，，D正確；故選C。5．（2025·河北保定·模擬預(yù)測(cè)）超導(dǎo)體在科研、工業(yè)和日常生活中應(yīng)用越來越廣泛。在晶體的空隙中插入獲得的超導(dǎo)體化學(xué)式為，該超導(dǎo)體的面心立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中黑球位于棱心、體心和白球形成的四面體體心。已知晶胞參數(shù)為，表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．晶胞中的白球表示B．若點(diǎn)坐標(biāo)為，則點(diǎn)原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．該超導(dǎo)體的密度為D．相鄰兩個(gè)之間的最短距離為【答案】D【詳解】A．由題圖可知，黑球位于棱心、體心和白球形成的四面體體心，晶胞內(nèi)黑球?yàn)閭€(gè)，白球?yàn)閭€(gè)，結(jié)合化學(xué)式可知黑球表示、白球表示，故A正確；B．由黑球位于棱心、體心和由頂點(diǎn)與相鄰面上的白球形成的四面體體心可知，點(diǎn)原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，故B正確；C．晶胞質(zhì)量，晶胞體積，則該超導(dǎo)體的密度為，故C正確；D．由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，晶胞體心與白球四面體體心兩個(gè)之間的距離最短，距離為體對(duì)角線的，距離為，故D錯(cuò)誤；選D。6．（2025·天津武清·模擬預(yù)測(cè)）金屬及其化合物在生產(chǎn)生活中有重要應(yīng)用。(1)Cu在元素周期表中的位置是。(2)醋酸銅氨溶液(含等)凈化合成氨原料氣(含和少量CO)的過程中發(fā)生反應(yīng)：。①H-N-H鍵角：(填“>”、“<”或“=”)。②解釋CO沸點(diǎn)高于N2的原因：。中配位原子為：。④在一定范圍內(nèi)，(填“低溫”或“高溫”)有利于原料氣的凈化。(3)利用二聚物Al2Cl6(結(jié)構(gòu)式為()與NH3反應(yīng)可制備配合物則下列說法錯(cuò)誤的是_______。A．中的σ鍵數(shù)目B．Al2Cl6分子中所有原子最外層均滿足8電子結(jié)構(gòu)C．反應(yīng)前Al原子為sp3雜化D．配合物屬于極性分子(4)Li2O用于新型鋰電池，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖。立方晶胞棱長為①距離Li最近且等距的O的數(shù)目為。②已知阿伏加德羅常數(shù)的值為。該晶體的密度為?！敬鸢浮?1)第四周期第ⅠB族(2)＜二者均為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量相同，為極性分子，為非極性分子，因此沸點(diǎn)高于C、N低溫(3)A(4)4【詳解】（1）在元素周期表的位置為：第四周期第ⅠB族。（2）①與均為雜化，空間構(gòu)型均為四面體形，但由于中存在孤對(duì)電子對(duì)成鍵電子的排斥，因此，導(dǎo)致中的鍵角小于中的鍵角；②與均為分子晶體，二者相對(duì)分子質(zhì)量相同，但為極性分子，為非極性分子，因此沸點(diǎn)高于；③在中，是中心原子，與是配體，中的碳原子提供孤電子對(duì)（C的電負(fù)性小于O），與形成配位鍵，因此碳原子是配位原子，在中，氮原子提供孤電子對(duì)，與形成配位鍵，因此氮原子是配位原子，因此，配位原子為；④由可知，該反應(yīng)屬于放熱反應(yīng)，并且是一個(gè)熵減的反應(yīng)，根據(jù)可知，該反應(yīng)屬于低溫自發(fā)的反應(yīng)，因此，在一定范圍內(nèi)，低溫有利于原料氣的凈化；（3）A.中含有4個(gè)配位鍵，分子中含有3個(gè)共價(jià)鍵，因此，的σ鍵數(shù)目為，故A項(xiàng)錯(cuò)誤。