PN結(jié)一.PN結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上采用不同的摻雜工藝分別制造P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，由于濃度的不同，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。PN

結(jié)具有單向?qū)щ娦杂捎跐舛炔疃a(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。在電場(chǎng)力的作用下，載流子的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。隨著擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，但有利于少子的漂移，當(dāng)擴(kuò)散的多子和漂移的少子數(shù)目相等時(shí)，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成PN結(jié)?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層?？臻g電荷區(qū)中沒(méi)有載流子。1、PN結(jié)加正向電壓（正向偏置）內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變?。?+++REPN+_外電場(chǎng)使耗盡層變窄，內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，能夠形成較大的擴(kuò)散電流。即為很大的正向電流，P區(qū)→N區(qū)，稱為正向?qū)ǘ?PN結(jié)的單向?qū)щ娦?、PN結(jié)反向偏置P負(fù)N正，截止內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變厚外電場(chǎng)使耗盡層變寬，內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，形成漂移電流，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。N區(qū)→P區(qū)－－－－++++NP+_RE反向飽和電流3、PN結(jié)的反向擊穿PN結(jié)處于反向偏置時(shí)，反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象稱反向擊穿。齊納擊穿：外加反向電壓很大，形成很強(qiáng)的電場(chǎng)，直接破壞共價(jià)鍵，把電子拉出來(lái)，產(chǎn)生電子空穴對(duì)，使反向電流急劇增加。雪崩擊穿：反向電壓逐漸增加，電場(chǎng)加強(qiáng)，少子受到加速，高速運(yùn)動(dòng)可能將價(jià)電子碰撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生電子空穴對(duì)，產(chǎn)生的電子繼續(xù)碰撞，像雪崩一樣。齊納擊穿：6V以下，可恢復(fù)雪崩擊穿：6V以下，不可恢復(fù)，短路報(bào)廢三、PN結(jié)的伏安特性UI正向特性（u>0）反向特性（u<0）反向擊穿部分四、PN結(jié)的電容效應(yīng)（了解）在一定條件下，PN結(jié)具有電容效應(yīng)：勢(shì)壘電容，擴(kuò)散電容半導(dǎo)體二極管的認(rèn)識(shí)學(xué)習(xí)任務(wù)1、認(rèn)識(shí)二極管2、了解二極管的特性3、掌握二極管的應(yīng)用電路一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型1、結(jié)構(gòu)及符號(hào)PN結(jié)加上引線之后，進(jìn)行封裝，P區(qū)為正極，N區(qū)為負(fù)極點(diǎn)接觸型：高頻、小功率整流面接觸型：整流平面型：大功率整流、開(kāi)關(guān)符號(hào)2、類型①按材料分：硅二極管，鍺二極管，砷化鎵二極管等②按結(jié)構(gòu)分：點(diǎn)接觸型、面接觸型等③按封裝分：塑料、玻璃、金屬④按用途分：開(kāi)關(guān)、整流、穩(wěn)壓、發(fā)光、光電、變?nèi)莸娶莅垂β史郑捍蠊β?、小功率?、命名方法一般分為5個(gè)部分2AP2D數(shù)字表示電極數(shù)目字母表示材料A：N型鍺材料B：P型鍺材料C：N型硅材料D：P型硅材料字母表示類型或用途P普通管V微波管W穩(wěn)壓管