ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26069—2022

代替GB/T26069—2010

硅單晶退火片

Annealedmonocrystallinesiliconwafers

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T26069—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅退火片規(guī)范與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯

GB/T26069—2010《》,GB/T26069—2010,

性改動外主要技術(shù)變化如下

,:

范圍一章增加了包裝標(biāo)志運(yùn)輸貯存隨行文件及訂貨單等內(nèi)容更改了硅單晶退火片的

a)“”、、、、,

適用范圍見第章年版的第章

(1,20101);

增加了術(shù)語退火片技術(shù)代及其定義見第章

b)“”“”(3);

增加了和集成電路線寬所需的硅單晶退火片的技術(shù)規(guī)格見第

c)65nm、45nm、32nm22nm(4

章

);

增加了退火片的基本要求應(yīng)符合的要

d)GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508

求見

(5.1);

更改了硅片標(biāo)識徑向氧含量厚度及允許偏差局部光散射體等要求刪除了直徑邊緣表面

e)、、、,、

條件平整度滑移體微缺陷刻蝕帶深度等要求增加了主參考面或切口晶向邊緣輪

、、、(BMD),、

廓背表面狀態(tài)潔凈區(qū)寬度等要求見第章年版的

、、(DZ)(5,20104.2);

刪除了徑向電阻率變化晶向參考面長度主參考面晶向晶體完整性直徑間隙氧含量間

f)、、、、、、、

隙氧含量徑向變化邊緣輪廓的測量方法見年版的和

、(20105.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.9、5.10

5.15)

更改了厚度總厚度變化局部平整度的測量方法見年版的和

g)、、(6.3,20105.115.13);

更改了翹曲度的測量方法見年版的

h)(6.4,20105.12);

增加了背表面光澤度的測量方法見

i)(6.6);

更改了表面金屬含量的測試方法見年版的

j)(6.8,20105.17);

增加了體金屬鐵含量的測試方法見

k)()(6.10);

增加了潔凈區(qū)寬度及體微缺陷密度的檢驗(yàn)方法見

l)(6.11);

更改了組批方式見年版的

m)(7.2,20106.2);

全檢項(xiàng)目中增加了導(dǎo)電類型幾何參數(shù)表面金屬含量和氧化誘生缺陷見

n)、、(7.3.1);

增加了檢驗(yàn)結(jié)果的判定見

o)(7.5);

更改了包裝見年版的

p)(8.1,20107.2);

增加了隨行文件見

q)(8.5)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導(dǎo)體硅材料股份公司山東有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江眾晶電子有限

:、、

公司洛陽鴻泰半導(dǎo)體有限公司開化縣檢驗(yàn)檢測研究院浙江中晶科技股份有限公司浙江金瑞泓科技

、、、、

股份有限公司浙江海納半導(dǎo)體有限公司中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司

、、。

本文件主要起草人孫燕寧永鐸樓春蘭陳鋒黃笑容王振國張海英潘金平由佰玲

:、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為

———2010GB/T26069—2010;

本次為第一次修訂

———。

Ⅰ

GB/T26069—2022

硅單晶退火片

1范圍

本文件規(guī)定了硅單晶退火片以下簡稱退火片的分類技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則包裝標(biāo)志

()、、、、、、

運(yùn)輸貯存隨行文件及訂貨單內(nèi)容

、、。

本文件適用于通過退火工藝在硅單晶拋光片表面形成一定寬度潔凈區(qū)的硅片產(chǎn)品用于技術(shù)代

,

的集成電路

180nm~22nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

計數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

GB/T4058

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅單晶

GB/T12962

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

硅單晶

GB/T29504300mm

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

硅單晶切割片和磨削片

GB/T29508300mm

硅片翹曲度和彎曲度的測試