B.原子外圍有3對(duì)成鍵電子，提供1對(duì)孤電子對(duì)與形成配位鍵，周圍電子數(shù)為：，原子最外層有7個(gè)電子，與形成1對(duì)共用電子，也滿足8電子結(jié)構(gòu)，因此Al2Cl6分子中所有原子最外層均滿足8電子結(jié)構(gòu)，故B項(xiàng)正確。C.原子的配位數(shù)為4，分子的配位數(shù)也是4，即反應(yīng)前后，原子均為sp3雜化，因此，反應(yīng)前原子為sp3雜化正確，故C項(xiàng)正確。D.配合物分子中含有3個(gè)配位鍵，1個(gè)配位鍵，且兩種鍵的鍵長不相等，因此，正負(fù)電中心不能重合，所以，屬于極性分子，故D項(xiàng)正確。故答案為：A。（4）①晶胞中，距離氧原子最近且等距的的個(gè)數(shù)為8，則距離最近且等距的的個(gè)數(shù)為4；②根據(jù)均攤法可知，該晶胞中含有8個(gè)，4個(gè)，晶胞的質(zhì)量為：，因此，該晶胞的密度為：。1．（2025·安徽六安·模擬預(yù)測(cè)）將碲與鋅一起加熱，然后升華可制得碲化鋅。碲化鋅是一種重要的半導(dǎo)體材料，圖甲為它的一種立方晶胞結(jié)構(gòu)。設(shè)ZnTe的摩爾質(zhì)量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，密度為d，下列說法錯(cuò)誤的是A．鋅的配位數(shù)為4B．Zn與Te的最近距離為C．該晶胞沿z軸方向的平面投影如圖乙D．已知1號(hào)位置的原子坐標(biāo)為，則2號(hào)位置的原子坐標(biāo)為【答案】B【詳解】A．根據(jù)分析和晶胞圖可知，每個(gè)Zn原子要結(jié)合4個(gè)Te原子，則鋅的配位數(shù)為4，A正確；B．設(shè)晶胞甲的參數(shù)為acm，根據(jù)ZnTe的摩爾質(zhì)量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，密度為d可得到cm，再結(jié)合晶胞圖可知Zn與Te的最近距離為晶胞體對(duì)角線的，根據(jù)晶胞為立方體，則體對(duì)角線為參數(shù)的倍即體對(duì)角線為cm，最后得到Zn與Te的最近距離為為，B錯(cuò)誤；C．該晶胞沿z軸方向的平面投影為俯視圖，結(jié)合晶胞甲，得到其平面投影為，C正確；D．已知1號(hào)位置的原子坐標(biāo)為，則2號(hào)位原子相對(duì)于1號(hào)位置原子來說在x軸方向的處，在y軸方向的處，在z軸的處，則2號(hào)位置的原子坐標(biāo)為，D正確；故答案為：B。2．（2025·吉林松原·模擬預(yù)測(cè)）一種高溫超導(dǎo)材料在77K以上就能展現(xiàn)超導(dǎo)性質(zhì)，具有重要的科學(xué)研究和潛在的應(yīng)用價(jià)值，該晶體結(jié)構(gòu)屬于四方晶系，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．基態(tài)Cu原子與O原子最外層未成對(duì)電子數(shù)之比為1:2B．該超導(dǎo)材料的化學(xué)式為C．O原子間的最近距離為D．該晶體一個(gè)晶胞的質(zhì)量為【答案】C【詳解】A．基態(tài)Cu原子電子排布式為，最外層（）未成對(duì)電子數(shù)為1；O原子電子排布式為，最外層（）未成對(duì)電子數(shù)為2，二者之比為1:2，A正確；B．晶胞中Hg位于棱上，數(shù)目為；Ba位于體內(nèi)，個(gè)數(shù)為2；Cu位于8個(gè)頂點(diǎn)，數(shù)目為；O位于棱上，數(shù)目為，故化學(xué)式為，B正確；C．題中未給出a與c的大小關(guān)系，無法確定兩個(gè)氧原子之間的最近距離，C錯(cuò)誤；D．該晶體化學(xué)式為，摩爾質(zhì)量為201+2×137+64+4×16=603g/mol，一個(gè)晶胞質(zhì)量為，D正確；故答案選C。