半導體行業(yè)研究報告：從全球發(fā)展歷程看半導體投資機遇報告綜述通過復盤美日韓等產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史，梳理集成電路國產(chǎn)化發(fā)展現(xiàn)狀，總結產(chǎn)業(yè)“黃金十年”核心邏輯和兩條投資主線：一、輕資產(chǎn)（設計）領域：關注全球產(chǎn)業(yè)轉移和下游客戶集群趨勢下“農村包圍城市”的成長邏輯，重點關注未來具備全球競爭力的細分龍頭和國產(chǎn)替代受益標的；二、較重資產(chǎn)（制造/設備/封測類）領域：關注全球核心科技領域分叉變局中加速發(fā)展自主可控的“自頂向下”的成長邏輯，優(yōu)先關注戰(zhàn)略龍頭品種及高增長產(chǎn)業(yè)鏈配套公司。國內集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展任重道遠，建議投資人關注長期成長邏輯和國產(chǎn)化時代機遇。以史為鑒，全球產(chǎn)業(yè)特點：垂直分工，遷移競爭。集成電路行業(yè)具有兩大特點：（1）持續(xù)的高投入，資金密集、技術密集導致頭部集中格局；（2）下游需求領域廣泛，與經(jīng)濟周期相關度高。從行業(yè)發(fā)展歷程來看，行業(yè)經(jīng)歷“從

IDM到垂直分工”的分工細化以及“美-日-韓臺-大陸”的規(guī)模產(chǎn)業(yè)轉移。20

世紀

60

年代集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)源時美國引領行業(yè)，20

世紀

80

年代日本在

DRAM領域實現(xiàn)對美反超，20

世紀

90

年代個人電腦普及韓國與中國臺灣同時產(chǎn)業(yè)崛起，21

世紀以來中國大陸憑借手機等終端廣闊市場和消費電子下游集群迅猛發(fā)展。此外，從海外龍頭公司發(fā)展歷程看，注重技術路徑升級和快速迭代是優(yōu)質公司穿越周期發(fā)展的核心邏輯。以鄰為鑒，國內產(chǎn)業(yè)地位：起步階段，加速追趕。與海外集成電路產(chǎn)業(yè)進入成熟階段不同，國內集成電路產(chǎn)業(yè)尚處在發(fā)展階段。（1）設計領域：部分細分領域大陸廠商開始具備全球競爭力，高性能領域國外龍頭仍領先。主流的高性能數(shù)字、模擬芯片方面競爭壁壘高，中國大陸僅有華為海思進入全球前十；在細分市場（如

CIS、TWS、NORFlash、生物特征識別等）領域，中國大陸部分廠商進入全球前三，更多細分領域公司不斷涌現(xiàn)，逐步實現(xiàn)“農村包圍城市”。（2）

制造領域：贏家通吃，任重道遠，中國臺灣領先，大陸加速追趕。先進制程方面臺積電一家獨大（2020

年全球市場占比

53.9%），大陸廠商在規(guī)模、盈利能力、技術等方面持續(xù)逼近臺聯(lián)電等二線廠商。（3）存儲：韓美壟斷，中國大陸兩項目加速突圍。存儲產(chǎn)業(yè)韓國廠商最領先，持續(xù)資本投入和技術快速迭代是關鍵，國內重點關注長江存儲、長鑫存儲等。（4）封裝：發(fā)展較快，國內差距相對較小。IC集成化、小型化、多引腳等需求推動先進封裝工藝融合發(fā)展。國內傳統(tǒng)封裝具備規(guī)模優(yōu)勢，先進封裝與國際差距相對較小。（5）設備材料：美日歐領先，國內部分細分領域突破。半導體設備產(chǎn)品驗證周期較長，目前國內制造產(chǎn)線國產(chǎn)設備率約

10%，目前呈加速提升態(tài)勢；材料細分類型眾多，在大硅片等領域實現(xiàn)突破。從海外經(jīng)驗諫言國內產(chǎn)業(yè)發(fā)展和投資策略。從海外經(jīng)驗觀察，中國半導體處在奮起追趕的發(fā)展黃金窗口期，產(chǎn)業(yè)發(fā)展任重道遠。應尊重行業(yè)發(fā)展客觀規(guī)律，創(chuàng)造良好的基礎教育以及創(chuàng)業(yè)、經(jīng)營環(huán)境，避免急功近利。從細分行業(yè)看：（1）

制造等領域：應學習國外經(jīng)驗持續(xù)逆周期投資，中長期看好國內龍頭企業(yè)。制造、設備材料、封測類公司重資產(chǎn)屬性強，需要長期資金投入，全球龍頭穩(wěn)固，需經(jīng)歷較長時間追趕，類比海外經(jīng)驗，此類領域需集中資源扶持加強產(chǎn)業(yè)扶持，并不單純從盈利角度衡量得失。應當重點關注產(chǎn)業(yè)基金扶持的龍頭企業(yè)，對此類產(chǎn)業(yè)投資適合中長期持有。（2）

設計等輕資產(chǎn)領域：應學習友邦經(jīng)驗，利用大陸消費電子等產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢“良性內循環(huán)”，鼓勵終端廠商使用國產(chǎn)芯片；以市場導向，合理扶持，避免過度保護，維護國內公司公平競爭實現(xiàn)優(yōu)勝劣汰和快速發(fā)展。預計

IC設計仍將是中國未來

10

年成長最蓬勃的半導體領域，下游需求將顯著提升且催化國產(chǎn)替代明確需求。從市場充分良性競爭中誕生的設計公司更具備活力和長期生命力，應鼓勵下游積極推進國產(chǎn)化替代，引導良性市場競爭，避免過度扶持。投資角度建議重點關注具備全球競爭力的細分市場龍頭公司。以史為鑒：美日韓臺產(chǎn)業(yè)轉移，發(fā)展啟示各不同近三十多年來半導體行業(yè)競爭格局出現(xiàn)了顯著變化。我們統(tǒng)計了

ICinsights所公布的歷史半導體企業(yè)

Top10

榜單，榜單可以體現(xiàn)出全球半導體市場格局的更替：美國廠商自始至終都在榜單中占有重要地位；日本廠商在

1985

年占

10

家中的

5

家，但到

2020

年已沒有日本廠商上榜；1985

年榜單中并沒有韓國廠商出現(xiàn)，但隨后的三十多年間以三星為代表的韓國企業(yè)排名不斷提升；中國臺灣的臺積電在

2016

年~2020

年也出現(xiàn)在榜單之中。當今各國半導體產(chǎn)業(yè)分別在如下領域具有優(yōu)勢：美國在

IC設計、制造、設備方面具有優(yōu)勢。IC設計方面，美國眾多創(chuàng)新核心公司如高通、博通、英偉達、蘋果等把控了產(chǎn)業(yè)的頂端，同時擁有英特爾、美光科技、德州儀器、安森美等

