ICS2905031030

;

CCSH.62L9.0

;

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T46973—2026

微波無源器件用高溫超導(dǎo)薄膜技術(shù)規(guī)范

Technicalspecificationsforhightemperaturesuperconductingthinfilmsof

microwavepassivedevices

2026-01-28發(fā)布2026-08-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T46973—2026

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國科學(xué)院提出

。

本文件由全國超導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC265)。

本文件起草單位天津海芯電子有限公司中國科學(xué)院物理研究所電子科技大學(xué)松山湖材料實驗

:、、、

室南開大學(xué)中國電子科技集團(tuán)公司第十六研究所

、、。

本文件主要起草人季來運(yùn)孫延?xùn)|高澤宇吳云楊景婷曾成陶伯萬季魯徐友平

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T46973—2026

微波無源器件用高溫超導(dǎo)薄膜技術(shù)規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了微波無源器件用高溫超導(dǎo)薄膜的技術(shù)要求包裝標(biāo)志運(yùn)輸和貯存描述了相應(yīng)的試

、、、,

驗方法

。

本文件適用于超導(dǎo)材料學(xué)領(lǐng)域微波無源器件應(yīng)用的高溫超導(dǎo)薄膜

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體晶片直徑測試方法

GB/T14140

釔鋇銅氧相超導(dǎo)薄膜臨界溫度T的直流電阻測試方法

GB/T17711(123)c

電子學(xué)特性測量超導(dǎo)體在微波頻率下的表面電阻

GB/T22586

真空技術(shù)真空鍍膜層結(jié)合強(qiáng)度測量方法膠帶粘貼法

GB/T28786—2012

藍(lán)寶石襯底片厚度和厚度變化測試方法

GB/T30857

玻璃襯底上納米薄膜厚度測量觸針式輪廓儀法

GB/T33826

納米技術(shù)原子力顯微術(shù)測定納米薄膜厚度的方法

GB/T36969

電子學(xué)特性測量大面積超導(dǎo)膜的局域臨界電流密度及其分布

GB/T39843—2021

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

超導(dǎo)薄膜superconductingthinfilm

生長于特定基底材料上的平均厚度小于的薄層超導(dǎo)體

1μm。

注1基底材料通常為單晶材料

:。

注2超導(dǎo)薄膜通常用物理氣相沉積法化學(xué)氣相沉積法或其他工藝制備

:、。

32

.

臨界溫度criticaltemperature

T

c

在零電流和零磁場強(qiáng)度下超導(dǎo)體呈現(xiàn)超導(dǎo)電性的最高溫度

,。

來源

[:GB/T2900.100—2017,815-10-09]

33

.

臨界電流密度criticalcurrentdensity

J

c

通過導(dǎo)體的電流為臨界電流時導(dǎo)體全截面上的電流密度

,