標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 16864-1997 低溫下晶體透射率的試驗(yàn)方法》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了在低溫環(huán)境下測(cè)量晶體材料透射率的具體操作步驟、設(shè)備要求、樣品制備以及數(shù)據(jù)處理方法。然而，您提供的對(duì)比信息不完整，沒(méi)有明確指出與哪個(gè)具體的標(biāo)準(zhǔn)或版本進(jìn)行比較。因此，我無(wú)法直接列出與某個(gè)特定前版或后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)之間的具體變更點(diǎn)。

若要一般性地討論此類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)可能的更新方向，通常涉及以下幾個(gè)方面：

  1. 試驗(yàn)條件的細(xì)化或調(diào)整：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)測(cè)試溫度范圍、溫度控制精度、樣品環(huán)境（如真空度）等方面提出更嚴(yán)格或更明確的要求。
  2. 測(cè)量技術(shù)與設(shè)備的進(jìn)步：隨著科技發(fā)展，新的測(cè)量技術(shù)和設(shè)備會(huì)被引入，舊標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于儀器的描述可能被更新為采用更精確、更高效的儀器。
  3. 數(shù)據(jù)處理方法的優(yōu)化：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)采用更先進(jìn)的數(shù)據(jù)分析技術(shù)，提供更準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)處理流程和公式，以減少誤差并提高測(cè)試結(jié)果的可比性和重復(fù)性。
  4. 樣品準(zhǔn)備指導(dǎo)的完善：為了確保測(cè)試結(jié)果的一致性和可靠性，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)加強(qiáng)對(duì)樣品尺寸、形狀、表面處理等方面的指導(dǎo)。
  5. 術(shù)語(yǔ)與定義的統(tǒng)一：隨著科學(xué)認(rèn)知的發(fā)展，相關(guān)術(shù)語(yǔ)的定義可能會(huì)得到更新或標(biāo)準(zhǔn)化，以保持與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的一致性。
  6. 安全與環(huán)保要求的增強(qiáng)：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)增加關(guān)于實(shí)驗(yàn)操作安全及環(huán)境保護(hù)的規(guī)定，確保實(shí)驗(yàn)過(guò)程符合最新的法規(guī)要求。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1997-06-16 頒布
  • 1997-12-01 實(shí)施
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ICS.17.180.01N05中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)CB/T16864-1997低溫下晶體透射率的試驗(yàn)方法Methodfortestingcryogenictransmissivityofcrystals1997-06-16發(fā)布1997-12-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

CB/T16864-1997前本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)GB/T1.1標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則，表述了在低溫下測(cè)試品體的透射率的試驗(yàn)方法。本方法的特點(diǎn)是在低溫下采用分光光度計(jì)測(cè)遙過(guò)率的方法，獲得晶體在300～20K溫度范圍、波長(zhǎng)為紫外至近紅外范圍內(nèi)的透射率。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院物理研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)科學(xué)院物理研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：周紫、張道范、楊華光。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)低溫下晶體透射率的試驗(yàn)方法GB/T16864-1997Methodfortestingcryogenictransmissivityofcrystals1范園本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低溫下(300K～20K)，波長(zhǎng)在紫外-近紅外的品體透射率的試驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于品體透射率的測(cè)試。試驗(yàn)方法2.1原理當(dāng)一束單色平面波垂直入射到厚度為的各向同性的晶體平面平行板上時(shí)，光束的能量一部分被反射，一部分被吸收，另一部分透射過(guò)去，在略去晶體對(duì)光散射時(shí)，有式(1)和式(2)關(guān)系：1a=1十1A十IT：·······（1）式中：1。——入射光強(qiáng)度,W/m2；-反射光強(qiáng)度，W/m2一-吸收光強(qiáng)度，W/m2i-透射光強(qiáng)度，W/mn2；R-反射率；-吸收率+T—一透射率。假設(shè)K"<m,d>A條件下，有式(3)關(guān)系;"（3)式中：K--晶體的消光系數(shù)：-真空中光的波長(zhǎng)，nmi晶體樣品的厚度，cmi九-晶體的折射率：Q-晶體的吸收系數(shù)，cm-。通過(guò)透射率的測(cè)量，可以推算出晶體的吸收系數(shù)。當(dāng)R"e-<1時(shí),式(3)簡(jiǎn)化為：T一（1-R)"e"··?！ぁぁぃ?）：0（5）透射率是波長(zhǎng)的函數(shù)，通常測(cè)量透射

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