IDM廠商，在設備方面擁有應用材料、拉姆研究、科天、泰瑞達等頭部廠商。韓國在制造領域具有優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在存儲芯片、晶圓代工等方面，代表廠商有三星電子、SK海力士等。中國臺灣在晶圓代工、設計、封裝測試領域具有優(yōu)勢，代表廠商有臺積電、聯(lián)電、聯(lián)發(fā)科、日月光等。日本及歐洲主要在材料和設備、汽車電子領域具有優(yōu)勢，代表廠商有

SUMCO、東京電子、ASML、瑞薩電子、意法半導體、恩智浦等?？v觀集成電路行業(yè)發(fā)展歷史，全球已發(fā)生兩次大規(guī)模產(chǎn)業(yè)轉移，給予我們不同的發(fā)展啟示：20

世紀

50

年代，美國為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)源地，是行業(yè)傳統(tǒng)領導者。1947

年晶體管誕生于美國，1958

年集成電路誕生，硅谷孵化了眾多早期半導體公司。美國長期保持領先的主要原因為：（1）長久的技術積累和持續(xù)的技術研發(fā)樹立壁壘；（2）游戲規(guī)則、框架、標準的制定者，主導行業(yè)發(fā)展方向；（3）持續(xù)產(chǎn)業(yè)并購，鞏固領先地位。第一次產(chǎn)業(yè)轉移，20

世紀

70

年代，集成電路制造由美國向日本轉移。DRAM存儲器是日韓產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要切入點，20

世紀

70

年代，以英特爾為首的美國廠商是

DRAM領域的霸主，20

世紀

80

年代日本在

DRAM領域實現(xiàn)對美國的反超，份額一度達到

80%，實現(xiàn)超越的主要原因為：（1）產(chǎn)官學結合的集中式技術研發(fā)；（2）低價質優(yōu)的市場競爭策略。但

20

世紀

90

年代起日本

DRAM份額一路下滑，2000

年后份額已不足

20%，走向衰落的主要原因為：（1）日美貿易戰(zhàn)下政府妥協(xié)簽訂的相關半導體協(xié)定帶來惡劣發(fā)展環(huán)境，且政府后期降低產(chǎn)業(yè)支持；（2）對下游及產(chǎn)業(yè)模式轉變缺乏敏感度，無法適應下游市場的快速變化，錯過個人電腦及互聯(lián)網(wǎng)大發(fā)展，被韓國廠商逐步超越。第二次產(chǎn)業(yè)轉移，20

世紀

90

年代個人電腦普及，韓國與中國臺灣同時產(chǎn)業(yè)崛起。以

DRAM存儲器為契機，產(chǎn)業(yè)轉向韓國三星、海力士等廠商；晶圓代工制造則在中國臺灣興起，臺積電、聯(lián)電等廠商崛起。韓國產(chǎn)業(yè)崛起的主要原因為：（1）政府制定詳盡的發(fā)展綱領并以資金支持；（2）資本雄厚的財閥進行持續(xù)的逆周期投入。中國臺灣代工行業(yè)崛起的主要原因為：（1）抓住全球化浪潮開辟全新代工商業(yè)模式，積極參與全球分工；（2）海外人才回歸帶來技術能力突破。21

世紀

10

年代開始，智能手機、移動互聯(lián)網(wǎng)爆發(fā)，物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能等產(chǎn)業(yè)快速成長。人口紅利、終端需求正在帶動半導體第三次產(chǎn)業(yè)轉移。下面我們將分地區(qū)探究各自集成電路產(chǎn)業(yè)的歷史發(fā)展路徑，并總結發(fā)展規(guī)律和啟示。美國：產(chǎn)業(yè)發(fā)源地，標準制定者，技術領先鑄就護城河美國半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀：設計、制造、設備、軟件具備領先優(yōu)勢美國在數(shù)字芯片和模擬芯片設計方面領先。高端數(shù)字芯片方面，CPU是占主導地位的通用數(shù)字芯片，英特爾和

AMD這兩家美國公司長期壟斷筆記本電腦、臺式機和服務器的

CPU市場；GPU長期以來一直被用于圖形處理，近些年已經(jīng)成為訓練人工智能算法最常用的芯片，美國壟斷了

GPU的設計市場，英偉達和

AMD這兩家美國公司主導著獨立

GPU市場，英特爾也在開發(fā)獨立

GPU。美國公司幾乎占領了整個

FPGA設計市場，主要公司包括賽靈思、Altera（英特爾收購）、Lattice等。模擬芯片設計方面，美國德州儀器產(chǎn)品覆蓋范圍最全，2019

年市場份額約

20%，其次為美國

ADI公司。2019

年半導體設計公司排名中，前十名有六家為美國公司，中國大陸僅有華為海思上榜，但目前仍受美國制裁。半導體制造方面，美國具有一流梯隊領先優(yōu)勢。英特爾的

10nm節(jié)點芯片規(guī)格可與臺積電的

7nm節(jié)點芯片競爭；GlobalFoundries作為晶圓代工廠，具備

12nm特征尺寸先進節(jié)點；德州儀器、ADI、美光等公司以

IDM模式為主，具備領先的模擬芯片、存儲芯片制造能力。半導體設備方面，美國廠商具備傳統(tǒng)優(yōu)勢。應用材料在薄膜沉積、刻蝕、離子注入具

備領先地位；泛林在薄膜沉積、刻蝕領域具備領先地位；科天在檢測、量測設備處于領導

地位。EDA工具以及核心

IP仍然由美國占主導地位。在芯片

EDA設計工具方面，美國

Cadence和

Synopsys占有重要行業(yè)地位，自

1991

年開始美國

Cadence已連續(xù)在國際

EDA市場中銷售業(yè)績穩(wěn)居第一（中美貿易爭端中

Cadence曾停止對中興的服務）。此外，專注于核心嵌入式處理器

IP的

ARM公司（總部位于英國而被日本軟銀擁有），目前正在出售給美國英偉達（進程中），ARM架構的

CPU內核是世界上大多數(shù)智能手機處理器的基礎，該交易若通過監(jiān)管機構審查，將擴大美國在核心

IP領域的領先優(yōu)勢。美國半導體產(chǎn)業(yè)是如何發(fā)展的：從實驗室和硅谷風險投資到全球產(chǎn)業(yè)巨頭20

世紀

40

至

50

年代半導體從實驗室走出，產(chǎn)業(yè)發(fā)源于美國。1947

年美國貝爾實驗室的肖克利等人發(fā)明了世界上第一個點接觸型晶體管；1952

年德州儀器涉足半導體業(yè)務；

1955

年硅谷成立第一家半導體公司肖克利實驗室，1957

年肖克利實驗室出走的八位核心成員建立了仙童半導體（Fairchild）；仙童半導體為硅谷奠定了行業(yè)基礎和風險投資的創(chuàng)業(yè)模式，后續(xù)多家知名半導體公司均從仙童半導體走出。20

