2026春招：工藝整合面試題及答案

一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種工藝常用于芯片制造的光刻環(huán)節(jié)？A.電鍍B.曝光C.蝕刻D.氧化2.工藝整合中，衡量工藝穩(wěn)定性的指標(biāo)是？A.良率B.產(chǎn)量C.成本D.效率3.哪種氣體常用于化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝？A.氧氣B.氮?dú)釩.硅烷D.氫氣4.工藝整合的目標(biāo)不包括？A.提高產(chǎn)品性能B.降低生產(chǎn)成本C.增加生產(chǎn)環(huán)節(jié)D.保證產(chǎn)品一致性5.光刻工藝中，光刻膠的作用是？A.導(dǎo)電B.保護(hù)C.散熱D.發(fā)光6.以下哪種設(shè)備用于晶圓的物理氣相沉積（PVD）？A.擴(kuò)散爐B.光刻機(jī)C.濺射機(jī)D.清洗機(jī)7.工藝整合中，對工藝流程優(yōu)化的目的是？A.增加步驟B.減少浪費(fèi)C.延緩進(jìn)度D.加重成本8.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）主要用于？A.去除雜質(zhì)B.平整表面C.改變顏色D.增加厚度9.氧化工藝的主要作用是？A.生成絕緣層B.提高導(dǎo)電性C.增強(qiáng)磁性D.降低硬度10.以下哪種不屬于常見的工藝整合策略？A.并行工藝B.串行工藝C.孤立工藝D.混合工藝答案：1.B2.A3.C4.C5.B6.C7.B8.B9.A10.C二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.工藝整合需要考慮的因素有？A.設(shè)備兼容性B.工藝順序C.人員技能D.環(huán)境要求2.光刻工藝涉及的關(guān)鍵步驟有？A.涂膠B.曝光C.顯影D.蝕刻3.以下屬于薄膜沉積工藝的有？A.化學(xué)氣相沉積B.物理氣相沉積C.電鍍D.氧化4.工藝整合中提高良率的方法有？A.優(yōu)化工藝參數(shù)B.加強(qiáng)設(shè)備維護(hù)C.提高人員操作水平D.增加檢測環(huán)節(jié)5.用于工藝監(jiān)測的方法有？A.電學(xué)測試B.光學(xué)檢測C.物理分析D.化學(xué)分析6.工藝整合中保證產(chǎn)品一致性的措施有？A.標(biāo)準(zhǔn)化流程B.嚴(yán)格過程控制C.定期校準(zhǔn)設(shè)備D.優(yōu)化工藝布局7.影響化學(xué)機(jī)械拋光效果的因素有？A.拋光液成分B.拋光墊材質(zhì)C.拋光壓力D.拋光速度8.以下關(guān)于蝕刻工藝，說法正確的有？A.分為濕法蝕刻和干法蝕刻B.用于去除不需要的材料C.蝕刻速率影響工藝效果D.蝕刻選擇性很重要9.常見的晶圓清洗工藝包括？A.化學(xué)清洗B.物理清洗C.等離子清洗D.超聲清洗10.工藝整合中降低成本的途徑有？A.提高良率B.優(yōu)化工藝時間C.降低原材料消耗D.精簡生產(chǎn)流程答案：1.ABCD2.ABC3.ABC4.ABCD5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABCD10.ABCD三、判斷題（每題2分，共10題）1.工藝整合的核心是將多個工藝簡單疊加。（）2.光刻工藝中曝光劑量越大越好。（）3.化學(xué)氣相沉積能在晶圓表面形成均勻薄膜。（）4.提高產(chǎn)量一定能保證產(chǎn)品良率。（）5.氧化工藝只能在高溫環(huán)境下進(jìn)行。（）6.工藝整合需要各部門協(xié)同合作。（）7.蝕刻工藝可以精確控制尺寸。（）8.設(shè)備老化對工藝穩(wěn)定性沒有影響。（）9.化學(xué)機(jī)械拋光不會損壞晶圓表面。（）10.優(yōu)化工藝流程可以提高生產(chǎn)效率。（）答案：1.×2.×3.√4.×5.×6.√7.√8.×9.×10.√四、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述工藝整合的主要步驟。答：主要步驟有分析各工藝特點(diǎn)和需求；規(guī)劃工藝順序和參數(shù)；進(jìn)行工藝試驗(yàn)與優(yōu)化；開展工藝驗(yàn)證，確保符合要求；最后持續(xù)監(jiān)控與改進(jìn)。2.光刻工藝中光刻膠選擇的考慮因素有哪些？答：要考慮分辨率，以滿足芯片制造精度；靈敏度，提高曝光效率；粘附性，保證光刻膠與晶圓結(jié)合；抗蝕刻性，保護(hù)下方材料；還要考慮成本和工藝兼容性。3.化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積的區(qū)別是什么？答：CVD是利用化學(xué)反應(yīng)在晶圓表面沉積薄膜，可精確控制成分，臺階覆蓋好；PVD通過物理方法使材料沉積，如濺射，沉積速率快，純度高，但臺階覆蓋稍差。4.工藝整合中如何進(jìn)行工藝優(yōu)化？答：可收集工藝數(shù)據(jù)，運(yùn)用統(tǒng)計分析，找出影響因素；通過試驗(yàn)設(shè)計調(diào)整參數(shù)；借鑒先進(jìn)經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)；加強(qiáng)設(shè)備維護(hù)和人員培訓(xùn)，持續(xù)改進(jìn)流程。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論工藝整合對芯片性能提升的重要性。答：工藝整合能優(yōu)化各工藝銜接，減少缺陷。合理的工藝參數(shù)和順序可提高芯片的電學(xué)性能、穩(wěn)定性和可靠性。不同工藝完美配合能發(fā)揮材料最大優(yōu)勢，提升芯片整體品質(zhì)。2.談?wù)勗诠に囌现刑幚碓O(shè)備故障的策略。答：先快速評估故障影響，若簡單問題可現(xiàn)場維修；復(fù)雜故障啟動備用設(shè)備，防止生產(chǎn)中斷。建立故障記錄，分析原因，制定預(yù)防措施，定期維護(hù)設(shè)備，降低故障概率。3.如何在工藝整合中平衡成本和質(zhì)量的關(guān)系？答：可通過優(yōu)化工藝提高良率，減少廢品成本。選擇性價比高的原材料和設(shè)備。合理規(guī)劃生產(chǎn)流程，在保證質(zhì)量前提下精簡環(huán)節(jié)。不斷改進(jìn)工藝，提高效