ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T26071—2010

太陽能電池用硅單晶切割片

Mono-crystallinesiliconascutslicesforphotovoltaicsolarcells

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T26071—2010

前言

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位萬向硅峰電子股份有限公司上海九晶電子材料股份有限公司西安隆基硅材料

:、、

股份有限公司洛陽鴻泰半導體有限公司無錫尚德太陽能電力有限公司江西賽維太陽能有限

、、、LDK

公司杭州海納半導體有限公司

、。

本標準主要起草人樓春蘭鄭輝蔣建國張群社孫世龍黃笑容王飛堯段育紅朱興萍方強

:、、、、、、、、、、

汪貴發(fā)余俊軍袁文強金虹

、、、。

Ⅰ

GB/T26071—2010

太陽能電池用硅單晶切割片

1范圍

本標準規(guī)定了太陽能電池用硅單晶切割片簡稱硅片的技術要求試驗方法檢驗規(guī)則和標志包

()、、、

裝運輸貯存及質(zhì)量證明書與訂貨單內(nèi)容

、、。

本標準適用于直拉法制備的地面太陽能電池用硅單晶切割片

(CZ/MCZ)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅鍺單晶電阻率測定直排四探針法

GB/T1552、

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術語

GB/T14264

太陽電池用硅單晶

GB/T25076

硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法

GB/T26068

3術語

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

線痕sawmarks

在線切割過程中產(chǎn)生于硅片表面的切割痕跡

。

4要求

41產(chǎn)品分類

.

硅片按導電類型分為型型兩種類型按外形可分為準方形和圓形兩種

p、n;。

42規(guī)格

.

準方形硅片按其邊長分為或由供需雙方商定規(guī)格

125mm×125mm、156mm×156mm,。

圓形硅片按直徑或?qū)蔷€長度尺寸分為?