拓荊科技：半導體薄膜沉積設備龍頭，上市后駛入成長快車道1.拓荊科技：國內(nèi)半導體薄膜沉積設備領軍企業(yè)1.1深耕薄膜沉積十余年，打破壟斷成就領軍者國內(nèi)半導體薄膜沉積設備領域龍頭。公司成立于2010年，主要從事高端半導體專用設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與技術服務。公司擁有自主知識產(chǎn)權，且技術指標已達到國際同類產(chǎn)品先進水平，產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線，打破了國際廠商對國內(nèi)市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。公司多次承擔國家重大專項，多次獲評中國半導體行業(yè)協(xié)會授予的“中國半導體設備五強企業(yè)”稱號。公司無控股股東和實際控制人，第一大股東為國家集成電路基金。上市前，國家集成電路基金持有公司26.48%的股份，其實控人為中國財政部。自然人股東呂光泉、劉憶軍、凌復華、吳飚、周仁、張先智、張孝勇，以及沈陽盛騰、芯鑫和等11個公司員工持股平臺，與股東姜謙屬于一致行動人，合計持有公司15.19%的股份。公司于2020年分別在北京、上海、海寧成立了三家子公司。其中，拓荊鍵科（海寧）主要從事高端半導體新興工藝設備研發(fā)與生產(chǎn)制造，拓荊北京、拓荊上海尚未開展經(jīng)營。1.2產(chǎn)品市場地位領先，PECVD貢獻主要業(yè)績公司聚焦薄膜沉積設備，三大系列均已批量供貨國內(nèi)主要集成電路晶圓廠產(chǎn)線。公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三大系列薄膜沉積設備。經(jīng)過十余年的積累沉淀與快速發(fā)展，公司已形成覆蓋二十余種工藝型號的薄膜沉積設備，可以滿足下游集成電路制造客戶產(chǎn)線對于不同材料、不同芯片結構薄膜沉積工序的設備需求。目前，三大系列產(chǎn)品均已批量發(fā)往國內(nèi)主要集成電路晶圓廠產(chǎn)線，廣泛應用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，累計發(fā)貨超150臺，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。公司PECVD設備貢獻主要營收，且毛利率逐年上升。2018-2021年，PECVD設備營收由0.52億元攀升至6.75億元，CAGR達135.52%。PECVD的高增長主要是因為下游需求增加，以及公司不斷創(chuàng)新、積累技術，從而獲得多家客戶驗證、認可。PECVD設備的毛利率由2018年的29.25%逐年上升至2021年的42.64%，主要是隨著技術水平、市場地位的提升，公司議價能力有所提高，加之公司產(chǎn)品也開始進入價格更高的先進制程設備市場。1.3業(yè)績實現(xiàn)高增長，盈利狀況逐年改善經(jīng)營業(yè)績實現(xiàn)高增長，扣非虧損逐年收窄。2018-2021年，公司營收CAGR高達120.56%，2021年營收7.58億元，同比增長73.99%，實現(xiàn)高速增長。主要原因有：1）外部大環(huán)境良好：全球半導體行業(yè)處于需求增長的上行周期，下游晶圓廠的需求增加，對半導體專用設備的需求也隨之上升；2）國際設備廠商的壟斷被逐漸打破：國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)逐步成熟，晶圓制造廠商出于供應鏈安全與成本控制的考慮，開始選擇國產(chǎn)半導體設備；3）公司前期的積累逐步進入收獲期：憑借自身技術優(yōu)勢和創(chuàng)新能力，公司的薄膜沉積設備在前期通過了多家客戶的驗證。2018-2021年，由于公司研發(fā)費用金額較高且占營業(yè)收入的比例較大，因此扣除非經(jīng)常性損益后尚未實現(xiàn)盈利。2018-2021年，公司研發(fā)費用率分別為152.84%、29.58%、28.18%、38.04%，維持高位。與此同時，隨著持續(xù)不斷地投入技術研發(fā)，公司產(chǎn)品日益成熟，客戶認可度逐年提高，公司的虧損呈現(xiàn)收窄趨勢，盈利能力逐步改善。2.半導體行業(yè)景氣度高，國產(chǎn)半導體設備市場廣闊2.1集成電路占半導體八成份額，設備為產(chǎn)業(yè)鏈的關鍵要素集成電路占半導體產(chǎn)品80%以上份額，是絕大部分電子設備的核心組成部分。