碳化硅行業(yè)培訓(xùn)課件模板目錄01碳化硅簡介與行業(yè)背景了解碳化硅的基本概念、戰(zhàn)略意義及產(chǎn)業(yè)定位02碳化硅材料特性與分類深入掌握物理化學(xué)特性、分類標(biāo)準(zhǔn)及多型體結(jié)構(gòu)03碳化硅單晶生長技術(shù)規(guī)范學(xué)習(xí)PVT法工藝原理、設(shè)備要求及質(zhì)量控制體系04碳化硅加工工藝流程掌握從晶錠切割到晶圓拋光的完整加工技術(shù)鏈05碳化硅復(fù)合材料及應(yīng)用探索復(fù)合材料制備方法及航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用行業(yè)挑戰(zhàn)與未來趨勢(shì)第一章碳化硅簡介與行業(yè)背景碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料，正在推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革命。本章將系統(tǒng)介紹碳化硅的基本概念、獨(dú)特優(yōu)勢(shì)以及在國家戰(zhàn)略中的重要地位，為后續(xù)深入學(xué)習(xí)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。碳化硅是什么？碳化硅（SiC）是一種由硅原子與碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合形成的陶瓷化合物，化學(xué)式為SiC。這種材料在自然界中以莫桑石礦物的形式存在，但天然儲(chǔ)量極為稀少，工業(yè)應(yīng)用的碳化硅幾乎全部通過人工合成獲得。碳化硅俗稱金剛砂，其硬度僅次于金剛石和立方氮化硼，莫氏硬度達(dá)到9.5級(jí)。這種超高硬度使其成為理想的磨料材料，同時(shí)也是高性能半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)基底材料。碳化硅具有卓越的耐高溫性能，熔點(diǎn)高達(dá)2700℃，在極端環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì)。碳化硅行業(yè)的戰(zhàn)略意義國家戰(zhàn)略層面碳化硅是第三代半導(dǎo)體的核心材料，直接關(guān)系到國家產(chǎn)業(yè)自主可控和科技安全。在當(dāng)前國際形勢(shì)下，掌握碳化硅技術(shù)對(duì)保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全具有重要意義，是實(shí)現(xiàn)高端制造業(yè)突破的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。產(chǎn)業(yè)應(yīng)用價(jià)值碳化硅器件廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車的電驅(qū)系統(tǒng)、充電樁，5G通信基站的射頻器件，光伏逆變器，以及航空航天領(lǐng)域的高溫電子設(shè)備。這些應(yīng)用領(lǐng)域代表著未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要方向，市場(chǎng)規(guī)模巨大且增長迅速。人才培養(yǎng)方向2026年培訓(xùn)班聚焦三大核心方向：碳化硅材料制備技術(shù)、功率器件設(shè)計(jì)與制造、以及封裝測(cè)試工藝。培訓(xùn)體系覆蓋從基礎(chǔ)材料到終端應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，旨在培養(yǎng)具備系統(tǒng)思維和實(shí)戰(zhàn)能力的高端技術(shù)人才。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出獨(dú)特的四面體配位形式，硅原子與碳原子以sp3雜化軌道相連，形成高度對(duì)稱的三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。這種緊密的原子排列賦予了碳化硅極高的鍵能和熱穩(wěn)定性，是其卓越性能的微觀基礎(chǔ)。