內(nèi)存內(nèi)存固定卡口金手指內(nèi)存顆粒內(nèi)存腳定位缺口SPD內(nèi)存的外觀圖：內(nèi)存顆粒（奇偶檢驗）例：samsungk4h280838b-tcb0主要含義：第1位——芯片功能k，代表是內(nèi)存芯片。第2位——芯片類型4，代表dram。第3位——芯片的更進一步的類型說明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。第11位——連線“-”。第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為7ns；7b為7.5ns(cl=3)；7c為7.5ns(cl=2)；80為8ns；10為10ns(66mhz)。一條三星ddr內(nèi)存，使用16片samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128mbits（兆數(shù)位）×16片/8bits=256mb（兆字節(jié)）。注：“bit”為“數(shù)位”，“b”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ecc內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ecc內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ecc校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ecc功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ecc內(nèi)存。內(nèi)存簡介

內(nèi)存，通常叫內(nèi)存條，是用于存放當(dāng)前待處理和日常信息的半導(dǎo)體芯片。因為計算機系統(tǒng)中CPU工作時要與其他設(shè)備進行數(shù)據(jù)交換，但其他設(shè)備的速度卻大大低于CPU的速度，如各種板卡、硬盤等，所以就需要一種工作效率較快的設(shè)備在其中完成數(shù)據(jù)暫時存儲和交換工作，這便是內(nèi)存的作用，內(nèi)存最常扮演的角色就是為硬盤與CPU傳遞數(shù)據(jù)之用。內(nèi)存芯片內(nèi)存芯片也就是常說的內(nèi)存顆粒，是整條內(nèi)存的關(guān)鍵部件。內(nèi)存顆粒是內(nèi)存的性能、速度、容量的決定因素。SPDSPD是從PC100時代誕生的一個小芯片，共有8個引腳，它實際上是一個EEOROM可擦寫存儲器，它的容量有256字節(jié)，可以寫入一點信息，包括內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作狀態(tài)、速度、響應(yīng)時間等，以協(xié)調(diào)計算機系統(tǒng)更好地工作。內(nèi)存固定卡口內(nèi)存插到主板上后，主板上的插槽會有兩個卡口扣住內(nèi)存，這個缺口是用于內(nèi)存固定。內(nèi)存固定卡口金手指

一根根黃色的接觸點是內(nèi)存與主板內(nèi)存插槽接觸的部分，數(shù)據(jù)就是靠它們來傳輸?shù)?，通常稱為金手指。金手指內(nèi)存腳定位缺口

內(nèi)存的腳上有這樣一到兩個缺口，這個缺口一是用來防止內(nèi)存插反的（通常處于不對稱位置）;二是用來區(qū)分不同的內(nèi)存。內(nèi)存腳定位缺口奇偶校驗與ECC內(nèi)存

ECC的英文全稱是“ErrorCheckingandCorrecting”（錯誤檢查和糾正），從這個名稱就可以看出它的主要功能就是“發(fā)現(xiàn)并糾正錯誤”。