世紀

60

年代，英特爾、AMD等公司成立，硅谷風險投資的創(chuàng)業(yè)模式興起。1959

年集成電路發(fā)明，1968

年來自仙童半導體的羅伯特·諾伊斯、高登·摩爾、安迪·葛洛夫共同創(chuàng)立了英特爾公司，1969

年來自仙童半導體的杰里·桑德斯創(chuàng)辦了

AMD公司。美國早期半導體公司誕生時期，大多是從實驗室中走出投入商業(yè)化，均采用設計制造封裝一體的

IDM模式，其優(yōu)點在于內部資源整合優(yōu)勢，從

IC設計到制造所需時間較短，同時市場參與壁壘也非常高，得以快速成長并進行資本、技術積累。這些企業(yè)現(xiàn)今依舊是半導體行業(yè)中的傳統(tǒng)龍頭。20

世紀

70~80

年代個人電腦問世，帶動處理器和

DRAM逐步成為主力產(chǎn)品。美國軍事及航天計劃的需求為半導體提供了最早的市場，20

世紀

70

年代，美國集成電路企業(yè)近一半的產(chǎn)品被軍工部門所購買。1971

年，英特爾推出了全球第一個微處理器

4004，1978

年，研制出

16

位

8086

處理器，從此成為個人電腦的標配。20

世紀

80

年代，面對日本廠商在

DRAM市場日益激烈的競爭，英特爾停止

DRAM內存業(yè)務，專心聚焦處理器業(yè)務。下游需求的擴張帶動行業(yè)進入快速成長期。20

世紀

90

年代，多媒體和移動通信需求興起，產(chǎn)業(yè)分工日趨完善，眾多

Fabless廠商嶄露頭角，如英偉達、高通等。伴隨著臺積電等晶圓代工廠的興起，20

世紀

80

年代~90

年代成立的半導體公司多為

Fabless模式。例如英偉達面向新興的多媒體顯示技術推出

GPU芯片，而高通則面向移動通信需求，成為日后的移動處理器和基帶龍頭廠商。21

世紀

10

年代，云計算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等成為風口，半導體巨頭紛紛并購整合布局，呈現(xiàn)“強者恒強”態(tài)勢，亦出現(xiàn)終端云端廠商跨界涉足芯片設計。這部分我們在下一章節(jié)進行闡述。美國巨頭如何保持領先性：行業(yè)標準制定、持續(xù)研發(fā)投入、持續(xù)產(chǎn)業(yè)并購英特爾發(fā)展啟示：伴隨

PC時代成長，游戲規(guī)則制定確立領軍地位。英特爾創(chuàng)始人為技術出身，以研究開發(fā)為導向，成為技術領先龍頭。英特爾創(chuàng)始人之一高登·摩爾于

1968

年提出摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔

18-24

個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這預測了集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展將每年成倍以指數(shù)形式增長。1970

年英特爾推出第一片

DRAM，1971

年英特爾推出

SRAM、EPROM和第一片商用微處理器

4004。1980

年

IBMPCXT問世，此后微型計算機發(fā)展迅猛，IBMPC的崛起使得

Wintel（Windows+Intel）模式占據(jù)

PC時代市場半壁江山，英特爾采用的

x86

指令集成為

PC標配，英特爾也積極主導制定

PC行業(yè)各類行業(yè)標準，使其在

PC中核心地位長期難以動搖，造就了英特爾長期的

CPU霸主地位。保持技術領先，美國半導體廠商大量研發(fā)投入鑄就護城河。根據(jù)

ICInsights統(tǒng)計，全球半導體公司研發(fā)費用投入前十名中美國公司占據(jù)

5

家，其中

2019

年英特爾研發(fā)費用高達

133.62

美元，研發(fā)投入占營收比例

18.57%，高通達

53.98

億美元，研發(fā)投入占營收比例

22.24%。同時根據(jù)歐盟委員會于

2019

年公布的全球公司研發(fā)投入排名來看，英特爾公司位列全球第六位。雄厚的技術基礎，疊加持續(xù)的研發(fā)投入帶來正反饋效應，使得美國半導體產(chǎn)業(yè)強者恒強，穩(wěn)居全球產(chǎn)業(yè)霸主地位難以撼動。持續(xù)產(chǎn)業(yè)并購，巨頭看準產(chǎn)業(yè)方向利用資本外延擴張，實現(xiàn)“強者恒強”。21

世紀

10

年代，云計算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等成為風口，美國半導體頭部廠商并購頻發(fā)，是快速擴張份額或進入新市場領域的重要手段：如

2006

年

AMD收購

ATI進入顯卡

GPU領域，成為唯一一個兼具

CPU和

GPU能力廠商；2011

年德州儀器收購國家半導體，坐實模擬芯片龍頭地位；2014

年高通收購

CSR獲得藍牙芯片技術，布局物聯(lián)網(wǎng)與博通競爭；2015

年

Avago收購博通合并成立新博通，強化物聯(lián)網(wǎng)芯片平臺競爭力；2015

年英特爾收購

Altera，涉足

FPGA布局云計算；2016

年

Microchip收購

Atmel，爬升至

MCU市場前三；

2017

年英特爾收購

Mobileye，布局自動駕駛等。另一方面，出現(xiàn)終端廠商或云端廠商跨界涉足芯片設計，如蘋果公司于

2010年發(fā)布的

iPad和

IPhone4開始采用自研的

A4芯片；

2016

年谷歌公司發(fā)布了其用于人工智能和機器學習的

TPU芯片。日本：技術研發(fā)+市場化實現(xiàn)上世紀

80

年代迅速崛起日本半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀：設備、材料領域具備全球競爭力日本半導體公司在設備、材料領域具有較強優(yōu)勢。日本的半導體制造產(chǎn)業(yè)在

20

世紀

80

年代輝煌一時，在

21

世紀逐步衰退，目前留存的頭部廠商主要針對

NANDFlash、CIS

（CMOS圖像傳感器）、汽車電子、功率分立器件等細分品類，在高端數(shù)字電路方面涉足不多。而半導體設備材料廠商由于良好的工業(yè)基礎和持續(xù)的技術積累，至今仍在全球市場占據(jù)非常重要的地位。半導體設備方面，據(jù)

Gartner的數(shù)據(jù)顯示，規(guī)模以上全球晶圓制造設備商共計

58

家，其中日本企業(yè)最多，達到

21

家，占

36%。其中頭部廠商東京電子在刻蝕、薄膜沉積、勻膠顯影等產(chǎn)品有較高份額。愛德萬在自動測試設備、迪恩士在清洗設備均具有較強競爭力。半導體材料方面，據(jù)

