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1、.:.;出席國際學(xué)術(shù)會(huì)議心得報(bào)告 計(jì)畫編號(hào)計(jì)畫名稱出國人員姓名服務(wù)機(jī)關(guān)及職稱鄒一德 交通大學(xué)/光電工程學(xué)系 博士生會(huì)議時(shí)間地點(diǎn)2021.10.122021.10.18 Hawaii (U.S.A)會(huì)議名稱ECST 2021發(fā)表論文題目Effect of passivation layer on the reliability of flexible a-Si:H TFTs參加會(huì)議經(jīng)過本次很榮幸地能夠參與一一的國際電化學(xué)協(xié)會(huì)(The Electrochemical Society Transactions)所主辦之年度會(huì)報(bào);本次大會(huì)地點(diǎn)選擇在美國,夏威夷群島中的歐胡島舉行,離上一次於同樣地點(diǎn)舉辦
2、,已經(jīng)是五年前的事了。大會(huì)舉日期為2021年10月12號(hào)至10月18號(hào),一共6天整整。會(huì)議內(nèi)容主要分為10個(gè)session,包括有燃料電池與新源開發(fā)轉(zhuǎn)換(Batteries, Fuel Cells, and Energy Conversion)、生物醫(yī)學(xué)與有機(jī)電化學(xué)(Biomedical Applications and Organic Electrochemistry)、電化學(xué)之物理與分析(Physical and Analytical Electrochemistry)、感測器與顯示器原理、資料、與製程開發(fā)(Sensors and Displays: Principles, Materia
3、ls, and Processing),及我所參加之新穎式介電、半導(dǎo)體資料開發(fā)與元件製程(Dielectric and Semiconductor Materials, Devices, and Processing)等,及6個(gè)短期各別研討會(huì),超過50間的贊助廠商。The Electrochemical Society Transactions(ECST 2021)主要大會(huì)的會(huì)場分別分散為兩個(gè)地方、亦為歐胡島之著名景點(diǎn),分別為:希爾頓大飯店(Hiliton Hawaiian Village)、及我們的報(bào)告地點(diǎn):夏威夷國際會(huì)議中心(Hawaii Convention Center)。大會(huì)註冊會(huì)場
4、與展現(xiàn)會(huì)場(exhibition)皆舉辦在希爾頓大飯店(Hiliton Hawaiian Village),圖一為希爾頓大飯店報(bào)到會(huì)場之照片,圖二為邀請演講之會(huì)場。 圖一 希爾頓大飯店報(bào)到會(huì)場之照片 圖二邀請演講之會(huì)場展現(xiàn)會(huì)場由各參與之贊助廠商的展現(xiàn)其閜關(guān)產(chǎn)品與公司介紹,如圖三與圖四所示,包含日本Panasonic、MITSUBISHI CHEMICAL、MITSUBISHI、TOYOTA、法國的AIR LIQUIDE等大廠;惋惜本次未見到國內(nèi)相關(guān)大廠之參與。由各參展之廠商業(yè)界展現(xiàn)的儀器來看,薄膜沉積與分析技術(shù)隨著高科技一年一年明顯進(jìn)步當(dāng)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與光電相關(guān)產(chǎn)業(yè)仍有很大的發(fā)展前景。而由分析
