標準解讀

《GB/T 14862-1993 半導體集成電路封裝結到外殼熱阻測試方法》作為一項國家標準，規(guī)定了半導體集成電路封裝中從結點到外殼的熱阻測量方法。然而，您提供的對比標準信息不完整，我無法直接指出與某個特定標準相比的具體變更內容。如果您能提供另一個相關標準的詳細信息或名稱，我將能夠進一步分析并闡述兩者之間的差異和更新點。

不過，一般來說，當比較不同版本或相關標準時，變更可能涉及以下幾個方面：

  1. 測試方法的改進：新標準可能會引入更精確、更高效的測試技術或程序，以提高測量結果的準確性和可重復性。
  2. 參數定義的調整：為了適應技術進步或行業(yè)需求，新標準可能會對關鍵術語、測試條件、計算公式中的參數進行重新定義或細化。
  3. 適用范圍的擴展或限制：標準可能會根據技術發(fā)展或市場變化調整其適用的集成電路類型或封裝形式。
  4. 環(huán)境因素的考慮：隨著對環(huán)境影響重視程度的增加，新標準可能會加入更多關于測試環(huán)境控制、能耗或材料可持續(xù)性的要求。
  5. 標準化引用的更新：為了保持與其他國際或國內標準的一致性，新標準會引用最新的參考文獻和技術規(guī)范。


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  • 現行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1993-12-30 頒布
  • 1994-10-01 實施
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文檔簡介

UDG.621.382L55中華人民共和國國家標準CB/T14862-93半導體集成電路封裝結到外殼熱阻測試方法Junction-to-casethermalresistancetestmethodsofpackagesforsemiconductorintegratedcircuits1993-12-30發(fā)布1994-10-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號中華人民共和因國家標準半導體集成電路封裝結到外殼熱阻測試方法GB/T14862-93中國標淮出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471994年7月第一版204年12月電子版制作書號：155066·1-10797版權專有侵權必究舉報電話：（010)68533533

中華人民共和國國家標準半導體集成電路封裝結到外殼GB/T14862-93熱阻測試方法Junction-to-casethermalresistancetestmethodsofpackagesForsemiconductorintegratedcircuits1主題內容與適用范圍本標準規(guī)定了半導體集成電路封裝結到外殼熱阻的測試方法。本標準適用于半導體集成電路陶瓷、金屬、塑料封裝結到外殼熱阻的測量22引用標準GB/T14113半導體集成電路封裝術語GJB548微電子器件試驗方法和程序3術語、符號、代號3.1術語3.1.1熱測試芯片Fthermaltestchip為表征集成電路封裝的熱特性而設計的芯片。3.1.2被測器件deviceundertest裝裝有熱測試芯片供測址封裝熱阻的微電子器件。3.1.3結溫T，junctiontemperatureT，表示微電路中主要熱量產生部分的半導體結的溫度3.1.4加熱功率PaheatingpowerPu施加在器件上以產生結到參考點溫度差的功率。3.1.5溫敏參數TSPtemperature-sensitiveparameterTSP與被測結溫相關且可對溫度進行校準以檢測所需結溫的電特性。3.2符號、代號3.2.1Rr:結到參考點熱阻3.2.2Ruc結到外殼熱阻3.2.3Rom:結到安裝表面熱阻3.2.4TR:參考點溫度3.2.5Twc:校準溫度3.2.6Vwm:熱敏參數值該參數在測試電流（Iu)和相應的加熱功率（Pa)所產生的結溫下測量3.2.7Vc:溫敏參數值該參數在測

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