3．（2025·陜西安康·模擬預(yù)測(cè)）某太陽能材料CuInS2晶體為四方晶系，其晶胞參數(shù)及結(jié)構(gòu)如圖所示(圖示不表示原子相對(duì)大小)，晶胞棱邊夾角均為90°，已知：A處In原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5，0，0.25)，B處Cu原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0.5，0.25)。下列說法正確的是A．該晶胞的質(zhì)量為 B．該晶胞中含有4個(gè)In原子C．C處In原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5，0.5，0.25) D．基態(tài)Cu原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有29種【答案】B【詳解】A．每個(gè)晶胞中含有Cu原子個(gè)，In原子個(gè)，S原子8個(gè)，所以該晶胞的質(zhì)量為，故A錯(cuò)誤；B．由A項(xiàng)分析可知，在晶胞中含有In原子4個(gè)，故B正確；C．C處為In原子，已知A處In坐標(biāo)(0.5,0,0.25)，B處Cu坐標(biāo)(0,0.5,0.25)。四方晶胞x、y方向等價(jià)，C處In在z=0.25平面，x為0.5，y為1，分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5,1,0.25)，故C錯(cuò)誤；D．基態(tài)Cu原子核外電子排布為[Ar]3d104s1，空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)數(shù)即軌道數(shù)：1+1+3+1+3+5+1=15種，故D錯(cuò)誤；故選B。4．（2025·河北·模擬預(yù)測(cè)）鉭酸鋰()廣泛用于激光技術(shù)、紅外技術(shù)和電子工業(yè)等。晶胞如圖所示，已知：長方體底邊長為apm，高為bpm，為阿伏加德羅常數(shù)的值；的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1。Ta和V位于同族，Ta原子比V原子多2個(gè)電子層。下列敘述錯(cuò)誤的是A．晶體中與距離最近且等距的有3個(gè) B．基態(tài)的電子云輪廓圖為球形C．基態(tài)鉭原子價(jià)層電子排布式為 D．晶體密度為g·cm-3【答案】A【詳解】A．在晶體中，為高價(jià)金屬陽離子，通常與形成高配位結(jié)構(gòu)（如八面體配位）。根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)及常見含氧酸鹽中金屬離子的配位數(shù)規(guī)律，Ta??周圍最近且等距的數(shù)目應(yīng)為6個(gè)（而非3個(gè)），A錯(cuò)誤；B．基態(tài)的核外電子排布為，s軌道的電子云輪廓圖呈球形，B正確；C．Ta與V同族（第VB族），V的價(jià)層電子排布為，Ta位于第六周期，比V多2個(gè)電子層，價(jià)層電子排布為，C正確；D．觀察晶胞可知，8個(gè)位于頂點(diǎn)、4個(gè)位于棱上、4個(gè)位于體內(nèi)，1個(gè)晶胞含；根據(jù)晶體的化學(xué)式可知，1個(gè)晶胞中含6個(gè)、18個(gè)，晶胞中含6個(gè)單元，晶胞體積。則晶胞質(zhì)量為g，密度，D正確；故答案選A。5．（2025·河北石家莊·模擬預(yù)測(cè)）在室溫和氬氣氣氛下，以、和納米Fe為原料，采用機(jī)械合金化(球磨法)制備一種立方納米晶體，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為anm，為阿伏加德羅常數(shù)。下列說法正確的是A．該立方納米晶體的化學(xué)式為B．