是整個計算機系統(tǒng)在工作時更趨于安全穩(wěn)定。為了能檢測和糾正內(nèi)存軟錯誤，首先出現(xiàn)的是內(nèi)存“奇偶校驗”。內(nèi)存中最小的單位是比特，也稱為“位”，位有只有兩種狀態(tài)分別以1和0來標(biāo)示，每8個連續(xù)的比特叫做一個字節(jié)（byte）。不帶奇偶校驗的內(nèi)存每個字節(jié)只有8位，如果其某一位存儲了錯誤的值，就會導(dǎo)致其存儲的相應(yīng)數(shù)據(jù)發(fā)生變化，進而導(dǎo)致應(yīng)用程序發(fā)生錯誤。而奇偶校驗就是在每一字節(jié)（8位）之外又增加了一位作為錯誤檢測位。在某字節(jié)中存儲數(shù)據(jù)之后，在其8個位上存儲的數(shù)據(jù)是固定的，因為位只能有兩種狀態(tài)1或0，假設(shè)存儲的數(shù)據(jù)用位標(biāo)示為1、1、1、0、0、1、0、1，那么把每個位相加（1＋1＋1＋0＋0＋1＋0＋1＝5），結(jié)果是奇數(shù)，那么在校驗位定義為1，反之為0。當(dāng)CPU讀取存儲的數(shù)據(jù)時，它會再次把前8位中存儲的數(shù)據(jù)相加，計算結(jié)果是否與校驗位相一致。從而一定程度上能檢測出內(nèi)存錯誤，奇偶校驗只能檢測出錯誤而無法對其進行修正，同時雖然雙位同時發(fā)生錯誤的概率相當(dāng)?shù)?，但奇偶校驗卻無法檢測出雙位錯誤。內(nèi)存的分類我們通常所說的內(nèi)存就是指RAM，根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理RAM又可分為兩類：靜態(tài)RAM（StaticRAM）和動態(tài)RAM（DynamicRAM）。我們現(xiàn)在使用的RAM基本都是動態(tài)RAM，其大致可分為一下幾種類型：FPM(FastPageMode)內(nèi)存FPM(快頁模式)是較早的個人計算機普遍使用的內(nèi)存，它每隔3個時鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。現(xiàn)在已很少見到使用這種內(nèi)存的計算機系統(tǒng)了EDO(ExtendedDataOut)內(nèi)存EDO(擴展數(shù)據(jù)輸出)內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鐘脈沖周期傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30％，達到60ns。EDO內(nèi)存主要用于72線的SIMM內(nèi)存條，以及采用EDO內(nèi)存芯片的PCI顯示卡。SDRAM(SynchronousDRAM)內(nèi)存

SDRAM(同步動態(tài)隨機存儲器)是目前奔騰計算機系統(tǒng)普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與EDO內(nèi)存相比速度能提高50％。RDRAM(RambusDRAM)內(nèi)存

RDRAM(存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器)是Rambus公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設(shè)計的新型DRAM，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。DDR內(nèi)存DDR=DoubleDataRate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDRSDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR；DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍。DDR2內(nèi)存

DDR2是DDRSDRAM內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。它在DDR內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上加以改進，從而其傳輸速度更快（可達667MHZ），耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良.它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，也就是說:DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。

FlashMemory

FlashMemory(閃速存儲器)是一種新型半導(dǎo)體存儲器，主要特點是在不加電的情況下長期保持存儲的信息。就其本質(zhì)而言，F(xiàn)lashMemory屬于EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型，既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫，功耗很小。內(nèi)存的工作原理1.內(nèi)存尋址首先，內(nèi)存從CPU獲得查找某個數(shù)據(jù)的指令，然后再找出存取資料的位置時（這個動作稱為“尋址”），它先定出橫坐標(biāo)（也就是“列地址”）再定出縱坐標(biāo)（也就是“行地址”），這就好像在地圖上畫個十字標(biāo)記一樣，非常準(zhǔn)確地定出這個地方。對于電腦系統(tǒng)而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的信號，橫坐標(biāo)有橫坐標(biāo)的信號（也就是RAS信號，RowAddressStrobe）縱坐標(biāo)有縱坐標(biāo)的信號（也就是CAS信號，ColumnAddressStrobe），最后再進行讀或?qū)懙膭幼鳌Ｒ虼?，?nèi)存在讀寫時至少必須有五個步驟：分別是畫個十字（內(nèi)有定地址兩個操作以及判讀地址兩個信號，共四個操作）以及或讀或?qū)懙牟僮?，才能完成?nèi)存的存取操作。2.內(nèi)存?zhèn)鬏敒榱藘Υ尜Y料，或者是從內(nèi)存內(nèi)部讀取資料，CPU都會為這些讀取或?qū)懭氲馁Y料編上地址（也就是我們所說的十字尋址方式），這個時候，CPU會通過地址總線（AddressBus）將地址送到內(nèi)存，然后數(shù)據(jù)總線（DataBus）就會把對應(yīng)的正確數(shù)據(jù)送往微處理器，傳回去給CPU使用。3.存取時間