SEMI推測，日本企業(yè)在全球半導體材料市場上所占的份額達到

約

52%，而北美和歐洲分別占

15%左右。日本企業(yè)在硅片、光刻膠、鍵合引線、模壓樹脂及引線框架等重要材料方面占有極高份額。硅片行業(yè)

CR5

為

92%，形成寡占的競爭格局。其中，兩家日本廠商份額合計

52%。光刻膠方面，日本廠商東京應化、JSR、住友化學、富士膠片分別占據(jù)

27%、13%、12%、8%份額。電子特氣方面，日本廠商太陽日酸占據(jù)

18%份額。拋光液方面，除美國卡博特、陶氏以外，日本日立、富士等全球領先。日本產(chǎn)業(yè)如何崛起：政策引導集中資源研發(fā)，質優(yōu)低價構筑市場競爭力日本半導體產(chǎn)業(yè)興起核心源于集中技術研發(fā)+高度市場化競爭，從追隨美國到快速超

越。日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大致經(jīng)歷四個階段：（1）20

世紀

60

年代，技術引進期。冷戰(zhàn)期間，為對抗蘇聯(lián)美國開始了對日本的大規(guī)模援助，由此日本以極低廉的價格獲得了美國大量技術授權，其中就包括晶體管的技術。美國于

1962

年對日本開放當時最先進的集成電路平面制造工藝技術，日本的

NEC公司從美國仙童半導體公司獲得了集成電路批量制造的技術授權，在日本政府主導下，NEC又將技術開放給了三菱、京都電氣等公司，由此形成了日本半導體產(chǎn)業(yè)雛形。早期的設備材料也多進口自美國，并逐步成立合資公司開始設備國產(chǎn)化：1967

年，日本電氣與

VarianAssociates公司成立合資企業(yè)，開始在日本開發(fā)生產(chǎn)自動鋁線真空鍍膜設備以及濺射裝置等；日立制作所在

1968

年研究開發(fā)離子注入設備。（2）20

世紀

70

年代，自主發(fā)展期。在政府引導下日本成立了

VLSI聯(lián)合研發(fā)體，匯聚全國人才，產(chǎn)官學合作共同研發(fā)，項目實施

4

年期間共獲得

1000

多項專利，后期技術研發(fā)已快于美國，在此階段日本半導體設備國產(chǎn)化進程同時加快。1976

年日本通商產(chǎn)業(yè)省從所屬電子技術綜合研究所遴選出具備對

IC從設計、生產(chǎn)到測試全過程的綜合知識和協(xié)調能力的半導體專家，由他們牽頭組織日本最大的五家計算機企業(yè)富士通、NEC、日立、東芝和三菱電機組成了“超大規(guī)模集成電路技術研究組合”

，其最主要目標是開發(fā)為制造最先進的

VLSI存儲芯片、特別是

64K和

256K動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）所必需的基礎技術。1K的

DRAM和

4K的

DRAM是美國最先于

1970

年和

1972

年研制出來的，

16K的

DRAM是美、日同在

1976

年研制出來的，64K的

DRAM（包含約

15

萬個元件，已屬

VLSI超大規(guī)模集成電路產(chǎn)品）是日、美分別在

1977

年和

1979

年研制出來的（市場占有率最大的廠商是日立，意味著日本比美國早兩年進入了

VLSI時代），256K的

DRAM是日、美分別在

1980

年和

1982

年研制出來的（日本又比美國早了兩年，市場占有率最大

的廠商是

NEC），1000K（即

256K的約四倍或

100

萬位）的

DRAM則是由日本半導體企

業(yè)在

1984

年率先研制成功（市場占有率最大的廠商是東芝）。在

1976

年到

1979

年為期

四年計劃中，研究開發(fā)費用總額為

737

億日元，政府補助金

291

億日元，占總額的

39.5%。（3）20

世紀

80

年代，實現(xiàn)趕超期。20

世紀

80

年代初，隨著美國等發(fā)達國家計算機行業(yè)的發(fā)展，對

DRAM的需求快速增長。由于日制

DRAM在設計和工藝技術方面領先，在產(chǎn)品質量、價格和交貨時間方面均獲得很高評價，許多美國電腦制造商也開始采用日制

DRAM，導致

80

年代日制

DRAM在全球市場中所占份額不斷上升，1982

年超過美國，1987

年達到頂峰（80%）。到了

1989

年，日本芯片在全球的市場占有率達到

53%，超過了美國的

37%。（4）20

世紀

90

年代，進入衰退期。1985

年美國針對日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)起第一次

301

調查，于

1986

年達成第一次半導體協(xié)議，要求日本擴大外國半導體企業(yè)進入日本市場，并監(jiān)控日本半導體價格情況。1987

年美國再次指責日本向第三國傾銷并征收

100%懲罰性關稅，于

1991

達成簽訂第二次半導體協(xié)議，要求日本承諾使美國在日本半導體市場份額提升至

20%。兩次日美半導體協(xié)定的簽訂使得日本半導體廠商原來具有的價格優(yōu)勢喪失，市場份額逐漸受到韓國及中國臺灣新興廠商的侵蝕。20

世紀

90

年代，日本

DRAM競爭力下滑，相關設備開始轉賣給韓國、中國臺灣企業(yè)。2001

年，日本東芝宣布退出通用

DRAM領域，主攻

NAND閃存，開展

SoC研發(fā)。此時受數(shù)碼相機、音樂播放器等電子產(chǎn)品促進需求，NAND閃存成為日本半導體產(chǎn)業(yè)新支柱。2000

年以后，日系廠商普遍整合、逐步淡出半導體業(yè)務。當前日本仍掌控設備、材料上游領域。盡管日本在芯片設計制造領域失去昔日霸主地位，在上游設備和材料領域依舊占據(jù)優(yōu)勢。日本半導體設備、材料材料廠商在

20

世紀

80

年代跟隨其設計、制造環(huán)節(jié)崛起，由于上游市場相對更為穩(wěn)定，且長期量產(chǎn)積累了較充足的產(chǎn)品經(jīng)驗，并未跟隨下游終端市場的變化而發(fā)生衰退。目前日本設備、材料行業(yè)仍然在全球具有較強競爭力。日本產(chǎn)業(yè)興起的啟示：政府引導集中資源重視研發(fā)，大規(guī)模投資生產(chǎn)參與全球競爭。（1）集中研發(fā)高投入，從國外引進到自主研發(fā)密切結合。日本早期引進美國技術，并在

20

世紀

70

年代由政府引導成立

VLSI聯(lián)合研發(fā)體，進行產(chǎn)官學結合的集中式技術研發(fā)。（2）參與市場化競爭，成本質量優(yōu)勢取勝。日本

20

世紀

80

年代半導體崛起一方面是官產(chǎn)學集中研發(fā)