該晶胞中Fe與周圍的H形成正八面體C．該晶胞中與Fe距離最近的Fe有8個(gè)D．該晶體的密度為kg·m-3【答案】B【詳解】A．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖，均攤法計(jì)算個(gè)原子個(gè)數(shù)，F(xiàn)e：，H：，Mg：8，則晶胞中含有4個(gè)Fe原子、8個(gè)Mg原子和24個(gè)H原子，化學(xué)式為，A錯(cuò)誤；B．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，每個(gè)Fe周圍連有6個(gè)H，形成正八面體結(jié)構(gòu)，B正確；C．以面心處的Fe為研究對(duì)象，離Fe最近的Fe分布在三個(gè)面，每個(gè)面有4個(gè)Fe，共12個(gè)，C錯(cuò)誤；D．，D錯(cuò)誤；故選B。6．（2025·山東濰坊·模擬預(yù)測(cè)）某種晶體的完整結(jié)構(gòu)單元如圖所示，該晶體的實(shí)際結(jié)構(gòu)中存在約5%的氧空位(可提高氧離子電導(dǎo)性能)。下列說法錯(cuò)誤的是A．晶體中與原子距離最近的原子構(gòu)成正八面體B．該晶體的一個(gè)完整晶胞中含有8個(gè)La原子C．該晶體實(shí)際結(jié)構(gòu)的化學(xué)式為D．該晶體的實(shí)際結(jié)構(gòu)中與原子個(gè)數(shù)比為【答案】C【詳解】A．由題給結(jié)構(gòu)單元圖可知，與Ni原子距離最近的Mn原子位于Ni原子的上、下、左、右、前、后六個(gè)方向，Ni原子位于Mn原子構(gòu)成的正八面體的體心，A正確；B．由圖可知，題圖結(jié)構(gòu)單元為一個(gè)晶胞的，題圖結(jié)構(gòu)單元中體心處有1個(gè)La原子，故一個(gè)完整晶胞中含有8個(gè)La原子，B正確；C．根據(jù)題意，一個(gè)完整晶胞由8個(gè)題圖結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成，則完整晶胞中含有8個(gè)La原子，4個(gè)Ni原子，4個(gè)Mn原子，理想狀態(tài)下含有24個(gè)O原子，其理想化學(xué)式為。實(shí)際結(jié)構(gòu)存在5%的氧空位，故實(shí)際O原子個(gè)數(shù)為24×(1-5%)=22.8個(gè)，因此實(shí)際化學(xué)式為，C錯(cuò)誤；D．設(shè)La(Ⅲ)和La(IV)分別為x個(gè)、y個(gè)，可得方程式x+y=2(La原子守恒)，(化合價(jià)代數(shù)和為0)，解得x=1.6，y=0.4，即La(Ⅲ)與La(IV)原子個(gè)數(shù)比為4：1，D正確。故答案選C。7．（2025·云南文山·模擬預(yù)測(cè)）釩被稱為“現(xiàn)代工業(yè)的味精”。從釩鈦磁鐵精礦(主要成分為、、、、以及)中分離回收鐵、鈦、釩的工藝流程如下：已知：①酸浸過程中的鐵、鈦、釩元素以、、、等形式析出到浸出液；②P507是一種酸性萃取劑，可用表示，萃取效果：、；③相關(guān)金屬離子形成氫氧化物沉淀的范圍如表：金屬離子開始沉淀時(shí)7.52.29.43.7沉淀完全時(shí)9.03.210.94.7回答下列問題：(1)下列V原子的價(jià)層電子排布中，處于基態(tài)的是_______。A． B．C． D．(2)“酸浸”時(shí)，未發(fā)生氧化還原反應(yīng)，則發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為。(3)加入鐵粉將還原為的目的是。(4)萃取原理可表示為，“反萃取”時(shí)選取的反萃取劑為_____。A．稀鹽酸 B． C．溶液 D．氨水(5)“沉鐵”時(shí)調(diào)的范圍為。(6)近年來，含釩的銻化物在超導(dǎo)方面表現(xiàn)出很好的運(yùn)用前景。