第二章碳化硅材料特性與分類碳化硅的優(yōu)異性能源于其獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵合特性。本章將詳細(xì)闡述碳化硅的物理化學(xué)特性、分類標(biāo)準(zhǔn)以及不同多型體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，幫助學(xué)員深入理解材料性能與應(yīng)用之間的內(nèi)在聯(lián)系。碳化硅的物理與化學(xué)特性10×介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)相比硅材料提升10倍，達(dá)到3MV/cm，使器件能承受更高電壓15×擊穿電壓擊穿電壓是硅的15倍，顯著提高器件的耐壓能力和可靠性3×導(dǎo)熱性能熱導(dǎo)率提升3倍，達(dá)到4.9W/cm·K，優(yōu)異的散熱性能延長器件壽命高溫工作能力碳化硅器件的工作溫度可達(dá)400℃，遠(yuǎn)超硅基器件的150℃上限。這一特性使其能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，減少冷卻系統(tǒng)需求，降低系統(tǒng)復(fù)雜度和成本。在航空航天、深井鉆探等極端環(huán)境應(yīng)用中具有不可替代的優(yōu)勢(shì)。高功率密度碳化硅材料支持高電流密度運(yùn)行，功率密度可達(dá)硅器件的數(shù)倍。這意味著在相同功率輸出下，碳化硅器件的體積可以大幅縮小，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的小型化和輕量化，特別適合對(duì)空間和重量有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景。碳化硅的分類黑碳化硅含SiC約95%-98%，呈黑色或深灰色，韌性較高，多用于磨料和耐火材料。晶體結(jié)構(gòu)相對(duì)不規(guī)則，含有較多雜質(zhì)，但成本較低，適合工業(yè)級(jí)應(yīng)用。綠碳化硅含SiC98%以上，呈綠色，純度高、硬度大、脆性強(qiáng)，主要用于精密磨削和半導(dǎo)體領(lǐng)域。晶體結(jié)構(gòu)完整，電學(xué)性能優(yōu)異，是制造高端功率器件的首選材料。質(zhì)量分級(jí)標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)SiC含量主要雜質(zhì)應(yīng)用領(lǐng)域特級(jí)品≥98.5%游離Si<0.3%半導(dǎo)體器件一級(jí)品95-98%SiO?<1.5%精密磨料二級(jí)品90-95%金屬雜質(zhì)較多普通磨料雜質(zhì)控制是碳化硅質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)。主要雜質(zhì)包括游離硅、二氧化硅以及鐵、鋁等金屬雜質(zhì)。這些雜質(zhì)會(huì)影響材料的電學(xué)性能和機(jī)械強(qiáng)度，必須通過精確的工藝控制將其降至最低水平。碳化硅多型體碳化硅具有超過200種多型體結(jié)構(gòu)，這是由于硅碳四面體在不同堆垛順序下形成的晶型差異。不同多型體在電學(xué)性能、熱學(xué)性能和機(jī)械性能上存在顯著差異，直接影響器件的應(yīng)用特性。6H-SiC六方晶系，具有較大的禁帶寬度（3.0eV），早期功率器件的主要材料。堆垛序列為ABCACB的六層重復(fù)結(jié)構(gòu)，電子遷移率適中，適合中低頻應(yīng)用。4H-SiC四方晶系，禁帶寬度3.26eV，是目前商用碳化硅器件的主流材料。堆垛序列為ABCB的四層重復(fù)，電子遷移率高，適合高頻高功率應(yīng)用，綜合性能最優(yōu)。15R-SiC菱方晶系，十五層重復(fù)結(jié)構(gòu)，禁帶寬度約3.0eV。結(jié)構(gòu)復(fù)雜，生長控制難度大，主要用于特殊研究領(lǐng)域，商業(yè)化程度較低。晶向籽晶的選擇決定了單晶生長的方向和最終晶型。通過精確控制籽晶的晶向和生長條件，可以定向生長出所需的多型體，這是碳化硅單晶制備的核心技術(shù)之一。