5s.31.080.30K46中華人民共和國國家標準GB/T17008--1997絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號TerminologyandlettersymbolsForinsulated-gatebipolartransistor1997-10-05發(fā)布1998-08-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17008-1997本標準主要依據(jù)下列國際標準或標準草案而制訂：IEC/TC47（CO)1339絕緣柵雙極型品體管的概念IEC/TC47（Sec）1251地緣柵雙極型品體管的新概念和文字符號IEC/TC47（See)1282絕緣柵雙極型品體管的額定值、特性和測試方法IEC747-8第Ⅱ章場效應品體管的術語和文字符號凡上述標準中被本標準采納的術語和文字符號在技術內容上等效。本標準編寫規(guī)則按等效采用了國際導則的GB/T1.1一1993《標準化工作導則第1單元:標準的起草與表述規(guī)則第1部分：標準編寫的基本規(guī)定》。這樣，通過使我國標準內容和編寫規(guī)則盡可能與國際-：一致或等同,以盡快適應國際貿易、技術和經(jīng)濟交流以及采用國際標準飛躍發(fā)展的需要。本標準由機械工業(yè)部提出。本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口本標準由機械部西安電力電子技術研究所負責起草本標準主要起草人：秦賢滿

中華人民共和國國家標準絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號GB/T17008--1997Terminologyandlettersymbolsforinsulated-gatebipolartransistor1范圍本標準規(guī)定了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT)的類型、結構、額定值和特性的術語及通用文字符號.本標準適用于制訂標準、編訂技術文件、編寫和翻譯專業(yè)手冊、教材及書刊。一般術語2.1源區(qū)sourceregion多數(shù)載流子流入溝道的起始區(qū)域2.2漏區(qū)drainrcgion接收從溝道流出的多數(shù)載流子的區(qū)域。2.3漏注人區(qū)draininjectorregion位于場效應結構的漏區(qū)和漏極間并與漏區(qū)極性相反的半導體界面區(qū)。1當主電流流動時，漏注人區(qū)注入漏區(qū)的附加少數(shù)載流子使漏區(qū)電導增強22在實際器件制作中，IGBT的襯底起溫注人區(qū)的作用。2.4柵區(qū)gatercgion與柵電極連接的，柵極控制電壓產(chǎn)生的電場能起作用的區(qū)域2.5溝道channel在源區(qū)和漏區(qū)之間的半導體薄層·流經(jīng)該海層的電流受柵極電位控制。2.6亞溝道區(qū)subchannelregion源區(qū)和滿區(qū)之間的區(qū)域。住：一般，亞溝道區(qū)由兩個不同摻雜部分組成.即形成溝道的輕接雜部分和流過雙極品體管結構的集電極電流的重穆雜部分。2.7漏極drain附于漏注人區(qū)上的電板、2.8集電極端collectorterminal連接漏極的端。2.9源極source附于源區(qū)和部分亞溝道區(qū)上的電極，該部分亞溝道區(qū)流過雙極品體管結構的集電極電流2.10發(fā)射極端emitter