某含釩銻化物的晶胞如圖1所示，其晶胞參數(shù)為、、，晶體中包含和組成的二維圖見圖2。①該釩銻化物的化學(xué)式為。②設(shè)為阿伏伽德羅常數(shù)的值，晶體的密度?！敬鸢浮?1)C(2)(3)將還原為，避免在后續(xù)萃取中與競(jìng)爭(zhēng)萃取劑(4)AB(5)(6)【詳解】（1）釩的原子序數(shù)為23，基態(tài)釩原子的電子排布式為，軌道遵循洪特規(guī)則，電子優(yōu)先以相同自旋方式占據(jù)不同軌道，軌道因能量較低優(yōu)先填充，據(jù)此分析，答案選C。（2）酸浸過程無氧化還原反應(yīng)，與稀硫酸反應(yīng)生成，方程式為：。（3）加入鐵粉，將還原為，避免在后續(xù)萃取中與競(jìng)爭(zhēng)萃取劑。（4）“反萃取”時(shí)是把進(jìn)行分離，根據(jù)萃取原理，需平衡逆向移動(dòng)，所以應(yīng)該選擇酸性溶液，故答案為A、B。（5）根據(jù)已知信息③，使以形式沉淀，并且不沉淀其它金屬離子，故調(diào)的范圍為。（6）①根據(jù)均攤法，Cs位于頂點(diǎn)，含有個(gè)，Sb位于棱上和胞內(nèi)，含有個(gè)，V位于面上和胞內(nèi)，含有個(gè)，所以銻化物的化學(xué)式。②根據(jù)銻化物的化學(xué)式可知，其相對(duì)分子質(zhì)量為：，其體積為：，其密度為：。8．（2025·重慶江津·模擬預(yù)測(cè)）錳酸鋰離子電池是第二代鋰離子動(dòng)力電池，性能優(yōu)良。工業(yè)上以軟錳礦漿(主要成分為，還有少量鐵、鋁及硅的氧化物)為原料制備錳酸鋰，工業(yè)流程如圖所示：(1)基態(tài)Mn原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種。(2)“浸取”后濾渣I的成分為；“精制”過程中，實(shí)際加入的量比理論用量多，主要原因是。(3)如圖為、和在水中達(dá)沉淀溶解平衡時(shí)的關(guān)系圖，則根據(jù)該圖可知，“精制”過程中，加入調(diào)節(jié)溶液的至少為(結(jié)果保留兩位小數(shù))。(4)“沉錳”過程得到的是和，二者均可以被氧化為。若“控溫、氧化”過程中溶液的pH在一段時(shí)間后會(huì)明顯下降，pH明顯下降的原因是(用化學(xué)方程式表示)。(5)“鋰化”過程是將和按的物質(zhì)的量之比配料，反應(yīng)3～5小時(shí)，然后升溫至600~750℃，保溫24小時(shí)，自然冷卻至室溫得到產(chǎn)品。該過程所得混合氣體的成分是。(6)碘與錳形成的某種晶體的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞參數(shù)如圖所示(已知圖中Ⅰ原子與所連接的3個(gè)原子的距離相等)，阿伏加德羅常數(shù)的值為，則該晶體的化學(xué)式是，晶體的密度為(列出計(jì)算式)?！敬鸢浮?1)15(2)在催化作用下部分分解(3)4.67(4)(5)、(6)【詳解】（1）基態(tài)Mn原子的電子排布式為，故原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)數(shù)種；（2）由分析可知，濾渣I的成分為；因?yàn)閷?duì)的分解有催化作用，導(dǎo)致部分分解，故實(shí)際加入的量比理論值大很多；（3）根據(jù)流程圖可知濾渣Ⅱ?yàn)椤?，根?jù)圖示點(diǎn)可計(jì)算得到的，則當(dāng)沉淀完全時(shí)，，則，再根據(jù)和pH=-lgc(H+)，可計(jì)算出，；（4）根據(jù)設(shè)問信息知“沉錳”過程的產(chǎn)物為和，二者均可被氧化為，則“氧化”過程發(fā)生的反應(yīng)為：、，由于生成，故溶液的明顯下降；（5）根據(jù)設(shè)問信息知和按的物質(zhì)的量之比反應(yīng)，化學(xué)方程式為，則該過程所得混合氣體的成分是和；（6）如圖所示，Ⅰ在內(nèi)部，有2個(gè)，在頂點(diǎn)，數(shù)目為，最簡(jiǎn)整數(shù)比為，即化合物的化學(xué)式為；根據(jù)g?cm-3。