第三章碳化硅單晶生長技術(shù)規(guī)范（PVT法）物理氣相傳輸法（PVT）是目前碳化硅單晶生長的主流技術(shù)。本章將詳細(xì)介紹PVT法的工藝原理、設(shè)備要求以及質(zhì)量控制體系，這些內(nèi)容是碳化硅材料制備的核心知識(shí)，也是產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的技術(shù)基礎(chǔ)。PVT法工藝原理物理氣相傳輸法（PhysicalVaporTransport）是在2300℃以上的超高溫環(huán)境下進(jìn)行的。碳化硅原料粉末在高溫區(qū)發(fā)生升華分解，生成Si、Si?C、SiC?等多種氣相組分。這些氣相物質(zhì)在溫度梯度的驅(qū)動(dòng)下，從高溫區(qū)向低溫區(qū)的籽晶表面遷移。當(dāng)氣相成分到達(dá)籽晶表面時(shí)，由于溫度降低而重新結(jié)晶，逐層沉積形成單晶。整個(gè)過程需要精確控制溫度場(chǎng)分布、壓力條件以及原料與籽晶的相對(duì)位置，任何參數(shù)的偏差都可能導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降或生長失敗。溫度梯度是控制生長速率和晶體質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)。合理的溫度梯度能夠保證穩(wěn)定的氣相傳輸和均勻的結(jié)晶過程，過大的梯度會(huì)導(dǎo)致生長速率過快、晶體缺陷增多，過小則影響生產(chǎn)效率。設(shè)備要求1溫度控制系統(tǒng)溫控精度必須達(dá)到±1℃，采用多區(qū)獨(dú)立加熱和PID閉環(huán)控制，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并調(diào)節(jié)各加熱區(qū)功率。溫度均勻性直接影響晶體的組分均勻性和結(jié)構(gòu)完整性，是設(shè)備性能的核心指標(biāo)。2真空系統(tǒng)工作真空度需保持在≤5×10??Pa，配備高效分子泵和機(jī)械泵組合。超高真空環(huán)境能夠減少雜質(zhì)氣體對(duì)晶體生長的干擾，防止氧化和污染，確保晶體的高純度。3坩堝材料采用高純度等靜壓石墨坩堝，純度≥99.995%。石墨材料需具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和化學(xué)惰性，能夠承受2300℃以上的工作溫度而不發(fā)生變形或與碳化硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。4氣體純化系統(tǒng)保護(hù)氣體（氬氣）純度≥99.999%，流量控制精度±1sccm。高純氣體能夠提供穩(wěn)定的生長氣氛，防止雜質(zhì)引入。精確的流量控制確保生長環(huán)境的一致性和可重復(fù)性。質(zhì)量控制與安全環(huán)保溫度梯度調(diào)節(jié)溫度梯度范圍控制在30℃/cm至60℃/cm之間。通過調(diào)節(jié)加熱功率分布和熱屏結(jié)構(gòu)優(yōu)化溫度場(chǎng)，不同尺寸和晶型的晶體需要不同的優(yōu)化梯度。實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)采用多點(diǎn)熱電偶和光學(xué)高溫計(jì)監(jiān)測(cè)溫度場(chǎng)，數(shù)據(jù)采集頻率≥1Hz?？刂葡到y(tǒng)根據(jù)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)自動(dòng)調(diào)節(jié)加熱功率，確保溫度穩(wěn)定性，減少人為干預(yù)。環(huán)保處理嚴(yán)格執(zhí)行廢氣廢水處理規(guī)范，生長過程產(chǎn)生的含硅氣體經(jīng)過堿液噴淋吸收處理，冷卻水循環(huán)使用。防止有害物質(zhì)排放，符合環(huán)保法規(guī)要求。安全提示：碳化硅晶體生長涉及超高溫和真空環(huán)境,操作人員必須經(jīng)過專業(yè)培訓(xùn),嚴(yán)格遵守安全操作規(guī)程。設(shè)備維護(hù)時(shí)必須完全冷卻并泄壓,防止高溫燙傷和真空系統(tǒng)突然泄漏造成的安全事故。