所謂存取時間，指的是CPU讀或?qū)憙?nèi)存內(nèi)資料的過程時間，也稱為總線循環(huán)（buscycle）。以讀取為例，從CPU發(fā)出指令給內(nèi)存時，便會要求內(nèi)存取用特定地址的特定資料，內(nèi)存響應(yīng)CPU后便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到數(shù)據(jù)為止，便成為一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，內(nèi)存回復(fù)指令，并丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns（納秒，秒－9）就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習(xí)慣用存取時間的倒數(shù)來表示速度，比如6ns的內(nèi)存實際頻率為1／6ns＝166MHz（如果是DDR就標(biāo)DDR333，DDR2就標(biāo)DDR2667）。4.內(nèi)存延遲內(nèi)存的延遲時間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等于下列時間的綜合：FSB同主板芯片組之間的延遲時間(±1個時鐘周期)，芯片組同DRAM之間的延遲時間(±1個時鐘周期)，RAS到CAS延遲時間：RAS(2-3個時鐘周期,用于決定正確的行地址)，CAS延遲時間(2-3時鐘周期,用于決定正確的列地址)，另外還需要1個時鐘周期來傳送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)從DRAM輸出緩存通過芯片組到CPU的延遲時間(±2個時鐘周期)。一般的說明內(nèi)存延遲涉及四個參數(shù)CAS（ColumnAddressStrobe行地址控制器）延遲，RAS（RowAddressStrobe列地址控制器）－to－CAS延遲，RASPrecharge（RAS預(yù)沖電壓）延遲，Act-to-Precharge（相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間）延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了內(nèi)存從接受指令到完成傳輸結(jié)果的過程中的延遲。大家平時見到的數(shù)據(jù)3—3—3—6中，第一參數(shù)就是CAS延遲（CL＝3）。當(dāng)然，延遲越小速度越快。內(nèi)存的工作指標(biāo)內(nèi)存是計算機系統(tǒng)的主要部件之一，其性能影響著所配置計算機系統(tǒng)的性能；許多指標(biāo)都與內(nèi)存有關(guān)，加之本身的性能指標(biāo)就很多，這里只介紹幾個最常用的，也是最重要的指標(biāo)。容量內(nèi)存條容量大小有多種規(guī)格，早期的30線內(nèi)存條有256K、1M、4M、8M多種容量，72線的EDO內(nèi)存則多為4M、8M、16M，而168線的SDRAM內(nèi)存大多為16M、32M、64M、128MB和512MB容量，甚至更高。

速度

內(nèi)存條的速度一般用存取一次數(shù)據(jù)的時間(單位一般用ns)來作為性能指標(biāo)，時間越短，速度就越快。普通內(nèi)存速度只能達到70ns～80ns，EDO內(nèi)存速度可達到60ns，而SDRAM內(nèi)存速度則已達到7ns。1ns=1000MHz,6ns=166MHz7ns=143MHz,10ns=100MHz

內(nèi)存的奇偶校驗為檢驗存取數(shù)據(jù)是否準(zhǔn)確無誤，內(nèi)存條中每8位容量能配備1位做為奇偶校驗位，并配合主板的奇偶校驗電路對存取的數(shù)據(jù)進行正確校驗。不過，而在實際使用中有無奇偶校驗位，對系統(tǒng)性能并沒有什么影響，所以目前大多數(shù)內(nèi)存條上已不再加裝校驗芯片。

內(nèi)存的電壓內(nèi)存的電壓是指內(nèi)存在工作時所需要的工作電壓，F(xiàn)PM內(nèi)存和EDO內(nèi)存均使用5V電壓，而SDRAM則使用3.3～3.5V之間電壓，而DDR使用2.5V電壓。

數(shù)據(jù)寬度和帶寬內(nèi)存的數(shù)據(jù)位寬度是指內(nèi)存在一個時鐘周期內(nèi)傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)，以“bit”為單位；內(nèi)存帶寬是指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率，計算方法是：運行頻率×數(shù)據(jù)帶寬/8，之所以要除以8，是因為每8個bit(比特)等于一個Byte(字節(jié))。

內(nèi)存的線數(shù)

內(nèi)存的線數(shù)是指內(nèi)存條與主板接觸點的個數(shù)，這些觸點就是金手指，有30線、72線、168線、184線等。72線、168線和184線內(nèi)存條數(shù)據(jù)寬度分別為8位、32位和64位。

CASCAS等待時間是指縱向地址脈沖的反應(yīng)時間,也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。比如現(xiàn)在大多數(shù)的SDRAM在外頻為100MHz時都能運行于CASLatency=2或3的模式下，這時的讀取數(shù)據(jù)的延遲時間可以是二個時鐘周期也可以是三個時鐘周期，若為二個時鐘周期就會有更高的效能。但為了使機器能工作在穩(wěn)定的情況下，有時要求CAS的值不能過小。