ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14028—2018

代替

GB/T14028—1992

半導(dǎo)體集成電路

模擬開關(guān)測試方法

Semiconductorintegratedcircuits—

Measuringmethodofanalogueswitch

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T14028—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

總則

4………………………2

測試環(huán)境要求

4.1………………………2

測試注意事項(xiàng)

4.2………………………3

電參數(shù)符號

4.3…………………………3

參數(shù)測試

5…………………4

模擬電壓工作范圍V

5.1(A)……………4

導(dǎo)通電阻R

5.2(on)………………………5

導(dǎo)通電阻路差R

5.3(Δon)………………6

截止態(tài)漏極漏電流I

5.4[D(off)]…………6

截止態(tài)源極漏電流I

5.5[S(off)]…………7

導(dǎo)通態(tài)漏電流I

5.6[DS(on)]………………8

開啟時(shí)間t

5.7(on)………………………9

關(guān)斷時(shí)間t

5.8(off)………………………11

通道轉(zhuǎn)換時(shí)間t

5.9(T)…………………12

最高控制頻率f

5.10(CM)………………13

截止態(tài)隔離度K

5.11(OIRR)……………14

截止態(tài)饋通頻率f

5.12(F)……………15

導(dǎo)通態(tài)串?dāng)_衰減α

5.13[x(on)]…………16

輸入串?dāng)_衰減α

5.14[x(IN)]……………17

控制信號串?dāng)_V

5.15(CA)………………18

導(dǎo)通電阻路差率R

5.16(ON_Match)………………………18

導(dǎo)通電阻溫度漂移率R

5.17(ON_Drift)…………………19

通道轉(zhuǎn)換無效輸出時(shí)間t

5.18(open)……………………19

電荷注入量Q

5.19(INJ)………………21

GB/T14028—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)測試方法的基本原理與

GB/T14028—1992《》,GB/T14028—

相比主要技術(shù)變化如下

1992:

增加了導(dǎo)通電阻路差率導(dǎo)通電阻溫度漂移率通道轉(zhuǎn)換無效輸出時(shí)間電荷注入量項(xiàng)測試

———、、、4

方法見

(5.16、5.17、5.18、5.19);

修改了第章中對測試規(guī)定的說明

———4;

修改了全文圖表的表述形式

———、;

修改了通道轉(zhuǎn)換時(shí)間測試方法中轉(zhuǎn)換對象i為j

———“”“+1”“”;

增加了對截止態(tài)漏極漏電流測試方法中未定義的多路模擬開關(guān)測試說明

———“”;

修改了通道轉(zhuǎn)換時(shí)間測試方法測試方法中存在圖文歧義的含義

———“”10%。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所圣邦微電子北京股份有限

:、()

公司西北工業(yè)大學(xué)

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張冰李雷陳志培閆輝朱華黃德東

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T14028—2018

半導(dǎo)體集成電路

模擬開關(guān)測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了雙極結(jié)型場效應(yīng)半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)以下稱為器件參數(shù)測試方法

、MOS、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)也適用于多路轉(zhuǎn)換器參數(shù)的測試

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分模擬集成電路

GB/T17940—20003:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

模擬電壓工作范圍analogswitchrange

在導(dǎo)通電流為額定值時(shí)模擬開關(guān)傳送的電壓范圍

。

32

.

導(dǎo)通電阻onresistance

模擬開關(guān)導(dǎo)通時(shí)開關(guān)兩端間的電阻

,。

33

.

導(dǎo)通電阻路差onresistancematchbetweenchannels

對于含多個(gè)模擬開關(guān)的器件或模擬多路轉(zhuǎn)換器各路開關(guān)導(dǎo)通電阻間的最大差值

,