PVT單晶生長爐結(jié)構(gòu)典型的PVT生長爐由加熱系統(tǒng)、真空腔體、坩堝組件、溫控系統(tǒng)和氣體管路組成。加熱系統(tǒng)采用感應(yīng)加熱或電阻加熱方式,坩堝置于保溫筒內(nèi)以維持穩(wěn)定的溫度場(chǎng)。籽晶固定在坩堝頂部的石墨支架上,原料粉末裝填在坩堝底部。整個(gè)裝置密封在水冷真空腔體內(nèi),通過精密的溫度和壓力控制實(shí)現(xiàn)晶體的可控生長。第四章碳化硅加工工藝流程碳化硅從晶錠到成品晶圓需要經(jīng)過一系列精密加工工序。本章將系統(tǒng)介紹碳化硅的發(fā)展歷程、完整的加工流程以及各關(guān)鍵工序的技術(shù)要點(diǎn),幫助學(xué)員全面掌握碳化硅晶圓制備的工藝技術(shù)。碳化硅發(fā)展簡史11893年美國科學(xué)家艾奇遜（E.G.Acheson）獲得碳化硅制備專利，標(biāo)志著人工合成碳化硅技術(shù)的誕生，開啟了碳化硅的工業(yè)化應(yīng)用時(shí)代。21949年中國成功制備出碳化硅材料，打破技術(shù)封鎖，為我國磨料磨具工業(yè)和后來的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。31980年代碳化硅單晶生長技術(shù)取得突破，PVT法逐步成熟，為半導(dǎo)體級(jí)碳化硅材料的規(guī)模化生產(chǎn)鋪平了道路。4現(xiàn)代大型電阻爐功率達(dá)到30000KW，6英寸及8英寸晶圓實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，生產(chǎn)效率和良品率大幅提升，成本持續(xù)下降，推動(dòng)碳化硅器件的商業(yè)化應(yīng)用。加工流程概覽原料配比與冶煉按精確比例混合高純度硅粉和碳粉，在電阻爐中2300℃高溫下反應(yīng)生成碳化硅晶錠晶錠切割采用多線鋝技術(shù)將圓柱形晶錠切割成薄片狀晶圓，控制厚度和表面質(zhì)量晶圓拋光通過機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光工藝，獲得原子級(jí)平整度的鏡面表面表面處理與檢測(cè)清洗、缺陷檢測(cè)、電學(xué)性能測(cè)試，確保晶圓符合器件制造要求晶錠切割關(guān)鍵技術(shù)多線鋸切割技術(shù)多線鋸是目前碳化硅晶錠切割的主流設(shè)備。高強(qiáng)度鋼線以50-100m/s的速度高速運(yùn)動(dòng)，金剛石磨料漿料涂覆在鋼線表面，通過磨料的微切削作用實(shí)現(xiàn)材料去除。關(guān)鍵控制參數(shù)包括：線速度：影響切割效率和表面質(zhì)量線張力：保證鋼線的剛度和穩(wěn)定性進(jìn)給速度：控制切割深度和翹曲度漿料流量：確保充分的磨料供應(yīng)和散熱漿料技術(shù)對(duì)比性能指標(biāo)油基漿料非油基漿料切割效率高中表面質(zhì)量優(yōu)良環(huán)保性差優(yōu)成本較高較低切割后需嚴(yán)格控制晶圓的翹曲度（Bow）和總厚度變化（TTV），一般要求Bow<30μm，TTV<10μm，以滿足后續(xù)工藝要求。晶圓拋光技術(shù)雙面拋光工藝晶圓固定在承載盤中，上下拋光盤同時(shí)對(duì)晶圓兩面進(jìn)行拋光。適合對(duì)平行度要求高的應(yīng)用，能夠同時(shí)改善兩個(gè)表面的平整度，提高加工效率。工藝參數(shù)包括拋光壓力（200-500g/cm2）、轉(zhuǎn)速（30-60rpm）和拋光時(shí)間。單面拋光工藝晶圓貼附在載板上，僅對(duì)一面進(jìn)行精密拋光。適合對(duì)表面粗糙度要求極高的器件面，能夠獲得原子級(jí)平整度（Ra<0.1nm）。通常采用分步拋光策略：粗拋去除損傷層，精拋獲得鏡面質(zhì)量。拋光材料系統(tǒng)碳化硅的超高硬度使其拋光極具挑戰(zhàn)性。拋光墊通常采用聚氨酯材料，具有適當(dāng)?shù)挠捕群蛷椥浴＝饎偸瘽{料是核心磨料，粒徑從10μm逐步降至0.5μm甚至更小?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）結(jié)合了機(jī)械磨削和化學(xué)腐蝕的雙重作用。拋光液中加入氧化劑（如H?O?）