SDRAM:168針RDRAM：184針腳，RDRAM最初得到了英特爾的大力支持，但由于其高昂的價格以及Rambus公司的專利許可限制，一直未能成為市場主流，其地位被相對廉價而性能同樣出色的DDRSDRAM迅速取代，市場份額很小。DDRSDRAM內存：184針，只有一個缺口。有DDR266DDR333、DDR400等一：內存的傳輸類型DDR2：內存是240線的DDR2內存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5VDDR3：240線，電壓：1.7-1.5V。采用：FBGA

的封裝。一：內存圖解1：我們平常所說的內存是指RAM，其主要作用是存放各種輸入.輸出數據和中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息時做緩存用的。由于CPU只能直接處理內存中的數據，所以內存的速度和大小對計算機性能的影響是相當大的。2：SPD是一顆8針的EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）芯片，芯片內記錄了該內存的許多重要信息。3：獨特的TinyBGA封裝，與傳統的TSOP封裝相比，T-BGA封裝有更好的電器性能，可以應付更高的運行頻率。4：PCB印刷電路板是內存顆粒固定和連接外部電路的基板，PCB板的質量會對內存的性能產生直接的影響。5：存儲顆粒是內存的核心元件，決定內存的容量.規(guī)格.性能等重要參數，表面印刷有生產廠家.編號等信息。內存顆粒有多種封裝方式，目前較新的是BGA封裝方式。DDR1采用TSOP封裝類型幾種封裝方式的比較TSOP封裝：80年代后期內存第二代的封裝技術TSOP出現，得到了業(yè)界廣泛的認可，時至今日仍舊是內存封裝的主流技術。TSOP是“ThinSmallOutlinePackage”的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝。適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時TSOP封裝具有成品率高，價格便宜等優(yōu)點，因此得到了極為廣泛的應用。TSOP封裝方式中，內存芯片是通過芯片引腳焊接在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB辦傳熱就相對困難。而且TSOP封裝方式的內存在超過150MHz后，會產品較大的信號干擾和電磁干擾。DIP封裝（DualIn-linePackage），也叫雙列直插式封裝技術，是一種最簡單的封裝方式.指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100。80年代前期。BGA封裝：以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優(yōu)點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距并沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。FBGA：也稱CSP封裝，它是最新一代的內存芯片封裝技術，其技術性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經相當接近1:1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當于TSOP內存芯片面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。什么叫封裝？封裝，就是指把硅片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護芯片及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現內部芯片與外部電路的連接。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。由于封裝技術的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的PCB(印制電路板)的設計和制造，因此它是至關重要的。

衡量一個芯片封裝技術先進與否的重要指標是芯片面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。封裝時主要考慮的因素：

1、芯片面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；

2、引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠，以保證互不干擾，提高性能；

3、基于散熱的要求，封裝越薄越好。封裝大致經過了如下發(fā)展進程：材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；

引腳形狀：長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點；

裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝二：內存的封裝技術三：內存的電壓內存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內存損壞。SDRAM內存一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動額度不超過0.3伏；DDRSDRAM內存一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動額度不超過0.2伏；DDR2SDRAM內存的工作電壓一般在1.8V左右。DDR3SDRAM內存的工作電壓一般在1.5V左右。最高1.7V。具體到每種品牌、每種型號的內存，則要看廠家了，但都會遵循SDRAM內存3.3伏、DDRSDRAM內存2.5伏、DDR2SDRAM內存1.8伏、DDR3SDRAM內存1.5V的基本要求，在允許的范圍內浮動。略微提高內存電壓，有利于內存超頻，但是同時發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風險。四：內存主頻內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內存頻率：DDR：333MHz400MHzDDR2：667MHz800MHz1066MHzDDR3：1066MHz1333MHz1600MHz1866MHz2000MHz如何從外觀上區(qū)分DDR，DDR2的內存

DDR和DDR2內存相信大家都會很熟悉，現在以DDR2為核心技術的內存各方達到成熟而成為主流。性能方面比起上一代DDR來也提高了一倍。而價格方面主要是因為DDR內存逐漸退出了市場，商家的庫存量相對于注流的DDR2來說要少，所以DDR內存價格上要比DDR2要高出一些。

下面就言歸正傳吧，給大家介紹一下如何從外觀上區(qū)分DDR和DDR2內存，以便大家購買。下面就圖文并茂的方式給大家介紹一下區(qū)分方法。

1.看針腳

DDR內存的針腳為184PIN，而DDR2內存的針腳為240PIN，也就是說DDR2的針腳在外觀上看明顯比DDR內存的針腳要密些，如下圖紅框所示所示。

紅框中上面的是DDR2內存針腳，下面的是DDR內存針腳

2.看內存顆粒

DDR的內存顆粒比較大，形狀呈長方形，而DDR2內存顆粒大多為比較下，形狀呈正方形，如上圖黃色框內的所示。

在外觀上的區(qū)分方法大體就這樣，希望能對你有幫助，知道內存怎么分辨了那么也要知道主板內存插槽如何分辨是支持DDR還是支持DDR2才能事半功倍啊，那么下面部落就叫你一個簡單的辦法分辨主板內存插槽怎么分辨。

分辨主板內存插槽

DDR3內存采用1.5V電壓,DDR2內存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的，如下圖所以。