半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。按產(chǎn)品來劃分，半導體產(chǎn)品可分為集成電路、分立器件、光電器件和傳感器，其中集成電路占80%以上的份額，是絕大多數(shù)電子設備的核心組成部分，也是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的基礎，下游應用最為廣泛。按照主要生產(chǎn)過程劃分，半導體產(chǎn)業(yè)鏈整體可分為上游半導體支撐產(chǎn)業(yè)、中游晶圓制造產(chǎn)業(yè)、下游半導體應用產(chǎn)業(yè)。上游半導體材料、設備產(chǎn)業(yè)為中游晶圓制造產(chǎn)業(yè)提供必要的原材料與生產(chǎn)設備。半導體產(chǎn)品下游應用廣泛，涉及通訊技術、消費電子、工業(yè)電子、汽車電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療、新能源、大數(shù)據(jù)等多個領域。全球半導體行業(yè)市場廣闊，市場規(guī)模整體呈現(xiàn)不斷增長趨勢。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)顯示，全球半導體行業(yè)銷售收入自2016起增長較快，2016-2018年CAGR為17.61%。2019年受全球宏觀經(jīng)濟低迷影響，半導體行業(yè)景氣度有所下降。2020年全球半導體收入恢復增長至4,404億美元。2021年全球半導體收入首次突破5,000億美元，實現(xiàn)同比26.23%的強勁增長。WSTS預計，2022年全球半導體市場規(guī)模將延續(xù)增長態(tài)勢，市場規(guī)模將再成長8.8％達6,014.90億美元。近十年中國集成電路行業(yè)消費額高速穩(wěn)步增長，中國大陸已占據(jù)全球35%的半導體消費市場。SIA2020年數(shù)據(jù)顯示，亞太地區(qū)是全球最大的半導體消費市場，2019年銷售額占比62.50%，其中中國大陸市場占據(jù)全球35.00%市場份額；美國為全球半導體消費第二大市場，占比約為19.10%；歐洲及日本市場份額分別為9.70%和8.70%。據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2011-2021年，中國半導體行業(yè)銷售額持續(xù)增長，十年復合增長率達18.39%。2021年中國集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)銷售額10,458億元，同比增長18.2%。半導體設備泛指用于生產(chǎn)各類半導體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設備，屬于半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié)。以半導體產(chǎn)業(yè)鏈中技術難度最高、附加值最大、工藝最為復雜的集成電路為例，應用于集成電路領域的設備通?？煞譃榍暗拦に囋O備（晶圓制造）和后道工藝設備（封裝測試）兩大類。其中，在前道晶圓制造中，共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、清洗與拋光、金屬化，所對應的專用設備主要包括氧化/擴散設備、光刻設備、刻蝕設備、清洗設備、離子注入設備、薄膜沉積設備、機械拋光設備等。其中，光刻設備、刻蝕設備、薄膜沉積設備為前道工藝中的三大核心設備。集成電路制造設備的投資中各工藝環(huán)節(jié)占比穩(wěn)定，薄膜沉積設備約占20%。集成電路制造中，70%-80%的資本開支用于設備投資，而設備投資中的78%-80%在晶圓制造環(huán)節(jié)的設備中。根據(jù)ASMI數(shù)據(jù)，2015-2021年，集成電路制造設備投資中各工藝環(huán)節(jié)占比穩(wěn)定，刻蝕&清洗、光刻、薄膜沉積分別約占集成電路制造設備投資的25%、20%、20%。2.2薄膜沉積為核心工藝環(huán)節(jié)，元器件復雜化提升設備需求芯片是微型結構體，其內(nèi)部結構是3D立體式形態(tài)，襯底之上的微米或納米級薄膜構成了制作電路的功能材料層。為了形成多層的半導體結構，需要先制造器件疊層，即在晶圓表面交替堆疊多層金屬（導電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復刻蝕工藝去除多余部分并形成三維結構。