ICS3312010

L27..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T11313201—2018

.

射頻連接器

第201部分電氣試驗(yàn)方法

:

反射系數(shù)和電壓駐波比

Radio-freuencconnectors—Part201Electricaltestmethods—

qy:

Reflectioncoefficientandvoltagestandingwaveratio

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T11313201—2018

.

前言

射頻連接器的電氣試驗(yàn)方法部分計(jì)劃發(fā)布以下部分

GB/T11313《》:

第部分電氣試驗(yàn)方法反射系數(shù)和電壓駐波比

———201:;

第部分電氣試驗(yàn)方法插入損耗

———202:;

第部分電氣試驗(yàn)方法屏蔽效率

———203:;

第部分電氣試驗(yàn)方法耐射頻高電位電壓

———204:;

……

本部分為的第部分

GB/T11313201。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國電子設(shè)備用高頻電纜及連接器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC190)。

本部分起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國電子科技集團(tuán)公司第四十研究所通鼎互聯(lián)信

:、、

息股份有限公司

。

本部分主要起草人吳正平王鳳喻志安

:、、。

Ⅰ

GB/T11313201—2018

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射頻連接器

第201部分電氣試驗(yàn)方法

:

反射系數(shù)和電壓駐波比

1范圍

的本部分規(guī)定了射頻連接器的反射系數(shù)電壓駐波比和回波損耗的測試方法包括頻

GB/T11313、,

域法時(shí)域法門控時(shí)域法

、、。

本部分適用于接電纜的射頻連接器以下簡稱電纜連接器接微帶射頻連接器以下簡稱微帶連接

()、(

器和射頻連接器轉(zhuǎn)接器以下簡稱轉(zhuǎn)接器等的測試也適用于多通道射頻連接器和混裝連接器中的各

)(),

射頻通道的測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

射頻連接器第部分總規(guī)范一般要求和試驗(yàn)方法

GB/T11313.11:

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T11313.1。

31

.

反射系數(shù)reflectionfactor

在連接器的任一截面上的反射波波矢量的幅值與入射波波矢量的幅值之比用式表示

,(1)。

VZ-Z

Γ=r=L0

VZZ…………(1)

iL+0

式中

:

Γ反射系數(shù)

———;

V入射電壓

i———;

V反射電壓

r———;

Z傳輸線的標(biāo)稱阻抗單位為歐姆

0———,(Ω);

Z傳輸線終端負(fù)載阻抗單位為歐姆

L———,(Ω)。

32

.

電壓駐波比voltagestandingwaveratio

在連接器的任一截面上的最大電壓與最小電壓之比其表達(dá)式及與反射系數(shù)的關(guān)系用式表示

,(2)。

VV+V+Γ

=max=ir=1

VSWRVV-V