DRAM，另一方面通過集中研發(fā)后規(guī)?；某杀緝?yōu)勢快速滲透美國市場，且質量高于美國產(chǎn)品。（3）下游需求潮流帶動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。日本半導體產(chǎn)業(yè)興起正值大型機時代及家電興起，日本家電的快速發(fā)展的需求帶動了半導體的發(fā)展。日本產(chǎn)業(yè)后期為何衰落：貿易戰(zhàn)后政府妥協(xié)，迭代過慢錯過

PC發(fā)展時代（1）外部原因：日美貿易戰(zhàn)下簽訂相關半導體協(xié)定帶來惡劣發(fā)展環(huán)境日美貿易戰(zhàn)自

50

年代持續(xù)至

70

年代，范圍涵蓋多個制造類行業(yè)。日美貿易戰(zhàn)總體行業(yè)范圍較廣，六大行業(yè)貿易戰(zhàn)先后涉及紡織品（50~70

年代）、鋼鐵（70~90

年代）、家電（70~80

年代）、汽車（80~90

年代）、電信（80~90

年代）和半導體行業(yè)（1978~1996

年），涉及行業(yè)的演進與日本從輕工業(yè)、重化工業(yè)、高科技產(chǎn)業(yè)的不斷升級同步。貿易戰(zhàn)的方式從早期的日本“自愿限制出口”到不得不接受擴大進口、取消國內關稅、開放國內市場、對出口美國的產(chǎn)品進行價格管制、設定美國產(chǎn)品在日本市占率指標等條件。日本為受到美國“301

調查”最多國家，被迫多次簽訂貿易協(xié)議。1982

年，日美兩

國政府在高科技工作小組框架下達成協(xié)議，日本政府承諾減少企業(yè)的價格傾銷、保護美國

企業(yè)的知識產(chǎn)權和專利技術，推動日本企業(yè)購買美國的半導體產(chǎn)品。美國

1985

年主導“廣

場協(xié)議”，日元被迫大幅升值。1988

年美國啟動“超級

301

條款”?！?01

條款”是美國基于國

內法對外國損害其利益的行為采取單邊制裁的條款。根據(jù)

USTR統(tǒng)計，1975~1997

年間

美國共發(fā)起了

116

起調查，其中對日本發(fā)起

16

起，日本是美國發(fā)起“301

條款”調查案最多的國家。在長期的貿易摩擦中，美國將“301

條款”作為重要的談判工具，迫使日本接

受了自愿出口限制、開放國內市場以及改革國內經(jīng)濟結構等協(xié)議。

1985

年美國針對日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)器第一次

301

調查，于

1986

年達成第一次半導體協(xié)議，要求日本擴大外國半導體企業(yè)進入日本市場，并監(jiān)控日本半導體價格情況。1985

年美國半導體工業(yè)協(xié)會提出申請，指責日本在半導體領域存在市場準入障礙。USTR于

1985

年

6

月開始調查，1986

年

6

月兩國達成半導體協(xié)議，調查終止。1986

年簽訂的半導體協(xié)議為期五年，主要包括兩個內容。（1）日本政府須支持協(xié)助外國半導體廠商進入日本市場。要求日本政府成立支持或協(xié)助外國半導體生產(chǎn)者在日銷售的專門機構，意在加強日本消費者與外國半導體生產(chǎn)者的溝通和了解。（2）日美政府監(jiān)控半導體產(chǎn)品價格。要求日本政府監(jiān)督協(xié)議指定對美出口產(chǎn)品的成本和價格，而美國政府擁有隨時開啟反傾銷調查的權利。在這一機制下，日本企業(yè)必須將指定產(chǎn)品的成本、出口價格等信息按一定程序提交給通商產(chǎn)業(yè)省，通商產(chǎn)業(yè)省基于本國法律對低于成本價格的出口產(chǎn)品采取相應措施。這意味著日本的半導體存儲器生產(chǎn)被剝奪了經(jīng)營的自由，完全置于日美兩國政府的監(jiān)視之下。1987

年美國再次指責日本向第三國傾銷并征收

100%懲罰性關稅，于

1991

達成簽訂第二次半導體協(xié)議，要求日本承諾使美國在日本半導體市場份額提升至

20%。1987

年

3

月，美國以外資系半導體產(chǎn)品進入日本市場不充分和日本產(chǎn)半導體產(chǎn)品在第三國傾銷為由，指責日本沒有遵守協(xié)議，繼而對日本微型計算機等

300

億美元的相關產(chǎn)品征收

100%懲罰性關稅。1989

年美國進一步迫使日本簽訂《日美半導體保障協(xié)定》，開放日本半導體產(chǎn)業(yè)的知識產(chǎn)權、專利。1991

年日美簽訂五年期的新半導體協(xié)定，其中規(guī)定日本政府承諾美國半導體產(chǎn)品在日本的市場份額提升至

20%，美國則放棄了第三國傾銷指責。1996

年，在日本半導體市場份額已出現(xiàn)衰退后，日美簽訂了一個為期三年的半導體協(xié)議，其中未規(guī)定任何數(shù)量目標，將成本及價格收集、分析的工作交由世界半導體委員會（WSC）負責。美國則在貿易戰(zhàn)期間集中推動半導體技術的研發(fā)。1987~1988

年，在美國國防部高級研究計劃局的資助下，14

家在美國半導體制造業(yè)中居領先地位的企業(yè)組成并開始運作“半導體材料技術聯(lián)盟”（Sematech），其宗旨是解決美國半導體企業(yè)的共同的制造技術課題（如研發(fā)極紫外光刻用的光掩模、光刻膠，以及半導體器件的結構、測試、制造等方面的先進技術），以恢復在

20

世紀

80

年代中期被日本半導體企業(yè)超過的美國半導體產(chǎn)業(yè)競爭力。兩次日美半導體協(xié)定的簽訂使得日本半導體廠商原來具有的價格優(yōu)勢進一步喪失，國內市場則遭受外國廠商人為沖擊。由于日美政府須對日本產(chǎn)半導體產(chǎn)品價格監(jiān)控，日本企業(yè)喪失了自主的市場自由定價權，其半導體產(chǎn)品價格優(yōu)勢喪失。由于日本向美國承諾美國廠商獲得

20%市場份額，進一步?jīng)_擊了日本廠商在國內市場的發(fā)展。對于日本半導體企業(yè)而言，多項協(xié)議條款疊加帶來了惡劣的國內外市場環(huán)境。進入

20

世紀

90

年代以后，日本政府逐漸降低了對日本半導體產(chǎn)業(yè)的支持。通過對比日本、韓國和中國臺灣對半導體產(chǎn)業(yè)的扶持情況可以發(fā)現(xiàn)，即便是到了

