犐犆犛１３．３１０

犃９２

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１９２６７．１—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１９２６７．１—２００３

刑事技術(shù)微量物證的理化檢驗

第１部分：紅外吸收光譜法

犘犺狔狊犻犮犪犾犪狀犱犮犺犲犿犻犮犪犾犲狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狋狉犪犮犲犲狏犻犱犲狀犮犲犻狀犳狅狉犲狀狊犻犮狊犮犻犲狀犮犲狊—

犘犪狉狋１：犐狀犳狉犪狉犲犱犪犫狊狅狉狆狋犻狅狀狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋狉狔

２００８０８１４發(fā)布２００９０３０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１９２６７．１—２００８

前言

ＧＢ／Ｔ１９２６７《刑事技術(shù)微量物證的理化檢驗》分為１２個部分：

———第１部分：紅外吸收光譜法；

———第２部分：紫外可見吸收光譜法；

———第３部分：分子熒光光譜法；

———第４部分：原子發(fā)射光譜法；

———第５部分：原子吸收光譜法；

———第６部分：掃描電子顯微鏡／Ｘ射線能譜法；

———第７部分：氣相色譜質(zhì)譜法；

———第８部分：顯微分光光度法；

———第９部分：薄層色譜法；

———第１０部分：氣相色譜法；

———第１１部分：高效液相色譜法；

———第１２部分：熱分析法。

本部分為ＧＢ／Ｔ１９２６７的第１部分。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１９２６７．１—２００３《刑事技術(shù)微量物證的理化檢驗第１部分：紅外吸收光譜法》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１９２６７．１—２００３相比主要變化有：

———增加了術(shù)語和定義的內(nèi)容（本部分的３．７、３．８、３．１１、３．１３～３．１９）；

———補充修改了“衰減全反射紅外光譜”的定義（本部分的３．１２，ＧＢ／Ｔ１９２６７．１—２００３的３．９）；

———刪除了“光柵紅外光譜”的定義（ＧＢ／Ｔ１９２６７．１—２００３的３．１０）；

———補充修改“原理”部分（本部分的第４章、ＧＢ／Ｔ１９２６７．１—２００３的第４章）；

———刪除了關(guān)于“光柵紅外分光光度計”的內(nèi)容（ＧＢ／Ｔ１９２６７．１—２００３的５．１．１）；

———補充修改了儀器組成、實驗條件設(shè)定的內(nèi)容（本部分的５．２，ＧＢ／Ｔ１９２６７．１—２００３的５．２）；

———增加了幾種制樣方法（本部分的６．２．１．３、６．２．１．６～６．２．１．８）；

———補充結(jié)果表述的內(nèi)容（本部分的８．４）。

本部分由中華人民共和國公安部提出。

本部分由全國刑事技術(shù)標準化技術(shù)委員會理化檢驗標準化分技術(shù)委員會（ＳＡＣ／ＴＣ１７９／ＳＣ４）

歸口。

本部分起草單位：山東省公安廳物證鑒定中心。

本部分主要起草人：郝愫媛。

本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１９２６７．１—２００３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１９２６７．１—２００８

刑事技術(shù)微量物證的理化檢驗

第１部分：紅外吸收光譜法

１范圍

ＧＢ／Ｔ１９２６７的本部分規(guī)定了紅外吸收光譜的檢驗方法。

本部分適用于刑事技術(shù)領(lǐng)域中微量物證的理化檢驗，其他領(lǐng)域亦可參照使用。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過ＧＢ／Ｔ１９２６７的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文

件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵根據(jù)本部分達成

協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本

部分。

ＧＢ／Ｔ１４６６６分析化學(xué)術(shù)語

３術(shù)語和定義

ＧＢ／Ｔ１４６６６中確立的以及下列術(shù)語和定義適用于本部分。

３．１

反射和吸收光譜狉犲犳犾犲犮狋犻狅狀犪狀犱犪犫狊狅狉狆狋犻狅狀狊狆犲犮狋狉犪

入射光透過樣品層在金屬表面上反射，再經(jīng)過樣品透射出來形成的光譜。

３．２

最大吸收峰犿犪狓犻犿狌犿犪犫狊狅狉狆狋犻狅狀狆犲犪犽

光譜中透過率最低的吸收峰，用其對應(yīng)的波長（λｍａｘ）或波數(shù)表示。

３．３

最小吸收峰犿犻狀犻犿狌犿犪犫狊狅狉狆狋犻狅狀狆犲犪犽

光譜中透過率最高的吸收峰，用其對應(yīng)的波長（λｍｉｎ）或波數(shù)表示。

３．４

波數(shù)狑犪狏犲狀狌犿犫犲狉

每厘米中所含波的數(shù)目，即等于波長的倒數(shù)。單位用ｃｍ－１表示。

３．５

特征頻率區(qū)犮犺犪狉犪犮狋犲狉犻狊狋犻犮犳狉犲狇狌犲狀犮狔狉犲犵犻狅狀

在４０００ｃｍ－１～１２５０ｃｍ－１區(qū)域顯示的光譜。

３．６

指紋區(qū)犳犻狀犵犲狉狆狉犻狀狋狉犲犵犻狅狀

在１２５０ｃｍ－１～４００ｃ