和絡(luò)合劑，在拋光過程中與碳化硅表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成易于去除的氧化層，顯著提高材料去除率并改善表面質(zhì)量。優(yōu)化的CMP工藝能將表面粗糙度降至0.2nm以下，滿足高端器件制造需求。第五章碳化硅復(fù)合材料及應(yīng)用碳化硅復(fù)合材料通過引入增強(qiáng)相，能夠顯著改善基體的力學(xué)、熱學(xué)和電學(xué)性能。本章將介紹復(fù)合材料的主要制備方法、增強(qiáng)相類型以及在各領(lǐng)域的典型應(yīng)用，展示碳化硅材料的廣闊應(yīng)用前景。碳化硅復(fù)合材料制備方法化學(xué)氣相沉積（CVD）在高溫條件下，含硅和碳的氣相前驅(qū)體（如甲基三氯硅烷）發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在基體表面沉積碳化硅涂層。CVD法能夠制備高純度、高致密度的涂層，涂層厚度可精確控制從納米到毫米級(jí)，是制備高性能防護(hù)涂層和纖維增強(qiáng)復(fù)合材料的重要方法。溶膠-凝膠法通過有機(jī)硅化合物的水解縮聚反應(yīng)制備溶膠，干燥形成凝膠，再經(jīng)高溫?zé)峤廪D(zhuǎn)化為碳化硅。該方法具有組分均勻、純度高、可低溫制備等優(yōu)點(diǎn)，適合制備納米級(jí)碳化硅粉體和多孔材料，在催化劑載體和功能陶瓷領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。機(jī)械合金化法利用高能球磨技術(shù)，在機(jī)械力作用下使硅粉和碳粉發(fā)生固相反應(yīng)生成碳化硅。該方法設(shè)備簡單、成本低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。通過控制球磨參數(shù)可以調(diào)控產(chǎn)物的粒度、形貌和相組成，是制備碳化硅增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料的常用方法。增強(qiáng)相類型碳納米管增強(qiáng)碳納米管具有超高的長徑比和優(yōu)異的力學(xué)性能。添加到碳化硅基體中能夠顯著提升材料的斷裂韌性（提升50-100%）和導(dǎo)電性能。碳納米管通過橋接裂紋、拔出消耗能量等增韌機(jī)制改善材料的脆性。陶瓷顆粒增強(qiáng)氧化鋁、氧化鋯等陶瓷顆粒能夠增強(qiáng)碳化硅的耐磨性和高溫強(qiáng)度。細(xì)小均勻分布的陶瓷顆?？梢葬斣Ы纭⒆柚沽鸭y擴(kuò)展。復(fù)合材料在1200℃以上仍能保持高強(qiáng)度，抗氧化性能優(yōu)異。金屬顆粒增強(qiáng)金屬顆粒（如鉬、鎢）的引入能夠顯著改善碳化硅的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能。金屬相的塑性變形吸收能量，提高材料的韌性。這類復(fù)合材料特別適合電加熱元件、電極材料等需要導(dǎo)電性的應(yīng)用場(chǎng)合。主要應(yīng)用領(lǐng)域航空航天碳化硅陶瓷基復(fù)合材料用于航空發(fā)動(dòng)機(jī)高溫部件，如渦輪葉片、燃燒室襯里，工作溫度可達(dá)1400℃。碳化硅反射鏡用于空間望遠(yuǎn)鏡，具有極低的熱膨脹系數(shù)和優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性。汽車工業(yè)碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料用于發(fā)動(dòng)機(jī)氣缸套、活塞等耐磨部件，減重30%的同時(shí)提高耐磨性3-5倍。碳化硅纖維增強(qiáng)復(fù)合材料用于剎車盤，耐高溫性能優(yōu)異。電子器件碳化硅基板用于GaN基LED和射頻器件，優(yōu)異的導(dǎo)熱性提高器件可靠性。碳化硅功率模塊封裝材料，低熱膨脹系數(shù)匹配芯片，減少熱應(yīng)力。化工設(shè)備碳化硅陶瓷用于耐腐蝕反應(yīng)器、換熱器，在強(qiáng)酸強(qiáng)堿環(huán)境下穩(wěn)定工作。碳化硅多孔材料作為高溫催化劑載體，比表面積大、化學(xué)穩(wěn)定性好。