2008

年，經(jīng)過一定程度的改善，日本對半導體產(chǎn)業(yè)的扶持力度仍然遠遠小于韓國和中國臺灣，中國臺灣和韓國在企業(yè)所得稅比例、設備折舊的年限和設備投資免稅等方面的支持力度都比日本要大得多。主要原因一方面是政府認為日本半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)了趕超美國，能夠離開政府的扶持獨立發(fā)展，這也與日本一貫的產(chǎn)業(yè)政策思路相一致，同時日本政界左翼勢力抬頭，認為這些優(yōu)惠措施只便宜了大企業(yè)，造成社會不公。另一方面，美國的制裁壓力和泡沫經(jīng)濟破滅的影響，使得政府還是民間大幅降低了投資的熱情和能力。啟示：半導體行業(yè)特點研發(fā)窗口期短、產(chǎn)品迭代快，具有先發(fā)優(yōu)勢的企業(yè)“贏家通吃”非常明顯（尤其是重資產(chǎn)企業(yè)），因此“自頂向下”的長期政策支持顯得尤為重要。例如英特爾在

20

世紀

80

年代初的短短幾年時間壟斷了個人電腦微處理器市場，友商在很長一段時間很難超越。缺乏政府的大力支持，半導體企業(yè)（尤其制造類）很難靠自身力量克服產(chǎn)業(yè)周期，實現(xiàn)連續(xù)巨額的技術和設備投資。日本政府支持不利，是日本半導體產(chǎn)業(yè)被新興國家和地區(qū)超越的一個重要原因。（2）內部原因：研發(fā)各自為戰(zhàn)，對下游及產(chǎn)業(yè)模式轉變缺乏敏感1976~1979

年間日本政府啟動

VLSI（超大規(guī)模集成電路）聯(lián)合研發(fā)項目，五家企業(yè)共同開展研發(fā)，促成了快速趕超。1976

年日本通商產(chǎn)業(yè)省從所屬電子技術綜合研究所遴選出具備對

IC從設計、生產(chǎn)到測試全過程的綜合知識和協(xié)調能力的半導體專家，由他們牽頭組織日本最大的五家計算機企業(yè)富士通、NEC、日立、東芝和三菱電機參與。項目總資金規(guī)模達

730

億日元，政府出資

290

億日元，日立、日本電氣（NEC）、富士通、三菱、東芝五大公司共同出資

440

億日元。該研發(fā)項目成功提前于美國研制出

64K至

256KDRAM芯片，實現(xiàn)了相對于美國的趕超。80

年代至

90

年代日本五大企業(yè)各自為戰(zhàn)，彼此之間造成消耗。1980

年代，日立、日本電氣（NEC）、富士通、三菱、東芝均位于全球半導體企業(yè)前列，而

VLSI聯(lián)盟合作則

與1979年結束，日本各大半導體企業(yè)之間總體不再開展類似VLSI的大規(guī)模聯(lián)合研發(fā)項目。實質上

VLSI項目為各家參與企業(yè)提供了必要的技術工藝能力基礎，包括專利技術的共享等，而后續(xù)的商用產(chǎn)品仍然由各家獨立推出，并相互在國內和國際市場上競爭。1987

年美國政府則聯(lián)合英特爾為首的

13

家半導體公司啟動了

SEMATECH計劃，此計劃幫助美國半導體產(chǎn)業(yè)在

1995

年重回世界第一。此計劃一方面是集中研發(fā)，減少重復浪費，并在半導體行業(yè)內共享研發(fā)成果，為企業(yè)減輕負擔；另一方面是把半導體制造技術模塊化，使設計與制造分離成為可能，促進了資金規(guī)模較小的芯片設計行業(yè)大發(fā)展。在日本半導體行業(yè)逐步衰落后，日本半導體廠商回歸了聯(lián)合的思路，1999

年日立與

NEC為避免兩敗俱傷，聯(lián)手成立了爾必達公司，欲通過強強聯(lián)手來渡過難關；2003

年該公司又吸收了三菱電機的存儲器部門，而富士通公司和東芝公司則分別于

1999

年和

2001

年退出了通用

DRAM產(chǎn)品市場。對下游需求和商業(yè)模式更迭缺乏敏感，錯過個人

PC及互聯(lián)網(wǎng)大發(fā)展，錯過分工式產(chǎn)業(yè)模式轉變。日本自身體制僵化主要體現(xiàn)在面對市場需求變化和生產(chǎn)模式變化兩個方面。（1）對市場潮流的變化缺乏前瞻，不能靈活應對需求。市場潮流由大型計算機逐步轉向個人計算機。1977

年蘋果推出個人電腦

AppleII，1981

年

IBM發(fā)布

IBM-PC，拉開個人計算機時代序幕。20

世紀

80

年代中期，全球計算機市場由大型機向個人計算機轉變。在存儲器（尤其是

DRAM）領域，日本廠商善于精研技術，管理復雜流程，能夠在同等技術條件下把產(chǎn)品做得精益求精。但是，隨著半導體產(chǎn)業(yè)不斷向前發(fā)展，之前日本廠商擅長的、以大型機為主的一元化市場逐漸轉型，特別是

90

年代以后

DRAM的用途變得非常廣泛，怎么做產(chǎn)品變得相對不是那么重要，而做什么產(chǎn)品變得越來越重要。遺憾的是日本廠商沒有深刻把握這樣的產(chǎn)業(yè)發(fā)展脈絡，仍然頑固堅持以往的開發(fā)模式，執(zhí)著于自己企業(yè)的設計、細節(jié)處理，產(chǎn)品標準化進程緩慢，無法適應下游市場的快速變化。（2）對生產(chǎn)模式的變化缺乏敏感，頑固堅持原有的一體化生產(chǎn)模式。美國

SEMATECH計劃造成了整個半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的變化，令習慣于自己做全產(chǎn)業(yè)鏈并且各自為戰(zhàn)的日本各大綜合電機廠商在競爭中優(yōu)勢不再，同時，日本廠商經(jīng)營理念封閉，不能與時俱進的缺點也在此時暴露無遺。中國臺灣廠商則借助這種商業(yè)模式的轉化，成功涌現(xiàn)出臺積電、臺聯(lián)電等優(yōu)秀的代工制造企業(yè)。韓國：政府支持+逆周期持續(xù)投入成就現(xiàn)今存儲霸主韓半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀：兩大核心企業(yè)，確立存儲器產(chǎn)業(yè)霸主韓國半導體產(chǎn)業(yè)主要有兩家支柱企業(yè)：三星電子、SK海力士，主要業(yè)務領域集中于存儲器、CIS（CMOS圖像傳感器）、數(shù)字芯片設計和代工。部分配套的設備、材料環(huán)節(jié)公司也與兩大集團具有密切聯(lián)系，如韓國最大的半導體設備公司

