ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26071—2010

太陽能電池用硅單晶切割片

Mono-crystallinesiliconascutslicesforphotovoltaicsolarcells

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26071—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位萬向硅峰電子股份有限公司上海九晶電子材料股份有限公司西安隆基硅材料

:、、

股份有限公司洛陽鴻泰半導(dǎo)體有限公司無錫尚德太陽能電力有限公司江西賽維太陽能有限

、、、LDK

公司杭州海納半導(dǎo)體有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人樓春蘭鄭輝蔣建國(guó)張群社孫世龍黃笑容王飛堯段育紅朱興萍方強(qiáng)

:、、、、、、、、、、

汪貴發(fā)余俊軍袁文強(qiáng)金虹

、、、。

Ⅰ

GB/T26071—2010

太陽能電池用硅單晶切割片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用硅單晶切割片簡(jiǎn)稱硅片的技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志包

()、、、

裝運(yùn)輸貯存及質(zhì)量證明書與訂貨單內(nèi)容

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉法制備的地面太陽能電池用硅單晶切割片

(CZ/MCZ)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法

GB/T1552、

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

太陽電池用硅單晶

GB/T25076

硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法

GB/T26068

3術(shù)語

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

線痕sawmarks

在線切割過程中產(chǎn)生于硅片表面的切割痕跡

。

4要求

41產(chǎn)品分類

.

硅片按導(dǎo)電類型分為型型兩種類型按外形可分為準(zhǔn)方形和圓形兩種

p、n;。

42規(guī)格

.

準(zhǔn)方形硅片按其邊長(zhǎng)分為或由供需雙方商定規(guī)格

125mm×125mm、156mm×156mm,。

圓形硅片按直徑或?qū)蔷€長(zhǎng)度尺寸分為?