上面黃色的插槽為DDR2插槽，下面紅色的插槽為DDR插槽。DDR:DDR2:DDR3:各內存條的缺口五：金手指金手指（connectingfinger）是內存條上與內存插槽之間的連接部件，所有的信號都是通過金手指進行傳送的。金手指由眾多金黃色的導電觸片組成，因其表面鍍金而且導電觸片排列如手指狀，所以稱為“金手指”。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因為金的抗氧化性極強，而且傳導性也很強。不過因為金昂貴的價格，目前較多的內存都采用鍍錫來代替，從上個世紀90年代開始錫材料就開始普及，目前主板、內存和顯卡等設備的“金手指”幾乎都是采用的錫材料，只有部分高性能服務器工作站的配件接觸點才會繼續(xù)采用鍍金的做法，價格自然不菲。六：主流內存品牌金士頓、金邦、海盜船、威剛、三星、宇瞻等175元.300左右常見的劣質內存經常是芯片標識模糊或混亂，印刷電路板毛糙，金手指色澤晦暗，電容歪歪扭扭如手焊一般，焊點不干凈利落。正品的芯片表面一般都很有質感，要么有光澤或熒光感要么就是亞光的，而打磨條芯片因為打磨的原因表面會色澤不純甚至比較粗糙、發(fā)毛。

筆記本內存的安裝硬盤硬盤相關參數含義一：硬盤的接口類型：硬盤接口是硬盤與主機系統間的連接部件，作用是在硬盤緩存和主機內存之間傳輸數據。不同的硬盤接口決定著硬盤與計算機之間的連接速度，在整個系統中，硬盤接口的優(yōu)劣直接影響著程序運行快慢和系統性能好壞。從整體的角度上，硬盤接口分為IDE、SATA、SCSI和光纖通道四種，IDE接口硬盤多用于家用產品中，也部分應用于服務器，SCSI接口的硬盤則主要應用于服務器市場，而光纖通道只在高端服務器上，價格昂貴。SATA是種新生的硬盤接口類型，還正出于市場普及階段，在家用市場中有著廣泛的前景。SCSI服務器接口硬盤1：IDE接口：IDE的英文全稱為“IntegratedDriveElectronics”，即“電子集成驅動器”，IDE這一接口技術從誕生至今就一直在不斷發(fā)展，性能也不斷的提高，其擁有的價格低廉、兼容性強的特點，為其造就了其它類型硬盤無法替代的地位。2：SATA：SATA（SerialATA）口的硬盤又叫串口硬盤，是未來PC機硬盤的趨勢。2001年，由Intel、APT、Dell、IBM、希捷、邁拓這幾大廠商組成的SerialATA委員會正式確立了SerialATA1.0規(guī)范，2002年，雖然串行ATA的相關設備還未正式上市，但SerialATA委員會已搶先確立了SerialATA2.0規(guī)范。SerialATA采用串行連接方式，串行ATA總線使用嵌入式時鐘信號，具備了更強的糾錯能力，與以往相比其最大的區(qū)別在于能對傳輸指令（不僅僅是數據）進行檢查，如果發(fā)現錯誤會自動矯正，這在很大程度上提高了數據傳輸的可靠性。串行接口還具有結構簡單、支持熱插拔的優(yōu)點。二、硬盤轉速：轉速(RotationlSpeed)，是硬盤內電機主軸的旋轉速度，也就是硬盤盤片在一分鐘內所能完成的最大轉數。轉速的快慢是標示硬盤檔次的重要參數之一，它是決定硬盤內部傳輸率的關鍵因素之一，在很大程度上直接影響到硬盤的速度。硬盤的轉速越快，硬盤尋找文件的速度也就越快，相對的硬盤的傳輸速度也就得到了提高。硬盤轉速以每分鐘多少轉來表示，單位表示為RPM，RPM是RevolutionsPerminute的縮寫，是轉/每分鐘。RPM值越大，內部傳輸率就越快，訪問時間就越短，硬盤的整體性能也就越好。

硬盤的主軸馬達帶動盤片高速旋轉，產生浮力使磁頭飄浮在盤片上方。要將所要存取資料的扇區(qū)帶到磁頭下方，轉速越快，則等待時間也就越短。因此轉速在很大程度上決定了硬盤的速度。

家用的普通硬盤的轉速一般有5400rpm、7200rpm兩種，7200rpm高轉速硬盤也是現在臺式機用戶的首選；而對于筆記本用戶則是4200rpm、5400rpm為主，但7200rpm的筆記本硬盤，但在市場也較多；服務器用戶對硬盤性能要求最高，服務器中使用的SCSI硬盤轉速基本都采用10000rpm，甚至還有15000rpm的，性能要超出家用產品很多。三：硬盤容量：硬盤容量的單位為兆字節(jié)（ＭＢ）或千兆字節(jié)（ＧＢ），目前的主流硬盤容量為120GB、160GB、200GB、250GB、300GB、320GB、500GB、640GB、750GB、1000GB、1.5TB，影響硬盤容量的因素有單碟容量和碟片數量。許多人發(fā)現，計算機中顯示出來的容量往往比硬盤容量的標稱值要小，這是由于不同的單位轉換關系造成的。我們知道，在計算機中１ＧＢ＝１０２４ＭＢ，而硬盤廠家通常是按照１Ｇ＝１０００ＭＢ進行換算的。以120GB的硬盤為例：

廠商容量計算方法：120GB＝120,000MB＝120，000，000KB＝120，000，000，000字節(jié)

換算成操作系統計算方法：120，000，000，000字節(jié)/1024＝117,187,500KB/1024＝114，440.91796875MB＝114GB。（硬