設計步驟，開始你設計步驟，開始你的調光驅動設Step1–根據(jù)輸入電壓,選取起動電阻Step5IsenseVsenseStep6–Bulk電電容及OISE旁路電和加速啟動電路Step2–選取BLEEDERStep3–選取PFCStep4–變壓器設計,MOSET及輸出整流管選Step7EMIFILTERStep8–PCB設計之參考 相位檢測和調光器檢測電Kvin: 自定義的比值Kvin0.0086120VacVin

Kvin

230Vac電阻是is2.5kohm+/- IC 電阻 Forlowlineinput(120Vac) 2.5k2.5k RVIN可以提供VCC充電

ForHihlineinut230Vacdesi IC 靠檢測VINPIN電壓來判斷輸入電壓的高低 Rvin電阻的取值會影響 BOOST的ONTIMET而影響PF值 推薦推薦120VAC:RVIN230VAC:便調整的快起動起動電流從R3R4通過IC的Diode .

因為D-FET沒有負向電壓而導通,R10中有電流給VCC充VCC達到12V開始工VINPIN電壓變低,Q3的VGS變?yōu)樨撾妷憾P斷選擇D-FET在啟動后切斷R9R10,少功調整R9R10可以改變啟動時間推值: 120VacR9R10:68KX2230VacR9R10:Bleeder電ＩＣ啟動的時候會有三個HalfCycle導通，約30mS,初試化調光器狀態(tài),Bleeder電阻在此其間完全導通，調光器合理的BleederSource電阻R6提供固定的Current I_R6*If IbleederI推薦選Vin100-Vin220-

R5=220-270ohm1W(灌膠設計中）R5=390-470ohm1W灌膠設計中）

R6=47ohm1/2W BOOST電感設BoostBoostinductance-Time決定于Ｖin高允許 電感工作于電流連續(xù)和飽和狀DesignDesign4-6W 4-6W 58-10W 8-10W 12-15WPF>0.712-15WPF>0.918-20WPF>0.718-20WPF>0.9CCMand 調整電感量力力FollowingiW3612電流電壓檢測部分參FollowingFollowingiW3612VCC繞組設VCC電壓范圍推薦9-電流檢測注意電阻功率及De-電流檢測注意電阻功率及De-請加NPN線性穩(wěn)壓電VSENSE繞組

VSESNE電阻確Vsense電容的作用及參Bulk電容參FollowingiW3612HiPF應用中注意電壓值

吸收回路參考推薦C1parallelwithbleeder提高效注意Audible及電壓應I ImproveLineregulationwith

輸出濾波電額定輸出電壓及OVP電RippleVcc電啟動時維持足夠的IC供推薦Bypassnoise推薦

VinBypassnoise推薦EMI3-10WDesignwithsimpleLCL:4~6mHDrumChoke工字型磁芯3-5W6X8mm0.11mm450Turns5-10W8X10mm0.15mm390TurnsX-cap:0.033uFY-cap:470p~1nF,Bypasssolvecommon For owerdesi10-20WDesignwith2StageLCL1L24~6mHDrumChoke工字型磁8X10mm0.15mm390Turns10X12mm0.17mm390TurnsX-cap:0.022uF+0.01uFY-cap:470p~1nF,BypasssolvecommonCommon forNi-Zncore,10uH-20uHwithhigh

ForHighpower變壓器結構對EMI轉換效變壓器結構對EMI轉換效增三明治結構能有效提高效率,但是增加EMI難增三明治結構能有效提高效率,但是增加EMI難?LED驅動變壓器設計中三明治結構還是首層間分布電藕合系數(shù)及iWatt初級控制技術能最大限度避免漏制的影Vsense/Vcc繞組靠近輸出繞組能最好狀