作為芯片結構的功能材料層，在芯片完成制造、封測等工序后，薄膜會留存在芯片中，因此薄膜的技術參數(shù)將直接影響芯片性能。芯片內(nèi)部的薄膜厚度為微米到納米級，無法通過普通機械加工方法制造，而需要采用薄膜沉積技術。薄膜沉積技術是以各類適當?shù)幕瘜W反應源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅(qū)動下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應基團等在襯底表面進行吸附，并在適當?shù)奈恢冒l(fā)生化學反應或聚結，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導體材料薄膜。薄膜沉積設備主要負責各個步驟當中的介質(zhì)層與金屬層的沉積，包括CVD（化學氣相沉積）設備、PVD（物理氣相沉積）設備/電鍍設備和ALD（原子層沉積）設備。CVD是一種通過氣體混合的化學反應在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。其原理是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應器內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學反應形成固態(tài)沉積物。常用CVD設備包括PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD等，適用于不同工藝節(jié)點對膜質(zhì)量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。其中，由于等離子體的作用，化學反應溫度明顯降低，薄膜純度得到提高，致密度得以加強，不傷害芯片已完成的電路，PECVD在從亞微米發(fā)展到90nm的IC制造技術過程中，扮演了重要的角色。由于SACVD反應腔環(huán)境具有特有的高溫（400-550℃）、高壓（30-600Torr）環(huán)境，具有快速填空（Gapfill）能力，因此SACVD主要應用于溝槽填充工藝。PVD是用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術。在真空條件下，采用物理方法，將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。PVD主要方法包括真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜，不僅可沉積金屬膜、合金膜，還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。PVD具有成膜速率高、鍍膜厚度及均勻性可控、薄膜致密性好、粘結力強及純凈度高等優(yōu)點。ALD可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面的方法。從原理上說，ALD是通過化學反應得到生成物，但在沉積反應原理、沉積反應條件的要求和沉積層的質(zhì)量上都與傳統(tǒng)的CVD不同。相對于傳統(tǒng)的沉積工藝而言，ALD工藝具有自限制生長的特點，可精確控制薄膜的厚度，制備的薄膜具有均勻的厚度和優(yōu)異的一致性，臺階覆蓋率高，特別適合深槽結構中的薄膜生長，因此ALD設備在28nm以下關鍵尺寸縮小的雙曝光工藝方面取得了越來越廣泛的應用。集成電路尺寸及線寬的縮小、產(chǎn)品結構的立體化及生產(chǎn)工藝的復雜化等因素都對半導體設備行業(yè)提出了更高的要求和更多的需求，并為以薄膜沉積設備為代表的核心裝備的發(fā)展提供了廣闊的市場空間。多重曝光工藝需要重復多次薄膜沉積，從而實現(xiàn)更小的線寬。在摩爾定律的推動下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，影響集成電路制造工序愈為復雜。尤其當線寬向7nm及以下制程發(fā)展，當前市場普遍使用的光刻機受波長的限制精度無法滿足要求，需要采用多重曝光工藝，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積次數(shù)顯著增加。半導體產(chǎn)品結構的立體化大幅增加了薄膜沉積工序。在FLASH存儲芯片領域，主流制造工藝已由2DNAND發(fā)展為3DNAND結構。