標準解讀

GB/T 15877-1995 是一項中國國家標準，全稱為《蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范》。此標準主要規(guī)定了蝕刻工藝制成的雙列封裝（DIP, Dual In-line Package）引線框架的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求，旨在確保此類封裝材料的質量與可靠性，適用于半導體器件的封裝制造過程。

標準內容概覽：

  1. 范圍：明確了標準適用的產品類型，即通過蝕刻技術加工而成，用于承載集成電路芯片并實現(xiàn)外部電氣連接的雙列封裝引線框架。

  2. 引用標準：列出了實施該標準時需要參考的其他相關國家標準或行業(yè)標準，這些標準通常涉及基礎材料性能、測試方法等。

  3. 術語和定義：對標準中使用的一些專業(yè)術語進行了界定，幫助讀者準確理解標準內容。

  4. 分類與標記：規(guī)定了引線框架的分類方法及產品標記規(guī)則，便于生產、檢驗及使用過程中對產品的識別與區(qū)分。

  5. 技術要求：

    • 材料：規(guī)定了制作引線框架所用材料的種類及其性能要求，如金屬材料的純度、機械強度等。
    • 尺寸和外形：詳細描述了引線框架的尺寸公差、引腳排列和間距、外形尺寸等指標。
    • 表面質量：包括表面光潔度、無缺陷要求等，以確保良好的焊接性和可靠性。
    • 電鍍層：針對有電鍍要求的部分，規(guī)定了鍍層材質、厚度及均勻性等要求。

  6. 試驗方法：介紹了如何進行尺寸測量、材料性能測試、表面質量檢查及電鍍層檢測的具體操作步驟和評判標準。

  7. 檢驗規(guī)則：包括出廠檢驗、型式檢驗的項目、抽樣方案及合格判定準則，確保產品符合標準要求。

  8. 標志、包裝、運輸和儲存：規(guī)定了產品包裝上應包含的信息、包裝方式、在運輸和儲存過程中的環(huán)境條件要求，以防止損傷或變質。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替
  • 1995-12-22 頒布
  • 1996-08-01 實施
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GB/T 15877-1995蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范_第1頁
GB/T 15877-1995蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范_第2頁
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GB/T 15877-1995蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范-免費下載試讀頁

文檔簡介

TC3..31.200L55中華人民共和國國家標準GB/T15877－1995蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范SpecificationofDIPducedlbyetchingT1995-12-22發(fā)布1996-08-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范GB/T15877-1995SpecificationofDIPleadframesproducedbyetching主題內容與適用范圍主題內容本規(guī)范規(guī)定了半導體集成電路蝕刻型雙列封裝引線框架(以下簡稱引線框架)的技術要求及檢驗規(guī)1.2！適用范圍本規(guī)范適用于半導體集成電路塑料雙列封裝引線框架，其他封裝形式引線框架也可參照使用。2引用標準GB7092-93半導體集成電路外形尺寸GB/T14112—93半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范GB/T14113-93半導體集成電路封裝術語SJ/Z9007-87計數(shù)檢套抽樣方案和程序術語、符號、代號本規(guī)范所用術語、符號和代號應按GB/T14113的規(guī)定技術要求4.1設計引線框架的外形尺寸應符合GB7092的有關規(guī)定，并符合引線框架設計的要求。4.1.1引線鍵合區(qū)的最小面積引線鍵合區(qū)應保證其寬度不小于0.2mm，長度不小于0.635mm，由于蝕刻工藝中的鉆蝕是難以避免的，并將產生端頭倒圓現(xiàn)象，因此在長度計量時應從距端部0.25mm處起進行計算，4.1.2金屬間的間隔引線框架各內引線之間，內引線與芯片粘接區(qū)之間的距離不小于0.15mm.4.2引線框架形狀和位置公差4.2.1引線框架的側彎應小于標稱條長的0.5%.4.2.2引線框架的卷曲應小于標稱條長的0.3%4.2.3引線框架的橫彎引線框架的最大橫彎尺寸應符

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