ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標準

GB/T249—2017

代替

GB/T249—1989

半導體分立器件型號命名方法

Theruleoftypedesignationfordiscretesemiconductordevices

2017-05-12發(fā)布2017-12-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T249—2017

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替半導體分立器件型號命名方法與相比主要技

GB/T249—1989《》,GB/T249—1989

術變化如下

:

混頻管和檢波管分別命名見年版的

———(3.1,19893.1);

二極管第二部分增加了符號代表化合物或合金材料見

———E,(3.1);

增加了噪聲管和限幅管的命名見

———(3.1);

增加了晶體管陣列的命名見

———(3.2);

由代表整流管陣列改為代表二極管陣列見年版的

———“ZL”(3.2,19893.2);

增加了肖特基二極管的命名見

———(3.2);

增加了觸發(fā)二極管的命名見

———(3.2)。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所

:。

本標準主要起草人陳海蓉崔波李麗霞

:、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T249—1964、GB/T249—1974、GB/T249—1989。

Ⅰ

GB/T249—2017

半導體分立器件型號命名方法

1范圍

本標準規(guī)定了半導體分立器件型號命名方法的組成原則組成部分的符號及其意義

、。

本標準適用于各種半導體分立器件

。

2型號組成原則

21半導體分立器件的型號五個組成部分的基本意義如下

.:

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分

用漢語拼音字母表示規(guī)格號

用阿拉伯數(shù)字表示登記順序號

用漢語拼音字母表示器件的類別

用漢語拼音字母表示器件的材料和極性

用阿拉伯數(shù)字表示器件的電極數(shù)目

22半導體分立器件的型號一般由第一部分到第五部分組成也可以由第三部分到第五部分組成

.,。

3型號組成部分的符號及其意義

31由第一部分到第五部分組成的器件型號的符號及其意義見表

.1。

表1由第一部分到第五部分組成的器件型號的符號及其意義

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分

用阿拉伯數(shù)字表用阿拉伯用漢語拼音

用漢語拼音字母表示

示器件的電極數(shù)用漢語拼音字母表示器件的類別數(shù)字表示字母表示

器件的材料和極性

目登記順序號規(guī)格號

符號意義符號意義符號意義

二極管型鍺材料小信號管

2AN,P

型鍺材料混頻管

BP,H

型硅材料檢波管

CN,V

型硅材料電壓調(diào)整管和電壓基準管

DP,W

化合物或合金變?nèi)莨?/p>

EC

材料整流管

Z

三極管型鍺材料整流堆

3APNP,L

型鍺材料