SEMES為三星子公司；韓國最大的半導體硅片公司

SKSiltron原是

LG旗下制造硅片的專門企業(yè)，2017

年

1

月，

SK集團收購了

LGSiltron51%的股份，并將其更名為

SKSiltron。DRAM市場格局三分天下，韓國企業(yè)占七成份額；NANDFlash前六家廠商份額

98%

以上，韓國企業(yè)占四成以上。DRAM份額由三星、SK海力士、美光三家瓜分，CR3

達

94.5%。

NANDFlash份額由三星、鎧俠（原東芝存儲）、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、美光、英特爾六家占據(jù)，CR6

達

98.5%?？梢婍n國廠商在

DRAM、NANDFlash兩大類存儲芯片產(chǎn)業(yè)地位突出。韓國半導體產(chǎn)業(yè)如何崛起：政府政策支持和財團逆周期投資政府政策先行，推動產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有明顯的政府和財團主導特點，發(fā)展大致經(jīng)歷四個階段：（1）起步：韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)端于

1965-1974

年，最早作為美日半導體廠商投資為主的組裝基地開始起步。利用韓國廉價勞動力的來料加工模式。產(chǎn)品主要為記憶芯片、二極管三極管。（2）發(fā)展：20

世紀

70

年代，由于韓國電子企業(yè)嚴重缺乏自主技術，政府制定施政綱領，強調獲取半導體技術能力的重要性。韓國陸續(xù)從美國和日本獲得半導體工業(yè)所需技術。（3）追趕：20

世紀

80

年代，政府強力干預，韓國半導體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展。選擇

DRAM作為發(fā)展重點。三星、現(xiàn)代、LG參與

DRAM為主的大規(guī)模芯片生產(chǎn)。1986

年進入存儲器自主研發(fā)。（4）超越：1999

年后三星成為韓國第一大集團，韓國

DRAM市占率超過日本。持續(xù)大量投入，促成產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)超越。20

世紀

80

年代末，韓國政府推出扶持半導體產(chǎn)業(yè)的十年規(guī)劃，以每年遞增

25%的速率對半導體開發(fā)進行持續(xù)投入。1993

年，為開發(fā)

256MDRAM芯片，政府出面成立研究小組，官私共同投資

2.2

億美元。1994

年，韓國三家公司躋身世界半導體公司投資

top10：三星電子設備投資

15.44

億美元，居世界第二位，僅次于英特爾公司；現(xiàn)代公司設備投資

6.95

億美元，居第六位；金星公司設備投資

5.95

億美元，居第十位。三星依托

DRAM逆周期投資迅速崛起。歷史經(jīng)驗來看，三星

DRAM業(yè)務依托政府背書穩(wěn)居龍頭地位。20

世紀

80

年代

DRAM市場景氣不佳，到

1986

年底，三星半導體累計虧損達

3

億美元，盡管美日多家公司縮減產(chǎn)能或退出市場，三星仍依靠政府的扶持進行逆周期投資。2000-2010

年間，三星電子從韓國政府獲得的稅收減免共計約

87

億美元。從三星的經(jīng)驗來看，集成電路產(chǎn)業(yè)需時以十年計，數(shù)以每年千億計的高投入，而國內剛剛站在投入起點。（1）時間跨度上長達十年以上。三星半導體業(yè)務從上世紀

80、90

年代起持續(xù)由政府扶持進行投資，近十年來，三星半導體資本支出穩(wěn)定處于高位。（2）資金量每年千億計。三星、英特爾、臺積電近五年

Capex均超

100

億。我國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期于

2014

年成立，五年投資資金約

1387

億人民幣，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期于

2019

年成立，我們預計五年投資規(guī)模達

2000

億人民幣。中國臺灣：政策培植，開辟代工模式重塑全球產(chǎn)業(yè)鏈中國臺灣半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀：晶圓代工霸主地位難以撼動，強者恒強制造環(huán)節(jié)帶動設計、材料等環(huán)節(jié)成熟，當前中國臺灣已形成晶圓代工、IC設計、封裝測試、材料設備等一系列產(chǎn)業(yè)鏈。中國臺灣頭部半導體廠商大多在

20

世紀

80

年代至

90

年代間陸續(xù)成立。1995

年，聯(lián)電由

IDM轉型晶圓代工,

將旗下

IC設計部門分拆出去，成立聯(lián)陽、聯(lián)杰、聯(lián)發(fā)、聯(lián)詠、聯(lián)笙五家

IC設計公司。其中聯(lián)發(fā)科從

CD-ROM芯片組起家，后來轉進手機芯片，在山寨機風潮下獲得豐碩的成果，目前已經(jīng)是全球前十大

IC設計廠商；聯(lián)詠亦憑借面板驅動芯片產(chǎn)品，躋身全球前十大

IC設計廠商。當前中國臺灣半導體產(chǎn)業(yè)鏈已涵蓋設計、制造、封測、材料設備等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。臺積電在晶圓代工市場已獲得

50%份額，高壁壘驅動晶圓代工行業(yè)集中度提高。根據(jù)

Trendforce，2020

年中國臺灣臺積電在全球晶圓代工廠中一騎絕塵，市占率達

53.9%，韓國三星電子達到

17.4%，其余廠商市占率在

10%以下。先進邏輯工藝目前已經(jīng)走到

5nm節(jié)點，先進節(jié)點開發(fā)僅余臺積電、Intel（IDM模式）、三星（IDM+代工模式）三家，格羅方德、聯(lián)電均宣布退出先進制程開發(fā)，隨著制程的縮小，晶圓制造廠投資金額呈指數(shù)式增長，龐大的資金壓力加速無競爭力晶圓廠關閉。預期未來能成功過渡到更先進制程節(jié)點上企業(yè)會逐漸減少，市場份額會持續(xù)向寡頭大廠集中。先進制程趨勢推動晶圓代工行業(yè)技術、設備、資金壁壘不斷增加，晶圓代工呈現(xiàn)強者恒強趨勢。（1）技術壁壘：光刻技術、新材料和新工藝、新結構、工藝誤差、工藝集成技術挑戰(zhàn)不斷增加。（2）設備壁壘：全球只有

ASML生產(chǎn)的

NXE3400

系列是唯一支持

7nm及以下工藝的

EUV光刻機，單臺機器價值約

1.2~1.5

億美元，ASML產(chǎn)量有限，與臺積電、英特爾等廠商關系緊密。（3）資金壁壘：根據(jù)