航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片應(yīng)用碳化硅纖維增強(qiáng)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料（SiC/SiC）正在革新航空發(fā)動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)鎳基高溫合金，SiC/SiC復(fù)合材料密度降低三分之二，使用溫度提高200-300℃。在渦輪葉片等旋轉(zhuǎn)部件應(yīng)用中，輕質(zhì)化帶來的離心應(yīng)力降低使發(fā)動(dòng)機(jī)效率顯著提升。目前已在多型先進(jìn)發(fā)動(dòng)機(jī)中通過驗(yàn)證，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。第六章行業(yè)挑戰(zhàn)與未來趨勢(shì)碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于快速發(fā)展期，機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。本章將分析當(dāng)前行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)，展望未來發(fā)展趨勢(shì)，幫助學(xué)員把握產(chǎn)業(yè)脈絡(luò)，為職業(yè)發(fā)展做好準(zhǔn)備。行業(yè)挑戰(zhàn)1技術(shù)挑戰(zhàn)晶圓規(guī)格要求日益嚴(yán)格，8英寸及以上大尺寸晶圓的位錯(cuò)密度需降至<1000/cm2，表面微缺陷控制在10個(gè)/cm2以內(nèi)。制造工藝復(fù)雜度高，良品率提升困難，需要突破晶體生長、切割拋光等多個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)瓶頸。2供應(yīng)鏈限制高純?cè)?、關(guān)鍵設(shè)備部件依賴進(jìn)口，供應(yīng)鏈安全存在隱患。石墨坩堝、籽晶等關(guān)鍵材料的國產(chǎn)化率低，加工設(shè)備的核心技術(shù)受制于人。建立自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈體系迫在眉睫。3成本壓力碳化硅晶圓成本是硅晶圓的5-10倍，限制了市場(chǎng)滲透率。長晶周期長（7-10天）、良品率低（<60%）、設(shè)備折舊高是主要成本來源。降低成本需要技術(shù)進(jìn)步、規(guī)?；a(chǎn)和供應(yīng)鏈優(yōu)化的協(xié)同推進(jìn)。4復(fù)合材料瓶頸制備工藝復(fù)雜，增強(qiáng)相的均勻分散和界面結(jié)合控制難度大。材料韌性仍需提升，脆性斷裂風(fēng)險(xiǎn)影響可靠性。高性能復(fù)合材料的規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)尚不成熟，成本高昂限制了應(yīng)用推廣。未來發(fā)展趨勢(shì)大尺寸晶圓產(chǎn)業(yè)化200mm（8英寸）晶圓將成為主流，150mm（6英寸）產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張。更大尺寸能夠降低單位面積成本，提高芯片產(chǎn)出。未來5年200mm晶圓市場(chǎng)份額有望超過50%，推動(dòng)碳化硅器件成本快速下降。工藝技術(shù)創(chuàng)新激光切割、超聲輔助拋光等新技術(shù)將提高加工效率和質(zhì)量。低溫結(jié)合技術(shù)、快速退火工藝優(yōu)化器件性能。人工智能輔助的工藝參數(shù)優(yōu)化和缺陷識(shí)別將大幅提升良品率和生產(chǎn)效率。綠色環(huán)保工藝開發(fā)低能耗生長技術(shù)，優(yōu)化熱場(chǎng)設(shè)計(jì)降低功耗30%以上。無油基切割漿料、水基拋光液等環(huán)保材料替代傳統(tǒng)工藝。廢棄物回收再利用技術(shù)，實(shí)現(xiàn)切割粉末和廢漿的資源化處理，建立循環(huán)經(jīng)濟(jì)模式。應(yīng)用深度拓展新能源汽車800V高壓平臺(tái)普及，碳化硅功率模