1．（2025·廣西·高考真題）型晶態(tài)半導(dǎo)體材料由與碳族元素形成，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖。已知：晶胞參數(shù)。下列說法正確的是A．與Z緊鄰的有4個(gè)B．晶胞內(nèi)之間最近的距離為C．晶胞密度：D．若晶胞頂點(diǎn)替換為，則【答案】C【詳解】A．假設(shè)Z形成面心立方結(jié)構(gòu)，每個(gè)Z原子周圍有8個(gè)四面體空隙（填充Mg），故與Z緊鄰的Mg有8個(gè)，A錯(cuò)誤；B．Mg位于四面體空隙，最近Mg-Mg距離為晶胞邊長的，晶胞內(nèi)之間最近的距離為，B錯(cuò)誤；C．密度公式，Mg-Ge中M(Z)=73、a=639pm，計(jì)算出ρ(Mg-Ge)=，Mg-Si中M(Z)=28、a=634pm，計(jì)算出ρ(Mg?Si)=，故ρ(Mg?Ge)>ρ(Mg?Si)，C正確；D．Z（Sn）在晶胞中頂點(diǎn)（8個(gè)）和面心（6個(gè)），僅替換頂點(diǎn)時(shí)，Sn在晶胞中的個(gè)數(shù)為，Ge在晶胞中的個(gè)數(shù)為，則，D錯(cuò)誤；故選C。2．（2025·四川·高考真題）的四方晶胞(晶胞參數(shù)，省略中的氧，只標(biāo)出)和的立方晶胞如圖所示，為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．晶胞中1位的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為B．晶胞中2位和3位的核間距為C．晶胞和晶胞中原子數(shù)之比是D．晶體密度小于晶體密度【答案】D【詳解】A．根據(jù)圖示，晶胞中1位位于晶胞的棱角，其分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，故A正確；B．2位坐標(biāo)為(a，a，1.7a)，3位坐標(biāo)為(0，0，3.4a)，核間距：apm，B正確；C．晶胞中原子個(gè)數(shù)為：，晶胞中原子個(gè)數(shù)為：（省略中的氧，只標(biāo)出，所以一起計(jì)算的原子），晶胞和晶胞中原子數(shù)之比是，C正確；D．晶體密度計(jì)算公式為：，晶體密度為：，晶體密度為：，晶體密度大于晶體密度，D錯(cuò)誤；故答案選D。3．（2025·湖南·高考真題）摻雜的鉍酸鋇具有超導(dǎo)性。替代部分形成(摩爾質(zhì)量為)，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該立方晶胞的參數(shù)為，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是A．晶體中與鉍離子最近且距離相等的有6個(gè)B．晶胞中含有的鉍離子個(gè)數(shù)為8C．第一電離能：D．晶體的密度為【答案】A【詳解】A．鉍離子位于頂點(diǎn)，與其最近且距離相等的位于棱心，有6個(gè)，分別位于上下、前后、左右，A正確；B．晶胞中含有的鉍離子個(gè)數(shù)為個(gè)，B錯(cuò)誤；C．Ba是堿土金屬，金屬性強(qiáng)于Ca，其易失電子，第一電離能小于O，C錯(cuò)誤；D．晶胞中Ba或K位于體心，個(gè)數(shù)為總和1，位于棱心，有，所以晶胞的質(zhì)量是，晶胞體積是，則晶體的密度是：，D錯(cuò)誤；故選A。4．（2025·重慶·高考真題）化合物X的晶胞如圖所示，下列敘述正確的是A．X中存在鍵 B．X屬于混合型晶體 C．X的化學(xué)式可表示為 D．X中C原子上有1對(duì)孤電子對(duì)【答案】C【詳解】A．C、N均以單鍵連接，晶胞中不含π鍵，A錯(cuò)誤；B．晶胞內(nèi)只存在共價(jià)鍵，不是混合型晶體，B錯(cuò)誤；C．由分析可知，晶胞化學(xué)式為，C正確；D．