ICInsights數(shù)據(jù)，5

萬片/月產(chǎn)能的

130nm工藝

8

英寸（200mm）廠需要約

14

億美元投資，12

英寸（300mm）廠需要

24

億~125

億美元，越先進制程投資代價越高。中國臺灣產(chǎn)業(yè)如何崛起：商業(yè)模式抓住產(chǎn)業(yè)分工機遇，重視頭部企業(yè)的帶動作用初期由后段切入，臺積電開辟純晶圓代工模式。縱觀中國臺灣半導體發(fā)展歷史，初期起步階段政府支持與研發(fā)主導是主要因素，隨后市場化開辟代工新商業(yè)模式促進了中國臺灣半導體產(chǎn)業(yè)的騰飛：（1）20

世紀

60

年代，外資主導的資金引進期，IC封裝制造為中國臺灣半導體產(chǎn)業(yè)切入點，1965

年高雄建立加工出口區(qū)，極大地促進了中國臺灣的出口導向性經(jīng)濟發(fā)展模式，由于中國臺灣的廉價而訓練有素的勞動力，Microchip、德州儀器、飛利浦、摩托羅拉等歐美企業(yè)開始在高雄設封測廠。（2）20

世紀

70

年代，政策主導的上游技術引進期，以工研院電子所為主導，政府確定了從海外引進技術發(fā)展半導體的計劃，出資

350

萬美元，派遣

40

多位研究人員去美國無線電公司（RCA）學習，全套引進技術，電路設計、光罩制造、晶圓制造、包裝與測試技術。（3）20

世紀

80

年代，本土企業(yè)培植期，1980

年，工研院電子所成立了聯(lián)華電子，政府主動投資占股

70%，民企占

30%，為中國臺灣首家半導體公司。1987

年，臺積電成立，張忠謀開辟純晶圓代工新模式。1995

年，臺聯(lián)電由

IDM轉型晶圓代工。逐步形成上游

IC設計，中游代工制造，下游封裝測試的產(chǎn)業(yè)格局。中國大陸：產(chǎn)業(yè)轉移和客戶集群優(yōu)勢，“黃金十年”時代機遇產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀：十年維度自主可控，集成電路國產(chǎn)化仍存巨幅缺口市場需求牽引形成巨幅缺口，集成電路亟待國產(chǎn)崛起。根據(jù)海關總署數(shù)據(jù)，2020

年中國集成電路進口金額達

3500.36

億美元，同比增長

14.6%，首度突破

3500

億美元。2015

年起集成電路超過原油連續(xù)六年占據(jù)我國進口商品第一大品類，2020

年占我國進口總額的

17.03%，同比增加

2.33pcts。大量的進口依賴表明我國集成電路需求龐大，國產(chǎn)替代空間巨大。另一方面，集成電路產(chǎn)業(yè)已成為經(jīng)濟和社會發(fā)展的先導性和支柱性產(chǎn)業(yè)，沒有芯片就沒有安全，我國發(fā)展集成電路自主可控的意愿極為迫切。國內集成電路產(chǎn)值

CAGR預計

13.7%，自給率不足

16%。根據(jù)

ICInsights，2020

年中國集成電路自給率為

15.9%，預計

2020

年到

2025

年中國集成電路產(chǎn)值

CAGR為

13.7%，市場規(guī)模

CAGR為

9.2%，由此測算到

2025

年自給率為

19.4%，仍然較低。由此可見實現(xiàn)自主可控是以十年計的長期過程，預計國內集成電路行業(yè)將長期保持較高成長性，板塊具備相對活躍的基礎。早期探索：國家主導集成電路發(fā)展奠定早期基礎上世紀六十年代左右，中國大陸已經(jīng)形成半導體工業(yè)體系雛形。以中科院半導體所為代表的大批研究機構+全國建設數(shù)十家電子廠形成了當時中國半導體工業(yè)體系雛形。同時期日本在美國扶持下，通過官產(chǎn)學聯(lián)合形式，引進美國技術，建立了初步半導體工業(yè)體系。八十年代，國內電子產(chǎn)業(yè)遭受猛烈的外部沖擊。八十年代中國電子企業(yè)均為國營，由經(jīng)營困難無法支撐研發(fā)，只能引進國外落后淘汰的二手生產(chǎn)線，由此中國半導體行業(yè)不僅落后于美日，也逐漸被半導體產(chǎn)業(yè)新興的韓國和中國臺灣地區(qū)超過。1986

年“七五”計劃期間提出

531

戰(zhàn)略。1986

年原電子部在廈門集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會期間針對“七五”計劃提出

531

戰(zhàn)略，即普及

5

微米技術、研發(fā)

3

微米技術，進行

1

微米技術科技攻關。“七五”期間重點建設了五個主干企業(yè)，分別為無錫華晶電子（現(xiàn)華潤華晶）、紹興華越微電子、上海貝嶺微電子、上海飛利浦半導體（現(xiàn)上海先進半導體）和首鋼日電電子（首鋼

NEC）。1986

年北京集成電路設計中心（現(xiàn)華大集成電路設計中心）成立，開創(chuàng)中國集成電路設計先河。1990

年針對“八五”計劃組織“908

工程”。1990

年

8

月，國家計委和機電部在北京聯(lián)合召開座談會，中央決定實施

908

工程，其承擔主體為無錫華晶。國家為

908

工程集中投資

20

多億元，目標是在無錫華晶建成一條月產(chǎn)

1.2

萬片、6

英寸、0.8－1.2

微米的芯片生產(chǎn)線。但由于審批時間過長，工程從開始立項到真正投產(chǎn)歷時近

8

年之久。到

1997

年華晶生產(chǎn)線正式建成時，華晶的技術水平已大大落后于國際主流技術達四至五代。月產(chǎn)僅

800

片左右，投產(chǎn)當年即虧損

2.4

億元。在此情況下，從

1998

年

2

月起，華晶將部分設備租給香港上華半導體公司。合作一年半后，1999

年

8

月，華晶和上華合作的工廠轉制為合資公司——無錫華晶上華半導體公司，上華持股

51%，華晶

49%。為了處置華晶的這部分不良資產(chǎn)，信達資產(chǎn)管理公司引入了華潤集團。2002

年

9

月香港華潤集團（簡稱華潤）正式宣布完成收購華晶，將其轉制為無錫華潤微電子有限公司。1995

年組織“909

工程”。在“909”工程之前，中國在自主發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的道路上發(fā)起過多次沖擊，但大規(guī)模生產(chǎn)線始終未能進入良性循環(huán)，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈也遠沒有形成。1995

年，原電子部向國務院提交了《關于“九五”期間加快我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的報告》。1996

年

3

月，“大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線”項目正式獲得批復立項。1996

年，上海華虹微電子有限公司正式成立，隨后華虹與日本

NEC公司合作組建上海華虹

NEC，成為“909”工程的主要承擔企業(yè)?！?09

工程”為國內集成電路產(chǎn)業(yè)奠定華虹、華大等早期中堅力量。華虹

NEC于

1997

年

7