UDG.621.382L55中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)CB/T14862-93半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測(cè)試方法Junction-to-casethermalresistancetestmethodsofpackagesforsemiconductorintegratedcircuits1993-12-30發(fā)布1994-10-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號(hào)中華人民共和因國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測(cè)試方法GB/T14862-93中國(guó)標(biāo)淮出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門(mén)外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045電話(huà)：63787337、637874471994年7月第一版204年12月電子版制作書(shū)號(hào)：155066·1-10797版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究舉報(bào)電話(huà)：（010)68533533

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼GB/T14862-93熱阻測(cè)試方法Junction-to-casethermalresistancetestmethodsofpackagesForsemiconductorintegratedcircuits1主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路陶瓷、金屬、塑料封裝結(jié)到外殼熱阻的測(cè)量22引用標(biāo)準(zhǔn)GB/T14113半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語(yǔ)GJB548微電子器件試驗(yàn)方法和程序3術(shù)語(yǔ)、符號(hào)、代號(hào)3.1術(shù)語(yǔ)3.1.1熱測(cè)試芯片F(xiàn)thermaltestchip為表征集成電路封裝的熱特性而設(shè)計(jì)的芯片。3.1.2被測(cè)器件deviceundertest裝裝有熱測(cè)試芯片供測(cè)址封裝熱阻的微電子器件。3.1.3結(jié)溫T，junctiontemperatureT，表示微電路中主要熱量產(chǎn)生部分的半導(dǎo)體結(jié)的溫度3.1.4加熱功率PaheatingpowerPu施加在器件上以產(chǎn)生結(jié)到參考點(diǎn)溫度差的功率。3.1.5溫敏參數(shù)TSPtemperature-sensitiveparameterTSP與被測(cè)結(jié)溫相關(guān)且可對(duì)溫度進(jìn)行校準(zhǔn)以檢測(cè)所需結(jié)溫的電特性。3.2符號(hào)、代號(hào)3.2.1Rr:結(jié)到參考點(diǎn)熱阻3.2.2Ruc結(jié)到外殼熱阻3.2.3Rom:結(jié)到安裝表面熱阻3.2.4TR:參考點(diǎn)溫度3.2.5Twc:校準(zhǔn)溫度3.2.6Vwm:熱敏參數(shù)值該參數(shù)在測(cè)試電流（Iu)和相應(yīng)的加熱功率（Pa)所產(chǎn)生的結(jié)溫下測(cè)量3.2.7Vc:溫敏參數(shù)值該參數(shù)在測(cè)