而在3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬，而是增大三維立體堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從32/64層量產(chǎn)向128/196層發(fā)展，每層均需要經(jīng)過薄膜沉積工藝步驟。根據(jù)東京電子披露，薄膜沉積設備占FLASH芯片產(chǎn)線的資本開支比例從2D時代的18%增長至3D時代的26%。隨著3DNANDFLASH芯片的內(nèi)部層數(shù)不斷增高，對于薄膜沉積設備的需求提升的趨勢也將延續(xù)。從上游晶圓廠的角度來看，先進產(chǎn)線對薄膜沉積設備的需求量陡增。隨著產(chǎn)線的逐漸升級，晶圓制造的復雜度和工序量都大大提升，在實現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況下，晶圓廠對薄膜沉積設備的需求量和性能也將相應增加。以中芯國際的不同制程邏輯芯片產(chǎn)線為例，從180nm8寸晶圓產(chǎn)線到90nm12寸晶圓產(chǎn)線，產(chǎn)線對CVD設備的需求量從月產(chǎn)能每萬片9.9臺增至42臺，PVD設備的需求量從月產(chǎn)能每萬片4.8臺增至24臺，需求量提升了4-5倍。2.3產(chǎn)能轉移疊加國產(chǎn)化，國內(nèi)薄膜沉積設備市場大有可為2.3.1半導體設備空間廣闊，中國大陸已成全球最大市場自2019年起全球半導體設備市場迎來高速增長，中國大陸連續(xù)兩年成為全球第一大半導體設備市場。據(jù)SEMI統(tǒng)計，2019年全球半導體設備銷售規(guī)模為598億美元，2021年首次突破1000億美元，達到1026億美元，年均復合增長率達30.99%。2019-2021年，中國大陸地區(qū)半導體設備銷售額由135億美元增長至296億美元，年均復合增長率達48.40%，高于全球增速。2021年，中國大陸地區(qū)半導體設備銷售額較2020年大幅增長58.23%，大陸地區(qū)連續(xù)兩年成為全球第一大半導體設備市場，占全球半導體設備市場的28.86%。全球半導體薄膜沉積設備市場規(guī)模逐年增長，預計2025年達340億美元。根據(jù)MaximizeMarketResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017-2019年全球半導體薄膜沉積設備市場規(guī)模分別為125億美元、145億美元和155億美元，2020年擴大至約172億美元，年復合增長率為11.2%。隨著半導體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導體設備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢，拉動市場對薄膜沉積設備需求的增加。MaximizeMarketResearch預計全球半導體薄膜沉積設備市場規(guī)模在2025年將從2020年的172億美元擴大至340億美元，保持年復合14.6%的增長速度。PECVD占整體薄膜沉積設備市場的33%，為占比最高的設備類型。薄膜沉積工藝的不斷發(fā)展，形成了較為固定的工藝流程，同時也根據(jù)不同的應用演化出了PECVD、濺射PVD、ALD、LPCVD等不同的設備用于晶圓制造的不同工藝。其中，PECVD是薄膜設備中占比最高的設備類型，占整體薄膜沉積設備市場的33%；ALD設備目前占據(jù)薄膜沉積設備市場的11%；SACVD是新興的設備類型，屬于其他薄膜沉積設備類目下的產(chǎn)品，占比較小。預計2025年中國大陸PECVD設備、ALD設備市場規(guī)模分別達37.03、12.34億美元。根據(jù)MaximizeMarketResearch預測，2025年全球半導體薄膜沉積設備市場規(guī)模將達340億美元；假設到2025年，中國大陸半導體設備市場占全球市場的比例逐步提升至33%，則可測算出中國大陸薄膜沉積設備市場規(guī)模（全球薄膜沉積市場規(guī)?！林袊箨懓雽w市場占全球市場的比例）；假設2022-2025年，PECVD設備、ALD設備占整體薄膜沉積設備市場的比例分別保持33%、11%不變，則可測算中國大陸PECVD、ALD設備市場規(guī)模（中國大陸薄膜沉積設備市場規(guī)?！罰ECVD或ALD設備占薄膜沉積設備市場的比例）分別為37.03、12.34億美元。2.3.2薄膜沉積設備被高度壟斷，產(chǎn)能轉移或拉動國產(chǎn)替代薄膜沉積設備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭局面，行業(yè)基本由應用材料（AMAT）、先晶半導體（ASMI）、泛林半導體（Lam）、東京電子（TEL）等國際巨頭壟斷。