5、儀器廠商部份,也代表產(chǎn)業(yè)界對固障與排除分析的重視,因?yàn)槿允怯行н_(dá)成降低本錢,提高生產(chǎn)效率的最正確方法之一。各種新穎儀器之介紹與展現(xiàn),皆讓我所學(xué)良多、嘆為觀止。 圖三 參展廠商_1圖四 參展廠商_2而海報(bào)會(huì)場緊臨廠商展現(xiàn)會(huì)場,一共有四天的海報(bào)展現(xiàn)場次。由我的主題相關(guān)主要場次為14號(hào),也就是第三天晚上的部份,主要是關(guān)於薄膜沉積與元件製程。本次海報(bào)展現(xiàn)部份主題非常豐富,內(nèi)容囊括各領(lǐng)域?qū)iL,包括薄膜分析、薄膜沉積、元件製程、元件特性討論分析與先進(jìn)元件結(jié)構(gòu)。許多新穎式的技術(shù),包括奈米點(diǎn)記憶體、新穎式有機(jī)薄膜電晶體之開發(fā)與透明氧化物半導(dǎo)體之新應(yīng)用等主題之海報(bào)展現(xiàn)。圖五為海報(bào)展現(xiàn)處入口,圖六為與研討大會(huì)此次
6、相關(guān)的書藉出賣與展現(xiàn)。 圖六 為海報(bào)展現(xiàn)處入口圖七 相關(guān)的書藉出賣與展現(xiàn)_1口頭報(bào)告部份,圖七與圖八為我上臺(tái)報(bào)告本次主題:Effect of passivation layer on the reliability of flexible a-Si:H TFTs,中文名稱為:覆蓋層對可撓式非晶矽薄膜電晶體之可靠影響之報(bào)過的過程。報(bào)告會(huì)場外觀,相當(dāng)輕鬆自在又不失研討會(huì)專業(yè)與典雅風(fēng)格。本次參予大會(huì),是以口頭報(bào)告發(fā)表為主軸,很榮幸上臺(tái)報(bào)告非晶矽薄膜電晶體於撓曲狀態(tài)時(shí)特性表性之相關(guān)研穿成果。此會(huì)場期間,聽許多國外研討學(xué)者的報(bào)告及其他研討主題的口頭演講,並且針對內(nèi)容提出一些問題,皆得到臺(tái)上演講者的回答與
7、完好解釋。由於這場次口頭報(bào)告主題群與我的研討主題也相近之處,成果也相當(dāng)亮眼,故於這次會(huì)場參與過程中,所學(xué)不少。 圖七 我上臺(tái)報(bào)告之情況_1圖八 我上臺(tái)報(bào)告之情況_2與會(huì)心得與今年這次國際電化學(xué)協(xié)會(huì)(The Electrochemical Society Transactions)大會(huì),讓我吸收到許多寶貴知;原來單純薄膜電晶體簡單五道製程當(dāng)中,能演化出如此豐富之應(yīng)用與開發(fā)。一個(gè)元件中只需經(jīng)過一些小小改變的步驟,竟可變化出了如此豐富又多樣化的演變。更不用提更複雜之積體電路之整個(gè)元件的製程了,決不是簡簡單單如我發(fā)表文章中,只需元件電特性分析一個(gè)方向而已。在我的學(xué)問追求道路上,經(jīng)歷過這一系列的大會(huì)活動(dòng)
8、後,與各國人士討論,爭論過程中,得確引起了我許多另一方向的反向思索與研討想法。在未來博士班生涯中,著實(shí)打開了另一片全新不同的視野,對我未來博士班生涯中,亦打開另一片全新不同的視野。我的口頭報(bào)告主題為Effect of passivation layer on the reliability of flexible a-Si:H TFTs,主要方向?yàn)樘接懛蔷∧る娋w於撓曲條件下,多加後續(xù)處理之特性改變與可靠度分析。並以額外增薄膜沉積之製程步驟,再搭配特殊後置處理,以有效增進(jìn)提昇元件可靠度表現(xiàn)。而在口頭報(bào)告期間,也認(rèn)真得與臺(tái)下來自世界自國之專家們討論,並盡量說明成果所表達(dá)之物理意義部份。在與海報(bào)張貼並於會(huì)場講解研討據(jù)與內(nèi)容期間,很容幸看到許多來自其他各國,包含對岸大陸的學(xué)術(shù)研討人員之研討成果,我亦對許多不同領(lǐng)域之研討相當(dāng)有興趣,也彼此交換了許多豐富的心得與經(jīng)驗(yàn)分享,我也很熱心的提供了他們我的研討經(jīng)驗(yàn),置信在他們回國中後,也能和我一樣,不會(huì)忘記這個(gè)來自遠(yuǎn)方島國、臺(tái)灣一段愉快的學(xué)術(shù)交流與
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