2026秋招：工藝整合試題及答案

單項選擇題（每題2分，共20分）1.哪種工藝常用于去除硅片表面氧化層？A.光刻B.刻蝕C.鍍膜D.摻雜2.以下哪種氣體常用于化學(xué)氣相沉積？A.氧氣B.氫氣C.氮?dú)釪.硅烷3.光刻工藝中，關(guān)鍵步驟是？A.涂膠B.曝光C.顯影D.以上都是4.離子注入的主要目的是？A.改變材料顏色B.改變材料導(dǎo)電性C.增加材料硬度D.提高材料透明度5.化學(xué)機(jī)械拋光的作用是？A.去除表面雜質(zhì)B.使表面平整C.增加表面光澤D.以上都對6.以下哪種不是半導(dǎo)體制造中的清洗方法？A.濕法清洗B.干法清洗C.超聲波清洗D.火焰清洗7.熱氧化工藝主要生成？A.氮化硅B.氧化硅C.碳化硅D.磷化硅8.光刻膠的主要作用是？A.保護(hù)硅片B.實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移C.增加硅片硬度D.提高硅片導(dǎo)電性9.物理氣相沉積中，常用的方法是？A.濺射B.化學(xué)鍍C.電鍍D.陽極氧化10.工藝整合的核心目標(biāo)是？A.提高產(chǎn)量B.降低成本C.保證產(chǎn)品性能和質(zhì)量D.以上都是多項選擇題（每題2分，共20分）1.半導(dǎo)體制造中常見的工藝步驟有？A.光刻B.刻蝕C.摻雜D.鍍膜2.影響光刻分辨率的因素有？A.光源波長B.光刻膠性能C.曝光設(shè)備精度D.硅片平整度3.化學(xué)氣相沉積的優(yōu)點(diǎn)有？A.膜層均勻B.附著力強(qiáng)C.可精確控制成分D.設(shè)備成本低4.離子注入可能帶來的問題有？A.晶格損傷B.雜質(zhì)分布不均勻C.表面粗糙度增加D.材料導(dǎo)電性降低5.清洗工藝的目的包括？A.去除表面雜質(zhì)B.去除有機(jī)物C.去除金屬離子D.恢復(fù)表面活性6.熱氧化工藝的影響因素有？A.溫度B.氧氣流量C.時間D.硅片晶向7.光刻工藝中用到的材料有？A.光刻膠B.掩膜版C.顯影液D.去離子水8.物理氣相沉積的特點(diǎn)有？A.沉積速度快B.膜層純度高C.可在低溫下進(jìn)行D.對環(huán)境要求低9.工藝整合需要考慮的因素有？A.工藝兼容性B.設(shè)備利用率C.生產(chǎn)成本D.產(chǎn)品良率10.化學(xué)機(jī)械拋光涉及的因素有？A.拋光液成分B.拋光墊材質(zhì)C.拋光壓力D.拋光轉(zhuǎn)速判斷題（每題2分，共20分）1.光刻工藝是半導(dǎo)體制造中唯一的圖形轉(zhuǎn)移方法。（）2.化學(xué)氣相沉積只能在高溫下進(jìn)行。（）3.離子注入后不需要進(jìn)行退火處理。（）4.清洗工藝對半導(dǎo)體制造的良率影響不大。（）5.熱氧化生成的氧化硅膜厚度只與時間有關(guān)。（）6.光刻膠在曝光后性質(zhì)不會發(fā)生改變。（）7.物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積的原理相同。（）8.工藝整合就是將各個工藝簡單組合在一起。（）9.化學(xué)機(jī)械拋光可以完全消除表面的劃痕。（）10.半導(dǎo)體制造中，所有工藝步驟的順序是固定不變的。（）簡答題（每題5分，共20分）1.簡述光刻工藝的基本流程。2.化學(xué)氣相沉積與物理氣相沉積的主要區(qū)別是什么？3.離子注入后為什么要進(jìn)行退火處理？4.清洗工藝在半導(dǎo)體制造中有什么重要性？討論題（每題5分，共20分）1.討論工藝整合在提高半導(dǎo)體產(chǎn)品良率方面的作用。2.分析光刻工藝中提高分辨率的挑戰(zhàn)和可能的解決方案。3.探討化學(xué)機(jī)械拋光對半導(dǎo)體器件性能的影響。4.談?wù)勗诠に囌现腥绾纹胶獬杀竞彤a(chǎn)品質(zhì)量。答案單項選擇題1.B2.D3.D4.B5.D6.D7.B8.B9.A10.D多項選擇題1.ABCD2.ABC3.ABC4.ABC5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABC9.ABCD10.ABCD判斷題1.×2.×3.×4.×5.×6.×7.×8.×9.×10.×簡答題1.光刻基本流程：涂光刻膠、曝光（用掩膜版使光刻膠感光）、顯影（去除曝光或未曝光部分光刻膠）、堅膜（增強(qiáng)光刻膠與硅片結(jié)合力）。2.化學(xué)氣相沉積是通過化學(xué)反應(yīng)生成薄膜，可精確控制成分；物理氣相沉積靠物理方法沉積，如濺射，沉積速度快。3.離子注入會造成晶格損傷，退火可修復(fù)晶格，使雜質(zhì)激活并均勻分布，改善材料電學(xué)性能。4.清洗能去除表面雜質(zhì)、有機(jī)物和金屬離子，恢復(fù)表面活性，防止雜質(zhì)影響后續(xù)工藝，保證產(chǎn)品性能和良率。討論題1.工藝整合可優(yōu)化各工藝順序和參數(shù)，減少工藝間干擾，保證工藝兼容性，從而降低缺陷率，提高產(chǎn)品良率。2.挑戰(zhàn)有光源波長限制、光刻膠性能不足等。解決方案可采用更短波長光源、改進(jìn)光刻膠和曝光設(shè)備，優(yōu)化工藝參數(shù)