2019年，ALD設備龍頭東京電子（TEL）和先晶半導體（ASMI）分別占據(jù)了31%和29%的市場份額，剩下40%的份額由其他廠商占據(jù)；在CVD市場中，應用材料（AMAT）全球占比約為30%，連同泛林半導體（Lam）的21%和TEL的19%，三大廠商占據(jù)了全球70%的市場份額；而應用材料（AMAT）則基本壟斷了PVD市場，占85%的比重，處于絕對龍頭地位。中國半導體設備整體仍嚴重依賴進口，集成電路設備自給率僅有5%左右，進口替代空間巨大。根據(jù)中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2020年國產(chǎn)半導體設備銷售額約為213億元，自給率約為16%。如僅考慮集成電路設備，國內(nèi)自給率僅有5%左右，在全球市場僅占1-2%，技術含量最高的集成電路前道設備則自給率更低。半導體設備嚴重依賴進口不僅影響我國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更對我國信息產(chǎn)業(yè)安全造成重大隱患。3.技術與客戶共筑護城河，募投或延續(xù)業(yè)績高增長3.1技術優(yōu)勢：布局先進制程產(chǎn)線，不斷拓寬產(chǎn)品覆蓋面半導體行業(yè)技術更新快要求設備廠商保持技術領先性。以臺積電為例，從1987年的3微米制程到預計2022量產(chǎn)的3納米制程，臺積電平均2年開發(fā)一代新制程。而半導體行業(yè)通常是“一代產(chǎn)品、一代工藝、一代設備”，晶圓制造要超前下游應用開發(fā)新一代工藝，而半導體設備要超前晶圓制造開發(fā)新一代設備。因此，半導體設備供應商必須每隔18-24個月推出更先進的制造工藝。公司自成立以來就高度重視技術研發(fā)，在研發(fā)費用與人才方面均進行了大量投入。1）研發(fā)：2018-2021年，公司研發(fā)費用率一直維持高位，2021年研發(fā)費用為2.88億元，較2020年同比大幅增長134.81%。2）人才：公司創(chuàng)始團隊以歸國海外專家為核心，憑借國際化、專業(yè)化的高級管理團隊，以及全員持股的激勵制度，公司吸引了大量具有豐富經(jīng)驗的國內(nèi)外半導體設備行業(yè)專家。從公司員工結構來看，截至2021年Q3，公司共有189名技術研發(fā)人員，占公司員工總數(shù)的44.06%。經(jīng)過十余年的大力投入與快速發(fā)展，公司已形成研發(fā)技術及研發(fā)平臺優(yōu)勢。截至2022年3月8日，公司累計已獲授權的專利174項（境內(nèi)153項，其他國家或地區(qū)21項），其中發(fā)明專利共計98項（境內(nèi)77項，其他國家或地區(qū)21項）。此外，公司還先后承擔了“90-65nm等離子體增強化學氣相沉積設備研發(fā)與應用”和“1xnm3DNANDPECVD研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”等4項國家重大科技專項/課題，已研發(fā)了支持不同工藝型號的PECVD、ALD和SACVD設備，在半導體薄膜沉積設備領域積累了多項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的核心技術，構建了具有設備種類、工藝型號外延開發(fā)能力的研發(fā)平臺。依托公司積累的技術優(yōu)勢，公司已形成覆蓋二十余種工藝型號的薄膜沉積設備，可以滿足下游集成電路制造客戶產(chǎn)線對于不同材料、不同芯片結構薄膜沉積工序的設備需求。具體而言，公司的產(chǎn)品已適配國內(nèi)最先進的28/14nm邏輯芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128層3DNANDFLASH晶圓制造產(chǎn)線。其中，PECVD設備已全面覆蓋邏輯電路、DRAM存儲、FLASH閃存集成電路制造各技術節(jié)點產(chǎn)線多種通用介質(zhì)材料薄膜沉積工序，并研發(fā)了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先進介質(zhì)材料工藝，拓寬了公司PECVD產(chǎn)品在晶圓制造產(chǎn)線薄膜沉積工序的應用。同時，公司產(chǎn)品也已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。