電壓檢測PCB設計之安規(guī)距離_CE參照相關標準及DEMO設PCB設計之大電流與小信號處Boost電流回路 環(huán)路最

Boost放電回路環(huán)路最小HighHighHigh節(jié)點最小High節(jié)點最小Vin,輸入電壓及相位檢測,

Flyback輸出電流回路,高電壓節(jié)點,注意Flyback初級電流回路,環(huán)路最小Vsense.輸出電壓檢測,遠控制信號,單點接 詳細應用請參考iWattdemo設避免避免IC底部的走良而導致的啟動問1–IC周邊的NoiseBypass電容盡量靠近IC2–Vin啟動的連線盡量短,避免連線太長導致漏電流大影響起3IC底部的金屬PAD有利于減少IC封裝的熱阻改善IC溫OnlyGNDtraceunderVsenseandVinIsensetraceIC,LongVintraceandOnlyGNDtraceunderVsenseandVinIsensetraceIC,LongVintraceand優(yōu)化優(yōu)化設計避免音頻噪聲在可控在可控規(guī)電流尖峰,容易導致音頻噪 輸入電 F輸入電 A–EMI差模電感,容易因工頻電流導致低頻噪B– Boost電感因工作于工頻電壓下而產生噪C–此電容并聯(lián)于Bleeder電阻,可顯著減少Bleeder損耗,但是Ceramic電容很容易導致音頻問D–變壓器,推薦在磁芯接縫出點膠固定并采用真EX-CAP如果卷繞工藝不好可能導致聲音問題F–輸出電容,如果用Ceramic電容可能會導致在調 有輕微聲音,優(yōu)先采用電解或Tan電優(yōu)化優(yōu)化設計避免音頻噪聲A 磁路磁路干擾而振瓷瓷片電瓷片電優(yōu)化設計避免音頻噪聲電感靠近電感靠近調整擺放位置調整擺放位置改變磁路方向避免電感磁路相 振優(yōu)化設計優(yōu)化設計避免音頻噪聲EDCBAPCBLayout與熱平衡EDCBAB–A–BoostMOSFET部分時間工作于線性狀態(tài)而功耗較大B–A–BoostMOSFET部分時間工作于線性狀態(tài)而功耗較大在Layout時注意位Boost電阻,因承受較大的Bleeder功耗而比較熱,在Layout時注意位 CMOSFET,FLYBACK功率管與輸出功率有關選取合適電流及Rds的E–輸出整流管,因為靠近LED并且流過大電流,溫度較高,注意選取合適電流等級和封1–在PCB設計時注意發(fā)元件的擺輸出整流管不要靠近LED板或散熱器

置,發(fā)熱元件不要太集中

Surface 2–選用自身發(fā)熱小或散熱特性好的元件例如SMDMOSFET比

Flyback3–設計合適的散熱片給PCBLayout與熱平衡和溫度4–Potting或者灌封膠散熱處理,達 PCBLayout與熱平衡和溫度件溫度下降15-DowcorningCN-8760A&CN-8760BANPIN905Aand

1在PCB設計時注意BLEEDER電阻的擺放位置1在PCB設計時注意BLEEDER電阻的擺放位置不要靠近EMI元件額定功率3–最佳熱設計----將整個驅動用患氧樹酯灌封,Potting,驅動元件溫度保后,以達到完全的切斷靈活運靈活運用自適應的程序化OTP功PowerlimitminPowerPowerlimitstartPowerPowerlimit100%-10%-減少,以重新達成熱平衡根據(jù)選擇合適的NTC設置過溫保護動作1–iWatt數(shù)字控制的調光曲線特性能最大限度優(yōu)化調光視覺效果,避免市電1–iWatt數(shù)字控制的調光曲線特性能最大限度優(yōu)化調光視覺效果,避免市電波動引起閃2–輸入切相電壓不穩(wěn)定或嚴重不形導致的閃爍,通常發(fā)生在調光器切相90’C之后因為驅 有X-CAP,當X-CAP殘留的電壓 被BLEEDER電阻放掉時可能會導量測出來的切相占空比與實際不符合A

Vin信號下降沿改善對策確認Dimmer種類,確 有沒有X-驅動上盡量選用小容量的X- ?X-cap兩端(AB之間)并聯(lián)Bleeder電阻設計中用150K2pcs,230V設計用330K1–Isense波形在電流檢測過程中至關重要TK影響調光過程中線性1–Isense波形在電流檢測過程中至關重要TKIsense的基準電壓也相應變低.如果Isense波形因為變壓器分布電容而導致太高太長的LEADINGE,可能這個尖峰就會導致IC對Isense誤判斷而調光不順ssss_pk_set_V2–優(yōu)化變壓器設計,盡量保證在調的時候變壓器的導通時2–優(yōu)化變壓器設計,盡量保證在調的時候變壓器的導通時相對較長,明顯大LeadingBlanktime,避免Isense誤判斷改善對策希望計算預估的最小導通是間也遠遠大于IC的LeadingBlank如果變壓器的工作頻率較低,電感量較大,導通時間將較長對ISENSE波形的容錯性將較,有影響影響調光過程中線性度的因素--Isense檢測的影3–優(yōu)化變壓器結構,盡量減少變壓繞組的分布電容,降低因為分布電容C1Isense干擾避免Isense誤判斷分段繞制的三明治結層 加絕緣膠三明治結構可以減少分布電容層 影響調影響調光過程中線性度的因素--Isense檢測的影4–改變Isense整形RC網(wǎng)絡,優(yōu)化Isense波形,避免Isense誤判斷100-100-5