位于面心的C原子，與周圍4個(gè)氮原子(位于兩個(gè)晶胞內(nèi))相連，其配位數(shù)為4，不存在孤對(duì)電子，D錯(cuò)誤；故選C。5．（2025·湖北·高考真題）晶胞是長方體，邊長，如圖所示。下列說法正確的是A．一個(gè)晶胞中含有4個(gè)O原子B．晶胞中分子的取向相同C．1號(hào)和2號(hào)S原子間的核間距為D．每個(gè)S原子周圍與其等距且緊鄰的S原子有4個(gè)【答案】D【詳解】A．由晶胞圖可知，SO2分子位于長方體的棱心和體心，1個(gè)晶胞中含(12×+1)個(gè)SO2分子，含有8個(gè)O原子，A錯(cuò)誤；B．由圖可知晶胞中SO2分子的取向不完全相同，如1和2，B錯(cuò)誤；C．1號(hào)和2號(hào)S原子間的核間距離為上、下面面對(duì)角線的一半，即pm，C錯(cuò)誤；D．以體心的S原子為例，由于a≠b≠c，每個(gè)S原子周圍與其等距且緊鄰(距離最小)的S原子有4個(gè)，D正確；答案選D。6．（2025·河北·高考真題）是一種具有優(yōu)異磁性能的稀土永磁材料，在航空航天等領(lǐng)域中獲得重要應(yīng)用。的六方晶胞示意圖如下，晶胞參數(shù)、，M、N原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為、。設(shè)是阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．該物質(zhì)的化學(xué)式為 B．體心原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．晶體的密度為 D．原子Q到體心的距離為【答案】D【詳解】A．由晶胞圖知，白球位于體心，晶胞中數(shù)目為1，黑球位于頂角、棱心、體內(nèi)，六方晶胞上下表面中一個(gè)角60°，一個(gè)角為120°，晶胞中數(shù)目為，結(jié)合題意知，白球?yàn)镾m、黑球?yàn)镃o，該物質(zhì)化學(xué)式為，A正確；B．體心原子位于晶胞的中心，其分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，B正確；C．每個(gè)晶胞中含有1個(gè)“”，晶胞底面為菱形，晶胞體積為，則晶體密度為，C正確；D．原子Q的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，由體心原子向上底面作垂線，垂足為上底面面心，連接該面心與原子Q、體心與原子Q可得直角三角形，則原子Q到體心的距離，D錯(cuò)誤；故選D。7．（2025·安徽·高考真題）碘晶體為層狀結(jié)構(gòu)，層間作用為范德華力，層間距為。下圖給出了碘的單層結(jié)構(gòu)，層內(nèi)碘分子間存在“鹵鍵”(強(qiáng)度與氫鍵相近)。為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．碘晶體是混合型晶體 B．液態(tài)碘單質(zhì)中也存在“鹵鍵”C．碘晶體中有個(gè)“鹵鍵” D．碘晶體的密度為【答案】A【詳解】A．碘晶體中，分子間是“鹵鍵”(類似氫鍵)，層與層間是范德華力，與石墨不同(石墨層內(nèi)只存在共價(jià)鍵)所以碘晶體是分子晶體，A錯(cuò)誤；B．由圖可知，題目中的“鹵鍵”類似分子間作用力，只不過強(qiáng)度與氫鍵接近，則液態(tài)碘單質(zhì)中也存在類似的分子間作用力，即“鹵鍵”，B正確；C．由圖可知，每個(gè)分子能形成4條“鹵鍵”，每條“鹵鍵”被2個(gè)碘分子共用，所以每個(gè)碘分子能形成2個(gè)“鹵鍵”，碘晶體物質(zhì)的量是0.5mol，“鹵鍵”的個(gè)數(shù)是，C正確；D．碘晶體為層狀結(jié)構(gòu)，所給區(qū)間內(nèi)4個(gè)碘原子處于面心，則每個(gè)晶胞中碘原子的個(gè)數(shù)是，晶胞的體積是，密度是，D正確；故選A。8．（2025·浙江