3.2客戶優(yōu)勢：前期積累進入收獲期，未來有望受益于擴產(chǎn)薄膜沉積設備設計制造技術難度大，產(chǎn)業(yè)化驗證周期長。由于薄膜是芯片結構的功能材料層，在芯片完成制造、封測等工序后會留存在芯片中，薄膜的技術參數(shù)直接影響芯片性能。生產(chǎn)中不僅需要在成膜后檢測薄膜厚度、均勻性、光學系數(shù)、機械應力及顆粒度等性能指標，還需要在完成晶圓生產(chǎn)流程及芯片封裝后，對最終芯片產(chǎn)品進行可靠性和生命周期測試，以衡量薄膜沉積設備是否最終滿足技術標準。因此，晶圓廠對薄膜沉積設備所需要的驗證時間較長。公司具備優(yōu)越的客戶資源基礎，且在國內(nèi)領先的行業(yè)地位有助于進一步拓展客戶。在集成電路PECVD、SACVD設備方面，公司都是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應用的廠商，ALD設備方面，公司也居于國內(nèi)領先地位。1）國內(nèi)市場：公司產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線，打破了國際廠商對國內(nèi)市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。根據(jù)公司公告，2019-2020年公司PECVD設備中標數(shù)量占長江存儲、上海華力、無錫華虹和上海積塔四家招標總量的17%，SACVD設備約占25%。2）國際市場：依據(jù)公司公告，公司已與某國際領先晶圓廠建立業(yè)務聯(lián)系，發(fā)貨兩臺設備至客戶先進制程研發(fā)產(chǎn)線，為打開國際市場奠定了基礎。區(qū)位優(yōu)勢有利于公司快速響應本土客戶需求。目前，公司的主要競爭對手均位于美國和日本，服務中國大陸客戶的成本較高。公司的研發(fā)和生產(chǎn)主要位于中國大陸，具備針對客戶提出的特定工藝材料、特定制造工序薄膜性能的快速響應能力，可以及時滿足客戶產(chǎn)線的定制化設備需求。這對于中國本土客戶近年來能夠快速擴充產(chǎn)能極其重要，便于公司建立和鞏固與客戶穩(wěn)定的合作關系。此外，公司在北京、上海、武漢、合肥、天津、中國臺灣等20多個地區(qū)的近40條生產(chǎn)線都設有技術服務中心，可為客戶提供每周7天，每天24小時的技術服務。3.3募投項目：擴充PECVD與ALD產(chǎn)品線，有望延續(xù)業(yè)績高增長公司IPO計劃募資10.00億元（實際募資22.73億元），用于擴大現(xiàn)有基地產(chǎn)能、新建研發(fā)生產(chǎn)基地。1）高端半導體設備擴產(chǎn)項目：該項目計劃在公司現(xiàn)有的半導體薄膜設備研發(fā)和生產(chǎn)基地基礎上進行二期潔凈廠房建設、配套設施及生產(chǎn)自動化管理系統(tǒng)建設。該項目建成后將擴充公司產(chǎn)能，解決隨業(yè)務擴大帶來的場地不足問題；2）先進半導體設備的技術研發(fā)與改進項目：該項目主要面向28nm-10nm制程PECVD設備的多種工藝型號開發(fā)、面向10nm以下制程PECVD設備的平臺架構研發(fā)及UVCure系統(tǒng)設備研發(fā)。PECVD是化學氣相沉積中應用最為廣泛的技術，也是公司目前營收來源最主要的產(chǎn)品，該項目配合高端半導體設備擴產(chǎn)項目有利于公司抓住國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的市場機遇、提高市占率；3）ALD設備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目：該項目擬通過開展系列技術研發(fā)，基于公司現(xiàn)有ALD設備技術基礎，開發(fā)面向28nm-10nm制程的ALD設備平臺架構，發(fā)展多種工藝機型，同步開發(fā)不同腔室數(shù)量的機臺型號，滿足邏輯芯片、存儲芯片制造不同的工藝需求，并進行規(guī)?；慨a(chǎn)。目前ALD設備占公司營收比例較小，而ALD設備是先進制程晶圓制造的關鍵設備，因此該項目響應了當前環(huán)境的下游客戶發(fā)展先進制程產(chǎn)線的市場需求，有助于為公司貢獻業(yè)績增長點。4.盈利預測4.1盈利預測根據(jù)我們對公司各項業(yè)務的拆分，匯總得到公司財務預測數(shù)據(jù)：預計公司2022-2024年營業(yè)收入分別為11.68、16.85、23.49億元，同比增長54.06%、44.28%、39.42%；

歸母凈利潤分別為1.24、2.07